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孙柏

作品数:17 被引量:46H指数:3
供职机构:中国科学院合肥智能机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇理学
  • 5篇电子电信
  • 3篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇电子能
  • 5篇ZNO
  • 5篇ZNO薄膜
  • 4篇电子能谱
  • 4篇淀积
  • 4篇脉冲激光
  • 4篇脉冲激光淀积
  • 4篇激光淀积
  • 4篇光电子能谱
  • 4篇PLD
  • 4篇X射线
  • 3篇散射
  • 3篇能量色散
  • 3篇光电子能谱研...
  • 3篇发光
  • 3篇X射线散射
  • 2篇射线
  • 2篇角分辨光电子...
  • 2篇光电
  • 2篇光学

机构

  • 14篇中国科学技术...
  • 9篇中国科学院
  • 2篇山东大学
  • 2篇皖西学院
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 17篇孙柏
  • 12篇徐彭寿
  • 6篇邹崇文
  • 5篇张国斌
  • 4篇李民强
  • 4篇刘忠良
  • 4篇刘锦淮
  • 4篇赵朝阳
  • 3篇徐法强
  • 3篇钟煜
  • 3篇潘海斌
  • 3篇武煜宇
  • 3篇余道洋
  • 3篇李锐鹏
  • 3篇潘国强
  • 2篇唐军
  • 2篇徐现刚
  • 2篇陈秀芳
  • 2篇康朝阳
  • 2篇韦世强

