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孙卫忠

作品数：16 被引量：12H指数：2
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学建筑科学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 12篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇建筑科学

主题

  • 7篇大直径
  • 7篇SI-GAA...
  • 6篇砷化镓
  • 6篇微缺陷
  • 6篇半绝缘
  • 6篇半绝缘砷化镓
  • 4篇单晶
  • 4篇位错
  • 3篇硅单晶
  • 2篇电特性
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇有机电致发光
  • 2篇有机电致发光...
  • 2篇双脉冲
  • 2篇瞬态
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇位错密度
  • 2篇离子注入

机构

  • 16篇河北工业大学
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇南开大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 16篇孙卫忠
  • 13篇刘彩池
  • 9篇郝秋艳
  • 3篇王海云
  • 3篇王娜
  • 2篇张建峰
  • 2篇赵彦桥
  • 2篇张建强
  • 2篇徐岳生
  • 2篇张雯
  • 2篇孙世龙
  • 2篇王丽华
  • 1篇任丙彦
  • 1篇刘淑英
  • 1篇赵丽伟
  • 1篇吴敬松
  • 1篇侯国付
  • 1篇赵颖
  • 1篇王敬
  • 1篇乔治

传媒

  • 2篇现代仪器
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇南开大学学报...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2013
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2001
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析
2009年
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区域最高。EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式,其浓度强烈依赖过量As的浓度。晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的分布会造成一定影响,同时位错密度的分布也会影响过量砷的分布,也就影响深施主缺陷EL2浓度的分布。
孙卫忠王娜王丽华郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓EL2红外光谱分析
离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5 s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品...
王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓离子注入电特性快速热退火
文献传递
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的杂质与缺陷
GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及集成电路，由于具有信息处理速度快等优点而受到青睐，成为近年来研究的热点。以液封直拉半绝缘GaAs为衬底的金属半导体场效应晶体管(MES...
孙卫忠
关键词：半绝缘砷化镓位错密度微缺陷
文献传递
有机电致发光器件变温双脉冲瞬态光响应的测试方法
本发明涉及有机电致发光器件变温双脉冲瞬态光响应的测试方法，该方法能够实现对有机电致发光器件在双脉冲电压驱动下的变温光响应特性的测试与分析。通过于不同温度下调制脉冲电压的占空比改变第二脉冲施加时器件内部载流子的初始状态，通...
刘爽杰关敏张杨曾一平刘彩池孙卫忠
文献传递
半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究被引量：2
2008年
本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）中本征缺陷的影响。实验结果表明，晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响；真空条件下，在850-930℃范围内热处理AB腐蚀坑变浅，砷沉淀数量增加；真空条件下，高于1100℃热处理后，砷沉淀几乎消失。晶体中砷沉淀的密度会随热处理条件的不同而变化，本文对其机理进行探讨。
刘红艳孙卫忠王娜郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓
大直径SI-GaAs中的缺陷分布
本文采用金相显微镜和PL Mapping扫描光谱仪,检测6英寸SI-GaAs晶片.首先用光荧光谱表征样品表面和内部的发光特性,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点;然后用金相显微镜检测AB腐蚀后样品中的...
赵彦桥刘彩池郝秋艳孙卫忠
关键词：SI-GAAS金相显微镜位错密度
文献传递
大直径重掺锑硅单晶中void微缺陷控制机理的研究
郝秋艳孙卫忠吴敬松张雯张建强
本项目利用化学腐蚀、金相显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜及透射电子显微镜等检测手段，研究了大直径重掺锑硅单晶中原生微缺陷的微观形貌、分布及掺杂剂对其密度的影响，探讨了重掺锑硅单晶中void微缺陷的成因，实验结果发现，...
关键词：
关键词：微缺陷掺锑硅单晶大直径控制机理
离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
2008年
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,而载流子浓度均成M型分布。离子注入及退火工艺并没有改变大直径GaAs电参数的径向分布规律,但注入后的高温热处理提高了晶体的电学均匀性。
王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓离子注入电特性快速热退火
高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量：3
2005年
对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
郝秋艳刘彩池孙卫忠张建强孙世龙赵丽伟张建峰周旗钢王敬
关键词：硅单晶微缺陷掺锑
电子信息材料晶体生长问题
众多电子信息材料晶体,都采用直拉法,从熔体中生长.本文探讨了生长大直径晶体中出现的几个问题.特别是在具有一定过冷度和向熔体空间引入磁感应强度条件下,对晶体生长过程中有关环境相的研究,不但具有学术意义,而且具有重要的实用价...
徐岳生王海云刘彩池孙卫忠
关键词：电子信息材料晶体生长直拉法
文献传递
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