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周华兵

作品数：10 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇逻辑单元
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇FPGA
  • 2篇端口
  • 2篇多路
  • 2篇多路复用
  • 2篇多路复用器
  • 2篇多模式
  • 2篇映射
  • 2篇阵列
  • 2篇砷化镓
  • 2篇砷化镓衬底
  • 2篇输入端
  • 2篇输入端口
  • 2篇输入输出
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇量子级联
  • 2篇裂解
  • 2篇磷化铟

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇周华兵
  • 4篇刘峰奇
  • 4篇陈陵都
  • 4篇李路
  • 4篇梁凌燕
  • 4篇吕小晶
  • 2篇刘忠立
  • 2篇郭瑜
  • 2篇郑厚植
  • 2篇倪明浩
  • 2篇刘俊岐
  • 1篇段会福
  • 1篇张琨
  • 1篇张琨

传媒

  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇微计算机信息

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2007
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
针对一种多模式逻辑单元结构FPGA的工艺映射被引量：4
2009年
结合FPGA设计的特点,提出一种可灵活配置的多模式FPGA逻辑单元结构及对其进行工艺映射的工具VMAP.该工具中除了采用一般的工艺映射算法外,还结合逻辑单元结构特点提出了专门的合并优化算法.该算法基于图的最大基数匹配,将部分查找表进行合并,减小了映射结果的面积开销.实验结果表明,对于标准的测试电路,结合文中的逻辑单元结构和合并算法得到的工艺映射结果平均可以减少15.7%的基本逻辑单元使用个数.
张琨周华兵陈陵都刘忠立
关键词：多模式逻辑单元工艺映射现场可编程门阵列
一种灵活的包含嵌入式存储器的FPGA结构被引量：2
2008年
近年来,集成电路制造工艺的巨大提高使得FPGA有能力实现大的数字系统电路。这些大的系统通常需要大量的存储器以存储数据。很多FPGA生产商已经推出了含有大的嵌入式存储器的FPGA芯片。然而,大多数学术方面的CAD工具只针对于同质的FPGA结构(即只包括逻辑模块和布线通道的FPGA结构)。FPGA的布线结构通常被表示为RRG(布线资源图)。本文将介绍一种包含嵌入式存储器模块的FPGA的灵活结构以及一种建立RRG的方法。文中我们对VPR(versatile placing and routing)进行了改进,使得VPR可以处理包含嵌入式存储器结构的FPGA的布局布线问题,同时保持了VPR的灵活性。
段会福周华兵
关键词：嵌入式存储器VPR
基于部分局部互连结构的FPGA逻辑块
一种基于部分局部互连结构的FPGA逻辑块，其特征在于，包括：8个逻辑单元，该逻辑单元之间采用专用的进位链连接；该逻辑单元包括12个端口，该12个端口包括5个数据输入端口、3个控制输入端口、1个时钟输入端口、3个输出端口；...
周华兵倪明浩陈陵都郑厚植
文献传递
FPGA布线结构研究和设计工具软件的实现、优化与验证
相对ASIC而言，FPGA已经转变为系统的核心并且其市场份额持续增长。其基本原因在于两个方面。首先，由于ASIC开发成本不断上升，对许多市场而言，判断ASIC的开发成本是很困难的，这完全是因为不能满足投资回报率(ROI)...
周华兵
针对多模式逻辑单元可编程门阵列的工艺映射方法
本发明公开了一种针对多模式逻辑单元可编程门阵列的工艺映射方法，该方法包括映射和合并两个步骤，首先对输入的与具体工艺无关的门级电路网表进行解析，并对解析的结果进行工艺映射，然后再根据多模式LC的约束信息对工艺映射结果进行合...
张琨周华兵陈陵都刘忠立
文献传递
用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法
本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域，特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括：步骤1：在分子束外延系统中，将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温；步骤2：裂解区降温并将红磷区升温；步骤3：关闭...
李路刘峰奇周华兵梁凌燕吕小晶
文献传递
砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限...
李路刘峰奇刘俊岐郭瑜周华兵梁凌燕吕小晶
文献传递
砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限...
李路刘峰奇刘俊岐郭瑜周华兵梁凌燕吕小晶
文献传递
基于部分局部互连结构的FPGA逻辑块
一种基于部分局部互连结构的FPGA逻辑块，其特征在于，包括：8个逻辑单元，该逻辑单元之间采用专用的进位链连接；该逻辑单元包括12个端口，该12个端口包括5个数据输入端口、3个控制输入端口、1个时钟输入端口、3个输出端口；...
周华兵倪明浩陈陵都郑厚植
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用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法
本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域，特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括：步骤1：在分子束外延系统中，将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温；步骤2：裂解区降温并将红磷区升温；步骤3：关闭...
李路刘峰奇周华兵梁凌燕吕小晶
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