传媒

  • 5篇核技术
  • 3篇无机材料学报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇化学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇自动化与仪表
  • 1篇发光学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PLD生长的ZnO薄膜的微结构及其发光特性研究被引量:3
2006年
在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积(PLD)方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜。ZnO薄膜的结构分别通过X射线衍射(XRD)和广延X射线吸收精细结构(EXAFS)来表征,而表面成份和化学态则通过X射线光电子能谱来研究。利用光致发光(PL)来研究样品的发光特性。XRD结果和EXAFS结果都表明了500℃时生长的ZnO薄膜的结晶性比300℃时生长的要好。EXAFS结果和XPS结果显示,300℃时生长的ZnO薄膜处于富氧状态,而500℃时生长的则处于缺氧状态。结合XRD谱、EXAFS谱、XPS谱和PL谱的结果可以看到:随着ZnO薄膜的结晶性变好,它的紫外发光增强;另一方面,随着ZnO薄膜中O的含量减少,绿光发射变强。我们的结果表明绿光发射与ZnO中氧空位(Vo)有关。
孙柏邹崇文刘忠良徐彭寿张国斌韦世强
关键词:脉冲激光淀积X射线光电子能谱光致发光
低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究被引量:1
2005年
利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高度以及界面的电子结构.结果表明,Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长.由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为1·4eV.通过对界面价带谱和Au4f芯能级谱的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au_Ga合金.
邹崇文孙柏王国栋张文华徐彭寿潘海斌徐法强尹志军邱凯
关键词:AU同步辐射光电子能谱势垒高度态密度平面波价带
能量色散X射线散射实验平台研制及其在违禁品检测中的应用研究被引量:1
2009年
研制了用于检测违禁品的能量色散X射线散射实验装置。利用NaCl作为标样对装置的可靠性、准确性、能量分辨率进行了验证,结果表明,该装置采集的NaCl能量色散X射线散射谱获得的NaCl晶格常数与PDF(Powder Diffraction File)卡片能较好符合,在15.82keV处衍射峰的能量分辨率达2.2%(FWHM)。用该装置对TNT和海洛因进行检测,结果显示不同物质的能量色散X射线散射谱具不同特征,分析表明,由该装置获得的TNT和海洛因的晶格常数与PDF卡片能较好符合,在探测角10o、12o时获得的TNT、海洛因的能量色散谱图中衍射峰数目较多,强度较强,更宜进行TNT、海洛因识别。由此,利用该装置对违禁品检测是可行的。
孙柏李民强钟煜张芳路巍康南生刘锦淮
关键词:能量色散X射线散射毒品爆炸物
Mn掺杂对ZnO薄膜结构和光学性质的影响被引量:8
2007年
利用脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出了c轴高度取向的ZnO和Zn_(0.9)Mn_(0.1)O薄膜.光致发光结果显示了Mn的掺杂引起了薄膜的带边发射蓝移,强度减弱,紫光发射几乎消失,但绿光发射增强.利用X射线衍射,X射线吸收精细结构和X射线光电子能谱等实验技术对Mn掺杂的ZnO薄膜的结构及其对光学性质影响进行了研究.结果表明:Mn掺入到ZnO薄膜中形成了Zn_(0.9)Mn_(0.1)O合金薄膜,Mn以+2价的价态存在,这就导致了掺Mn以后的薄膜带隙变大,在发光谱中表现为带边发射的蓝移.同时由于掺入的Mn与薄膜中的填隙Zn反应,导致薄膜的结晶性变差,薄膜中的填隙Zn减少,O空位增多,引起带边发射和紫光发射减弱,绿光发射增强.
孙柏赵朝阳徐彭寿张国斌韦世强
关键词:脉冲激光淀积XAFSXPS
基于能量色散X射线散射方法的液体物质探测与识别研究被引量:3
2011年
固定散射角θ,采用连续波长的X射线对3类纯液体物质(伯醇、苯同系物与氯代甲烷)进行了能量色散X射线散射实验,得到了上述纯液体物质的能量色散X射线散射图谱。结果表明,每种液体物质的能量色散X射线散射图谱的峰形与峰位置彼此不同。伯醇随着碳链长度的增加,散射峰宽变窄,主峰位置向小的散射参数动量转移(q)值方向移动。苯同系物的散射曲线的峰形彼此不同,且主峰峰位的q值从苯、甲苯、邻二甲苯依次降低。氯代甲烷散射曲线的峰形随着取代氯原子数目不同而不同。液体物质的密度影响散射光谱的峰位置。液体物质散射曲线的差异与液体物质的组成、化学结构以及密度紧密相关。液体物质能量色散X射线散射图谱所揭示的峰形与峰位等特征信息,预示着能量色散X射线散射方法有可能作为非破坏性、非接触式检测与识别隐藏液体物质的有效手段。
钟煜孙柏张芳余道洋李民强刘锦淮
关键词:能量色散X射线散射
NSRL表面物理线站的性能测试及角分辨光电子能谱实验被引量:1
2005年
介绍了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)表面物理站的调试及获得的初步结果。利用光电二极管进行了光束线光通量的测试,分别得到了3块光栅的光通量响应曲线。利用纯金样品的二次谐波和费米边分别对高能和低能部分的入射光子能量进行了标定,并给出了系统的能量分辨率。最后用同步辐射零级光和激光束对实验站的电子能量分析器进行准直,用Cu单晶样品的角分辨光电子能谱实验测试了整个系统的性能,结果表明,NSRL表面站能够满足用户开展角分辨光电子能谱实验的要求。
邹崇文孙柏王国栋张文华徐彭寿徐法强潘海斌
关键词:光束线光通量二次谐波
ZnO/Si(111)界面结构的同步辐射掠入射X射线衍射研究被引量:3
2007年
在不同的衬底温度下,用脉冲激光沉积(PLD)方法制备了c轴高度取向的ZnO薄膜.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术研究了ZnO薄膜与Si(111)衬底的界面结构.GID结果表明:不管衬底温度是500℃还是300℃,在无氧气氛下用PLD方法制备的ZnO外延膜均处于压应力状态,且随着X射线探测深度的增加,应力增大.结合常规X射线衍射技术,计算了薄膜内的双轴应力;给出了样品的泊松比和c/a值,得出两样品均接近理想的六方密堆积结构,偏离标准的ZnO值.综合各方面实验结果,说明衬底温度控制在500℃时生长的ZnO薄膜具有较好的晶体质量.
赵朝阳李锐鹏孙柏徐彭寿张国斌潘国强
关键词:ZNOPLD
基于GPRS的砷氟监测仪无线控制系统被引量:3
2012年
水环境问题越来越受到世界各国的关注,长期饮用含高浓度砷、氟等微量元素的水会引起多种疾病。传统的砷氟分析仪器由于手工操作存在许多缺陷。无线通信技术的飞速发展为全自动电化学仪器提供了良好的平台,它在充分发挥GPRS技术优势的基础上,配合微污染物测试系统,实现实时监测、无人值守。通过多次实验,基于GPRS的无线控制系统在通信信号不佳的情况下依然能够稳定地实现仪器的启动以及数据传输等操作,监控者可以通过相应的账号登录浏览水中微污染物的测试数据。
时国龙李民强余道洋孙柏刘锦淮
关键词:监测仪通用分组无线服务技术
碳化硅表面锌的吸附及其热氧化的同步辐射光电子能谱研究
2006年
利用同步辐射光电子能谱(Synchrotronradiationphotoelectronspectroscopy,SRPES)和X射线光电子能谱(X-rayphotoelectronspectroscopy,XPS)技术,研究了金属Zn在6H-SiC表面的吸附和热氧化以及ZnO/SiC的界面形成过程。研究结果表明,在SiC表面沉积金属Zn的初始阶段,Zn可以夺取SiC衬底表面残留的氧并与之成键。随着Zn覆盖度的增加,表面具有金属特性。在2.0×10-4Pa的氧气氛中180℃温度退火下,覆盖的Zn会被部分氧化形成ZnO,还有部分Zn因其在真空中的低蒸发温度而逸出表面。在同样的氧气氛中600℃温度退火后,覆盖的金属Zn全部被氧化而生成ZnO。在氧气氛中退火时,衬底也会轻度氧化,从而导致在ZnO/SiC界面处存在一层很薄的Si的氧化层。根据得到的光电子能谱的实验结果,计算出ZnO/SiC异质结的价带偏移为1.1eV。
徐彭寿孙柏邹崇文武煜宇潘海斌徐法强
关键词:热氧化光电子能谱
ZnO(000)表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究被引量:3
2007年
利用同步辐射角分辨光电子能谱(angle-resolved photoeletron spectroscopy,ARPES)并结合全势缀加平面波(full potential linearized augmented plane waves,FPLAPW)理论计算方法研究了ZnO(000)表面的价带电子结构及能带色散.通过垂直出射的ARPES得到ZnO体态沿ΓA方向的能带结构并确定了两个表面态,实验结果与理论计算结果较为一致.利用非垂直出射的ARPES得到这两个表面态沿ΓKM方向的二维能带色散.
徐彭寿武煜宇邹崇文孙柏袁洪涛杜小龙
关键词:角分辨光电子能谱
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