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周昌杰

作品数:7 被引量:12H指数:2
供职机构:集美大学理学院更多>>
发文基金:福建省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇光学
  • 2篇第一性原理
  • 2篇色散
  • 2篇色散斜率
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤设计
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇ZNO
  • 1篇等效
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电子结构
  • 1篇氧化锌
  • 1篇英文
  • 1篇有效介质理论
  • 1篇扫描隧道显微...
  • 1篇偶极矩
  • 1篇子结构
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米尺度效应

机构

  • 4篇集美大学
  • 4篇厦门大学

作者

  • 7篇周昌杰
  • 3篇康俊勇
  • 2篇徐惠真
  • 1篇林伟
  • 1篇黄晓菁
  • 1篇朱会丽
  • 1篇吴启辉
  • 1篇吴雅苹
  • 1篇李志阳
  • 1篇陈晓航
  • 1篇周颖慧
  • 1篇游荣义

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇中国激光
  • 1篇第四届全国信...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
纤锌矿结构ZnO(0001)-Zn和(000-1)-O极性表面稳定几何及电子结构性质被引量:1
2015年
采用超高真空分子束外延和扫描隧道显微(STM)技术,对纤锌矿结构ZnO单晶(0001)-Zn和(000-1)-O极性表面进行了STM形貌扫描和扫描隧道谱(STS)测量.STM表征结果显示,(0001)-Zn极性表面形成了以单层高度交替出现的直线型和锯齿型台面的大表面纳米稳定结构,还通过形成(3×3)再构表面来稳定其表面.而(000-1)-O极性表面则形成了双层高度台面的表面稳定结构.STS测量结果表明,(0001)-Zn极性表面内部偶极矩方向指向表面,而(000-1)-O极性表面内部偶极矩方向指向材料内部,导致两种极性表面能带的弯曲方向不同,最终引起两者导带底EC和价带顶EV能量位置的偏移.(0001)-Zn和(000-1)-O极性表面I-V和dI-dV曲线的偏移体现了两种表面的不同极性和电子结构性质.
周昌杰吴雅苹陈晓航周颖慧朱会丽康俊勇
关键词:ZNO偶极矩
金属纳米颗粒阵列等效薄膜的光学性质研究
2013年
基于Maxwell—Garnett(M-G)有效介质理论,建立了研究金属纳米不连续薄膜光学性质的理论模型,对半球形纳米颗粒在等效薄膜中的体积分数和纳米尺度效应提出修正处理;给出了可见光区附近Au纳米颗粒等效薄膜的有效相对电容率和光学常数随波长变化的结果,并获得薄膜的光反射率、透射率和吸收率随膜纳米尺度的变化谱。计算结果表明,金属纳米等效薄膜有效电容率和光学常数随纳米尺度增大而增大,谱峰出现很小的红移。进一步发现,纳米尺度越小,光的反射率和吸收率越小,但透射率越大,峰值位置随纳米尺度增大有小量红移,结果与实验相符。
黄晓菁游荣义周昌杰
关键词:有效介质理论纳米尺度效应光学性质
Li嵌入对V_2O_5电子结构及光学性质的影响(英文)被引量:1
2007年
采用第一性原理局域密度近似法计算了V2O5的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。计算结果表明,V2O5是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式。但Li的嵌入使得V2O5导带能量下移,禁带宽度减小,导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽。电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响。Li2s电子的注入提高了V2O5的费米能级并导致其进入导带。由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级,这致使体系实际的光学带隙增大。同时随着Li注入量的进一步增加,价带的展宽更为明显,费米能级亦呈升高的趋势,使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大。
李志阳周昌杰林伟吴启辉康俊勇
关键词:第一性原理V2O5电子结构光学性质
纤锌矿结构ZnO中定位Ga-N共掺杂对p型掺杂效率的影响被引量:3
2006年
采用第一性原理和密度泛函理论的方法,计算未掺杂、N单掺杂和Ga-N共掺杂纤锌矿结构ZnO的总能、电荷密度和能带结构。总能计算表明,Ga原子的共掺杂使总能极大地降低,从而显著提高杂质N原子在ZnO中的稳定性。电荷密度分布显示,总能的降低主要是Ga-N共掺杂后Ga原子的3d态和N原子的2p态电子之间的强杂化相互作用所致。特别是在Ga原子的负电荷和N原子的正电荷沿c轴排成一线的共掺杂构型中,较大的局域极化场的变化引起价带顶向禁带中的大分裂,降低了N受主的激活能,将空穴的浓度提高了三个量级,有效地提高p型掺杂效率。
周昌杰康俊勇
关键词:氧化锌P型掺杂
半导体掺杂和表面若干稳定结构及其性质
在当今追求科技产品多功能的信息时代,人们对微纳尺度光电器件和电子器件的要求日益提高。为获得新功能器件,制备稳定的n型和p型掺杂的新型化合物半导体材料凸显重要;同时,器件的比表面积随器件的尺度减小迅速增大,Si表面上金属的...
周昌杰
关键词:ZNO半导体掺杂扫描隧道显微镜第一性原理计算
全固高非线性低色散斜率光子晶体光纤设计被引量:7
2012年
提出了利用掺氟同心圆环的光纤结构来提高光子晶体光纤(PCF)的非线性,所需控制的参量仅有两个。设计了三种具有高非线性、低色散斜率和低限制损耗的全固光子晶体光纤。这三种光纤分别具有正常色散、双零色散点和零色散点恰好在1.55μm波长处的色散曲线特性。所设计的零色散点恰好在1.55μm波长处的光子晶体光纤色散斜率值为5.12×10-4 ps/(km·nm2),这比传统的高非线性光纤的色散斜率小了2个数量级。同时,该光纤在1.55μm波长处的非线性系数为31.5W-1·km-1,限制损耗为9.62×10-5 dB/km。
徐惠真周昌杰
关键词:光纤光学光子晶体光纤
全固高非线性低色散斜率光子晶体光纤设计
本文提出利用掺氟同心圆环的光纤结构来提高光子晶体光纤的非线性,设计了三种具有高非线性、低色散斜率和低限制损耗的全固光子晶体光纤.这三种光纤分别具有正常色散、双零色散点和零色散点恰好在1.55μm 波长处的色散曲线特性.所...
徐惠真周昌杰
关键词:NONLINEARITYDISPERSIONSLOPEPHOTONIC
共1页<1>
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