周春兰
- 作品数：21 被引量：42H指数：2
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术一般工业技术电气工程更多>>
- Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜被引量：3
- 2004年
- 介绍溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程;对前驱体溶液进行了综合热分析,并对薄膜的性质进行了研究;成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。在650°C下退火30min得到的Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=12μC/cm2,矫顽场强Ec=130kV/cm。
- 郭冬云王耘波于军李建军周春兰王雨田魏龙
- 关键词：SOL-GEL法BI4TI3O12铁电薄膜
- 用于正电子湮没寿命谱仪的探测器
- 一种用于正电子湮没寿命谱仪的探测器，该正电子湮没寿命谱仪包括起始道探测器和停止道探测器，与常规的正电子寿命谱仪与停止道采用相同的探测器不同，本发明采用了与起始道探测器不同的停止道探测器，在停止道探测器的闪烁体中央，有一圆...
- 章志明王宝义马创新周春兰张天保魏龙任绍霞
- 文献传递
- 北京<'22>Nα-慢正电子束流装置及新型慢化体实验
- 常规正电子湮天技术包括测量湮没寿命和多普勒展宽,本文研究北京<'22>Nα-慢正电子束流装置及新型慢化体的实验研制.
- 魏龙王宝义于润升马创新周春兰张天保
- 关键词：正电子源
- 文献传递
- FeS2薄膜的正电子湮没初步研究
- FeS2材料作为一种具有合适禁带宽度(Eg=0.95±0.15eV)和较高光吸收系数(当入射光波长λ＜900nm时,吸收系数α＞6×105cm-1)的半导体材料,可以制作极薄的太阳能薄膜电池.作为一种极有发展潜力的太阳能...
- 张辉王宝义张仁刚曹兴忠张哲周春兰马创新魏龙
- 关键词：FES2薄膜正电子湮没半导体材料太阳能电池材料晶体结构
- 文献传递网络资源链接
- SiO<,x>薄膜的光致发光研究及慢正电子束流应用
- 一、SiOx(x＜2)薄膜的光致发光研究硅质优、价廉、工艺高度成熟，是微电子核心材料。以硅为原材料的器件产值约占半导体器件总产值的95％。然而硅发光效率很低，约为10-6，长期以来，被认为不能用于光子学中起关键作用的光源...
- 周春兰
- 关键词：光致发光半导体器件
- 文献传递
- FeS2薄膜的正电子湮没初步研究
- FeS2材料作为一种具有合适禁带宽度(Eg=0.95±0.15 eV)和较高光吸收系数(当入射光波长λ<900nm时,吸收系数a>6×105cm-1)的半导体材料,可以制作极薄的太阳能薄膜电池。作为一种极有发展潜力的太阳...
- 张辉王宝义张仁刚曹兴忠张哲周春兰马创新魏龙
- 文献传递
- 慢正电子束流在材料缺陷研究方面的应用-部分用户研究简介
- 利用慢正电子束流技术对SiO2/Si体系的研究已经有大量的文献报道,北京22Na慢正电子束流装置在安装调试结束后,为了检验系统的工作性能,对该体系进行了多普勒展宽测量.实验中使用的硅片为p型单晶Si(100),SiO2层...
- 周春兰马创新郝小鹏章志明王宝义魏龙
- 关键词：能谱
- 文献传递
- 正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析
- 2006年
- 在慢正电子束研究表面的实验中,一般仍使用高纯Geγ谱仪测量正电子湮没多普勒展宽能谱, 对能谱的分析采用线形参数S,W,这些参数提供的信息有限．例如,当电子与正电子在材料中形成电 子偶素时,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得分析变得复杂．本工作在对多普 勒展宽能谱进行数据处理的过程中,引入正态电子偶素自衰变强度I3γ参数,建立了从能谱中获得I3γ 参数值的方法。以标准样品为基准,选用Ag盖帽的气凝硅胶进行I3γ参数计算,工作表明新参数对研究 介孔材料及纳米薄膜能提供更丰富的信息．
- 周春兰张天保马创新章志明曹兴忠王宝义魏龙
- 关键词：孔隙电子偶素介孔材料
- 正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析
- 在慢正电子束研究表面的实验中,一般使用HPGe γ谱仪测量正电子湮没多普勒线形参数,但在某些情况下,体系中大量存在电子偶素,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得该参数变得更难使用。本工作在对多普勒展宽能谱...
- 周春兰张天保马创新章志明曹兴忠王宝义魏龙
- 文献传递
- 氧化钒薄膜微观结构的研究被引量：36
- 2004年
- 采用直流磁控反应溅射在Si(1 0 0 )衬底上溅射得到 (0 0 1 )取向的V2 O5薄膜 .x射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和傅里叶变换红外光谱 (FTIR)的结果表明 ,氧分压影响薄膜的成分和生长取向 ,在氧分压 0 4Pa时溅射得到 (0 0 1 )取向的纳米V2 O5薄膜 ,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜 .V2 O5薄膜经过真空退火得到 (0 0 1 )取向的VO2 薄膜 ,晶体颗粒长大 .对薄膜的分子结构和退火过程的晶格转换进行了分析 。
- 潘梦霄曹兴忠李养贤王宝义薛德胜马创新周春兰魏龙
- 关键词：氧化钒薄膜微观结构直流磁控溅射
