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孟祥成

作品数：6 被引量：4H指数：2
供职机构：吉林师范大学更多>>
发文基金：吉林省科技发展计划基金吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 5篇NS
  • 5篇ZNS
  • 3篇溶胶
  • 3篇凝胶法制备
  • 2篇电池
  • 2篇溶胶-凝胶
  • 2篇溶胶-凝胶法...
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇溅射
  • 2篇CZTS
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇性能表征
  • 1篇预退火
  • 1篇太阳能
  • 1篇退火
  • 1篇硫化
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇晶化

机构

  • 6篇吉林师范大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 6篇孟祥成
  • 6篇华中
  • 4篇孙亚明
  • 3篇王多
  • 2篇张守琪
  • 2篇于万秋
  • 2篇龙东
  • 1篇王志英
  • 1篇左斌
  • 1篇田乐
  • 1篇刘洁

传媒

  • 2篇材料导报
  • 2篇吉林师范大学...
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
Fe_(78)Co_2Zr_8Nb_2B_(10-x)Ge_x(x=1,2,3)合金的晶化过程和磁性能研究
2014年
采用单辊快淬法制备Fe78Co2Zr8Nb2B10-xGex(x=1,2,3)系非晶合金,在不同热处理条件下对两种合金进行热处理。利用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)等测试手段对合金的微观结构和磁性能进行研究。研究结果表明,3种合金的晶化过程相似:非晶→非晶+α-Fe(Co)→α-Fe(Co)+Fe3Zr+Fe2B。3种合金的比饱和磁化强度(Ms)大体上随退火温度的升高而增大;3种合金的矫顽力(Hc)随退火温度的升高均呈现先增加、后降低、再增加的复杂变化趋势。
孟祥成刘洁左斌华中
关键词：快淬晶化过程磁性能
溶胶—凝胶法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其表征被引量：2
2013年
采用溶胶—凝胶法和旋涂技术在FTO玻璃衬底上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)前驱体薄膜,在氩气氛围中退火后获得Cu2ZnSnS4薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见分光光度计(UV-VIS)对样品进行表征分析结果表明:450℃退火后的样品为纯相的Cu2ZnSnS4,样品的晶粒尺寸较大,禁带宽度接近太阳光谱的禁带宽度.
王多孙亚明孟祥成王志英华中
关键词：溶胶-凝胶太阳能电池
磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其性能表征被引量：2
2015年
利用磁控溅射法将Cu/Sn/Zn S前驱体沉积在钙钠玻璃基片上,再通过硫化该前驱体制备Cu2ZnSnS4薄膜。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、能谱仪、霍尔效应测量系统和紫外可见分光光度计研究了Cu2ZnSnS4薄膜的微观结构、表面形貌、化学成分、电学和光学性能。结果表明,CZTS薄膜的微观结构依赖于硫化温度和时间。在480℃硫化3 h的薄膜为沿(112)晶面择优取向生长的纯相CZTS薄膜,该薄膜的禁带宽度是1.51 e V,其电阻率和载流子浓度分别为0.39Ω·cm和4.07×1017cm-3。
华中孟祥成孙亚明于万秋龙东张守琪
关键词：磁控溅射
铜溅射时间对Cu_2ZnSnS_4薄膜性能的影响
2016年
采用磁控溅射方法制备铜溅射时间分别为1.5 h和2 h的Cu/Sn/ZnS前驱体薄膜,然后利用双温区高温管式炉对两种薄膜进行硫化处理制备Cu_2ZnSnS_4.利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、能谱分析仪和紫外—可见分光光度计对薄膜的结构、表面形貌、化学成分和光学性能进行表征.结果表明:溅射1.5 h的Cu制备的薄膜表面存在大量杂质,表面很不平整;溅射2 h的Cu的薄膜表面呈现均匀致密的颗粒状薄膜,且具有更大的晶粒尺寸;溅射2 h的Cu的薄膜为单一CZTS相,其化学成分原子比更接近Cu_2ZnSnS_4化学计量比.
华中龙东孟祥成于万秋
关键词：磁控溅射硫化
溶胶-凝胶法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜太阳能电池吸收层被引量：2
2014年
以金属盐氯化铜、氯化锌、氯化锡为原料,单乙醇胺和乙二醇甲醚作为溶剂,采用溶胶-凝胶法结合旋涂技术获得前驱体薄膜,分别经120℃和300℃的热板干燥后,在双温区管式炉中,于硫蒸气下硫化制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、X射线能量色散谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等一系列测试设备对样品的结构、各组分的含量、表面形貌和光带隙进行表征分析。研究结果表明,CZTS前驱体薄膜在120℃的热板上干燥后,再经500℃硫化可制备出纯净的CZTS薄膜,禁带宽度接近1.52eV。
华中王多孟祥成田乐孙亚明
关键词：CZTS溶胶-凝胶太阳能电池
预退火对溶胶-凝胶法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜性能的影响
2014年
采用溶胶-凝胶法结合旋涂技术制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜前驱体。将一部分前驱体在S气氛中于500℃硫化1 h,另一部分先在250℃预退火0.5 h后再在500℃硫化1 h。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外可见分光光度计等对所制CZTS薄膜的微观结构、表面形貌以及光学性能等进行了表征,研究了预退火对CZTS薄膜性能的影响。结果表明:经预退火制备的薄膜比未经预退火制备的薄膜更为纯净,表面更加致密,其禁带宽度(1.49 eV)更接近CZTS薄膜太阳能电池的最佳禁带宽度(1.50 eV)。
华中孟祥成孙亚明王多张守琪
关键词：CZTS预退火禁带宽度
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