吴朝兴
- 作品数：170 被引量：49H指数：4
- 供职机构：福州大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
- 一种微纳复合结构光提取膜的制备方法
- 本发明涉及一种微纳复合结构光提取膜的制备方法，包括步骤：步骤S1：采用软印刷方法制备具有有序微米结构的PDMS模板；步骤S2：将有序微米结构的PDMS模板进行拉伸，并进行等离子处理，在微米结构的PDMS模板上获得不同形状...
- 周雄图赖晓聪郭太良张永爱吴朝兴林志贤严群
- 文献传递
- 基于DeepLabv3的随机褶皱防伪图案识别研究
- 2021年
- 针对现有防伪技术可靠性较低、容易被仿制、防伪成本高昂等问题,基于DeepLabv3,提出一种由热膨胀系数失配产生压缩应力形成随机褶皱防伪标识图案的识别方法。具体采用深度卷积网络分类算法中DeepLabv3进行分类识别,通过优化全连接层并设置不同的神经元节点,提高识别网络的分类准确率,缩减训练时间,训练准确率达96.58%,获得了能对褶皱纹理图案精准识别的网络模型,实现具有安全性的防伪目的。
- 陈雨陈桂雄周雄图张永爱张永爱吴朝兴林志贤
- 关键词：图像分类
- 基于全印刷技术的四针状氧化锌表面传导场发射器件
- 2014年
- 利用全丝网印刷技术制备四针状氧化锌表面传导场发射器件,并测试其场发射性能。SEM表明所合成的四针状氧化锌均匀地沉积在阴栅间隙,形成传导层。场发射测试结果表明,随着阳极电压增高,阳极电流增大,开启电压降低。当阳极电压为2 400 V时,器件的开启电压降为70 V;栅压为120 V时,器件最高亮度达550 cd/m2。对器件进行450 min的电流稳定性跟踪测量,其阳极电流波动在4%以内,表明该器件具有良好的场发射稳定性。
- 张永爱林锑杭吴朝兴郭太良
- 关键词：四针状氧化锌场发射丝网印刷
- 立方型PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法
- 本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法，由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料，以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料...
- 杨尊先郭太良孟宗羿叶雨亮陈烨张辉张永爱周雄图吴朝兴李福山
- 一种具有低驱动电压的纳米三极发光管及其制作方法
- 本发明涉及一种具有低驱动电压的纳米三极发光管，包括衬底和设置于所述衬底上的半导体纳米结构；所述半导体纳米结构包括沿平行衬底方向依次堆叠的第一半导体、第二半导体、第三型半导体、发光体和第四半导体；所述半导体纳米结构还包括从...
- 吴朝兴郭太良张永爱周雄图
- 文献传递
- 基于氧化锌纳米线表面传导场发射阴极的研究被引量：1
- 2011年
- 利用热蒸发和丝网印刷技术在玻璃基底上成功制备了氧化锌纳米线表面传导场发射阴极阵列,并测试其场发射性能。扫描电镜表明,在氩气和氧气流量分别为60和1mL/min,反应温度550℃保温30min条件下制备的氧化锌纳米线均匀垂直生长在玻璃基底上,直径大约在80～200nm,长度>7μm。场发射测试表明,在阳压2000V和阴阳间距为500μm时,ZnO纳米线表面传导场发射阴极的开启电压为70V;在栅压为96V时,电子发射效率为26.2%,高于传统报道的表面传导电子发射器件,在经过80min的老练后发射接近稳定,平均发射电流接近135μA,表明ZnO纳米线表面传导场发射阴极有着稳定高效的场发射性能。
- 张永爱林金阳吴朝兴郑泳林志贤郭太良
- 关键词：氧化锌热蒸发丝网印刷场发射特性
- 基于AZO/石墨烯/AZO结构的柔性电极及其制备
- 本发明涉及一种基于AZO/石墨烯/AZO结构的柔性电极及其制备，该柔性电极包括形成有导电电极的基板，以及夹在AZO导电电极之间的石墨烯膜层，所述的石墨烯膜层夹在AZO薄膜之间，所述的柔性电极为夹层结构。本发明制备的柔性电...
- 郭太良李福山张蓓蓓吴朝兴陈景水于光龙张永志
- 文献传递
- 一种可拉伸有机光电器件的薄膜封装方法
- 本发明提供了一种可拉伸有机光电器件的薄膜封装方法，所述方法制得的薄膜封装结构从下至上依次设置有具有高水氧阻隔性能的可拉伸有机聚合物衬底、可拉伸有机光电器件和具有高水氧阻隔性能的无机/有机融合交叠薄膜封装层，高水氧阻隔层采...
- 周雄图陈桂雄张永爱郭太良林志贤吴朝兴李福山杨尊先
- 文献传递
- 基于石墨烯/氧化锌纳米线复合材料的发射阴极及其制备
- 本发明涉及一种基于石墨烯/氧化锌纳米线复合材料的场致电子发射阴极，其包括导电电极及位于电极表面的石墨烯/氧化锌纳米线复合纳米材料。所述的石墨烯/氧化锌纳米线复合纳米材料由尺寸为2~10um的石墨烯和长度1~2um、直径1...
- 郭太良李福山吴朝兴叶芸张永爱
- 一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及制备方法
- 本发明公开了一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器是在绝缘衬底上形成包括底电极、有机功能层以及顶电极的三层结构器件。本发明中有机功能层采用掺杂有石墨烯量子点的聚合物溶在底电极上旋涂成膜，并采用...
- 李福山郭太良寇丽杰陈伟吴朝兴吴晓晓胡雪花
- 文献传递
