孙薇
- 作品数：5 被引量：16H指数：3
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 碱性SiO2纳米浆料在材料表面超精密加工的应用
- 本文针对在材料表面化学机械抛光超精密加工中采用酸性浆料所存在的若 干难以解决的问题，创新性地提出了：实现以化学作用为主，机械作用起到质量 传输、温度分布、线速度一致性的新技术路线。有效地解决了纳米SiO2 水溶液 在高P...
- 刘玉岭孙薇武亚红
- 关键词：纳米化学机械抛光
- 磨料和H_2O_2对InSb CMP效果影响的研究被引量：5
- 2008年
- InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素。采用化学机械抛光(CMP)技术对InSb进行表面加工,分析了CMP过程中抛光液的磨料质量分数和氧化剂含量对InSb的CMP效果的影响规律,实验研究了磨料和氧化剂(H2O2)的优化配比参数,并在此参数下,获得了良好的抛光表面。
- 张伟刘玉岭孙薇唐文栋宗思邈李咸珍侯丽辉
- 关键词：锑化铟磨料双氧水化学机械抛光
- ULSI多层Cu布线CMP中磨料的研究被引量：8
- 2008年
- 超大规模集成电路多层Cu布线平坦化中,抛光磨料是CMP系统的重要组成部分,是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要影响因素。分析研究了在CMP中磨料的作用和影响,指出碱性的纳米级SiO2水溶胶是ULSI多层Cu布线CMP的理想磨料。并进一步通过对多层Cu布线CMP硅溶胶磨料的优化研究,指出采用小粒径、低粒径分散度、高质量分数的SiO2水溶胶磨料,可有效地解决平整度差、塌边、碟形坑、表面粗糙度差等问题,获得了良好的抛光效果。
- 孙薇刘玉岭张伟时慧玲侯丽辉
- 关键词：化学机械抛光磨料速率
- 抛光液组成对LiNbO_3 CMP去除速率的影响被引量：4
- 2008年
- 影响LiNbO3化学机械抛光速率的因素很多,如抛光液组成、抛光垫质量、抛光工艺参数等。主要研究了抛光液对去除速率的影响,采用磨料+碱+活性剂的配方,首先分析了抛光液各成分对去除速率的影响机理,然后结合各因素的部分相关实验,从机械、化学角度分析其性质特点,对LiNbO3晶片的去除速率进行了研究。结果表明,在保证获得较好抛光表面的前提下,采用的磨料质量分数越高越好,但活性剂体积分数不宜过高,溶液pH值采用无机碱进行调节,即可获得较高的去除速率。
- 侯丽辉刘玉岭王胜利孙薇时慧玲张伟
- 关键词：铌酸锂去除速率抛光液
- The Application of Alkali Nano-sized SiO2 Slurry on Ultra-Precision Machining Process of the Material surface
- Aiming at some problems on ultra-precision machining process of the material surface by chemical mechanical po...
- 刘玉岭武亚红孙薇
- 关键词：NANO-SIZE
