孙萍
- 作品数：12 被引量：12H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 室温下高密度Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装
- 应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族半导体-CdSe,CdTe 纳米晶粒。CdSe 纳米晶粒是利用 CdCl2和 NaSeSO在反相胶束溶液中反应制备;CdTe 纳米晶粒是在水溶液中通过 AlTe和 Cd(ClO)...
- 赵伟明徐岭郑正孙萍李卫马懿张宇马忠元徐骏黄信凡陈坤基
- 文献传递
- 一种制备合金相变材料纳米点阵的方法
- 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀...
- 徐岭戴明甘新慧徐骏马忠元李卫李伟赵伟明孙萍陈坤基
- 文献传递
- 室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装被引量：1
- 2008年
- 应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.
- 赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基
- 关键词：半导体纳米晶体自组装刻蚀
- 纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究被引量：4
- 2008年
- 采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行了分析.结果表明:制备的二维CdS纳米阵列是高度有序的,且与作为掩模的纳米小球的原始尺寸及排布结构一致;禁带宽度为2.60eV,相对于体材料的2.42eV,向短波长蓝移了0.18eV,表现出CdS材料在纳米结构点阵中的量子尺寸效应;CdS纳米阵列在长波段透光性较好,短波段透光性几乎为零,表现出良好的光透选择性.
- 孙萍徐岭赵伟明李卫徐骏马忠元吴良才黄信凡陈坤基
- 关键词：光学性质半导体材料
- 基于胶体球刻蚀法制备的有序半导体纳米阵列及其光学性质的研究
- ＜正＞我们用胶体刻蚀法制备出二维有序的 CdS 和 Si 纳米阵列,并对其光学性质进行了研究。制备方法如下:1)首先在衬底上自组装聚苯乙烯小球（PS 小球,尺寸为220nm）单层膜,2)接着用化学池沉积（CBD）法淀积 ...
- 孙萍徐岭赵伟明李卫徐骏马忠元黄信凡陈坤基
- 文献传递
- 室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶体在Si衬底上的化学自组装
- 本文应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族-CdSe,CdTe纳米晶粒,紫外-可见光吸收谱(ABS)和光荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒良好的单分散性;在室温下利用双功能分子在Si衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原...
- 徐岭黄信凡陈坤基赵伟明郑正孙萍李卫马懿张宇马忠元徐骏
- 关键词：胶体化学纳米晶体
- 文献传递
- 一种制备合金相变材料纳米点阵的方法
- 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀...
- 徐岭戴明甘新慧徐骏马忠元李卫李伟赵伟明孙萍陈坤基
- 文献传递
- 常温下构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法
- 本发明涉及一种常温下用硅衬底上的单层CdTe纳米晶体作为掩模版，构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括1)、氧化、刻蚀；2)、铺设单层CdTe纳米晶体模版；3)、反...
- 徐岭徐骏马忠元黄信凡陈坤基李伟李卫赵伟明孙萍
- 文献传递
- 基于直接胶体晶体刻蚀技术的高度有序纳米硅阵列的尺寸及形貌控制被引量：8
- 2007年
- 以自组装单层胶体小球阵列为掩模,采用直接胶体晶体刻蚀技术在硅表面制备二维有序尺寸可控的纳米结构.在样品制备过程中,首先通过自组装法在硅表面制备了直径200nm的单层聚苯乙烯(PS)胶体小球的二维有序阵列;然后对样品直接进行反应离子刻蚀(RIE),以氧气为气源,利用氧等离子体对聚苯乙烯小球和对硅的选择性刻蚀作用,通过改变刻蚀时间,制备出不同尺寸的PS胶体小球的有序单层阵列;接着以此二维PS胶体单层膜为掩模,以四氟化碳为气源对样品进行刻蚀;最后去除胶体球后得到二维有序的硅柱阵列.SEM和AFM的测量结果表明:改变氧等离子体对胶体球的刻蚀时间和四氟化碳对硅的刻蚀时间,可以控制硅柱的尺寸以及形貌,而硅柱阵列的周期取决于原始胶体球的直径.
- 李卫徐岭孙萍赵伟明黄信凡徐骏陈坤基
- 关键词：形貌控制
- 纳米尺度的硫系化合物半导体材料光电性质的研究
- 硫系化合物半导体是指含有一种硫系元素的各种化合物半导体。主要包括Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及硫属非晶态半导体。
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体如CdS、CdTe、CdSe等是直接带隙半导体，其能隙覆盖了整个可见光范围，是一种重要...
- 孙萍
- 关键词：化合物半导体光电性质
