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机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇吴智鹏
  • 8篇朱俊
  • 4篇刘兴鹏
  • 2篇罗文博
  • 2篇林亚丽
  • 2篇邓杰
  • 1篇张万里
  • 1篇张鹰
  • 1篇郝兰众
  • 1篇马陈鹏
  • 1篇李俊峰

传媒

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  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
LiNbO_3/ZnO:Al集成结构的外延生长及电性能研究
2013年
采用脉冲激光沉积(PLD)法在蓝宝石衬底上先后外延生长了ZnO:Al(ZAO)和LiNbO3(LN)薄膜。通过X射线衍射分析(XRD)可知二者之间的外延关系为:LN(001)//ZAO(001)、LN[110]//ZAO[110]、LN[100]//ZAO[120]。制备了Au/LN/ZAO和ZAO/LN/ZAO两种电容器结构,对其进行了电流-电压(J-E)测试和铁电(P-E)分析,结果表明:LN/ZAO集成结构具有整流作用,ZAO/LN/ZAO结构表现出较好的绝缘性能,所制备的LN薄膜在室温下的剩余极化强度(Pr)约为1×10–6C/cm2,温度的升高能够促进电畴的翻转,使Pr增加为3×10–6C/cm2。
邓杰朱俊吴智鹏马陈鹏
关键词:脉冲激光沉积LINBO3ZNO
脉冲激光沉积制备铪钛酸铅薄膜的初步研究
采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbHf0.3Ti0.7O3(PHT)铁电薄膜,并对薄膜的微结构和铁电性能进行了表征.通过改变生长条件,对薄膜的微结构和铁电性能进行了初步...
吴智鹏朱俊邓杰郝兰众张鹰
关键词:铁电薄膜PLD
脉冲激光沉积制备铪锆氧铁电薄膜性能研究
吴智鹏朱俊吴诗捷林亚丽刘兴鹏
一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器及其制备方法,属于阻变存储器领域。所述柔性阻变存储器从下往上依次为柔性衬底、底电极、ZnO薄膜层、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜层和顶电极,所述Zn...
朱俊房丽彬吴智鹏刘兴鹏罗文博张万里李言荣
文献传递
铪锆氧薄膜阻变存储器制备及性能研究
作为下一代非易失存储器的典型代表,阻变存储器在近些年得到了广泛的关注。由于缺少对阻变机制深入透彻的研究,阻变材料的应用始终受到严重的制约。因此,作为阻变研究领域的核心,阻变性能系统研究与阻变机制深入探索一直都是研究的热点...
吴智鹏
关键词:导电机制脉冲激光沉积
文献传递
GaN衬底上Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2薄膜的阻变性能与机理研究被引量:1
2018年
采用脉冲激光沉积法在n-Ga N衬底上制备了铁电Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2薄膜,通过测量样品的P-E曲线与I-V特性曲线研究该异质结构的铁电特性及阻变特性。测试结果表明HZO薄膜具有良好的铁电极化特性及双极性电阻开关特性,HZO薄膜的阻值开关比达10~4。薄膜同时还表现出良好的抗疲劳特性和保持特性,80次翻转后窗口保持同一个数量级,在10~5s内器件仍保持稳定。对薄膜的I-V曲线进行拟合分析,表明该薄膜的导电机理为界面肖特基发射模型。
陈晓倩朱俊吴智鹏
关键词:铁电异质结RRAM脉冲激光沉积
Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2铁电薄膜的制备与电性能研究
2014年
采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Hf0.2Zr0.8O2(HZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用Radiant RT66A进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律。分析结果表明,HZO铁电极化的原因主要是来自于HfO2-ZrO2(111)正交相和ZrO2(002)四方相的影响。通过上述实验结果得到,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Hf0.2Zr0.8O2薄膜的优化条件为氧分压18 Pa、衬底温度500℃。在优化条件下制备的Hf0.2Zr0.8O2薄膜,剩余极化(2Pr)达到4μC/cm2。
吴诗捷朱俊罗文博吴智鹏林亚丽刘兴鹏
关键词:铁电脉冲激光沉积XRD
Pb(Hf_(0.3)Ti_(0.7))O_3铁电薄膜的制备与性能研究
2014年
采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0.3Ti0.7)O3(PHT)铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能。研究表明,生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的(111)择优取向;PHT薄膜矫顽场(2Ec)为390 kV/cm,剩余极化强度(2Pr)为53.1μC/cm2,经1.5×109次翻转后剩余极化强度保持85%;PHT薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为540。PHT薄膜有望应用于铁电随机存储器。
林亚丽朱俊吴智鹏刘兴鹏吴诗捷李俊峰
关键词:铁电薄膜脉冲激光沉积
复合薄膜结构光伏器件及制备方法
复合薄膜结构光伏器件及制备方法,涉及光电转换技术和复合薄膜太阳能技术领域。本发明的复合薄膜结构光伏器件包括铁电功能层、半导体衬底、透明电极和下电极,其特征在于,在铁电层和半导体衬底之间设置有缓冲层,所述缓冲层的材料为钛酸...
朱俊周云霞刘兴鹏吴智鹏
文献传递
共1页<1>
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