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常昊
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1
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供职机构:
清华大学理学院物理系
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相关领域:
理学
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合作作者
王丽君
井冈山学院
段文晖
清华大学理学院物理系
杨莉
清华大学理学院物理系
吴健
清华大学理学院物理系
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2005
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氢吸附导致的SiC表面金属化
2005年
文章报道了最近对氢吸附导致-βS iC(001)-3×2表面金属化的研究结果.提出了-βS iC(001)-3×2表面金属化的一种新机制:通过形成氢桥键(S i-H-S i复合结构)形成表面n型掺杂.该复合结构通过氢桥键增强了沟槽底部的弱结合的S i-S i二聚体,并向体系的导带提供电子.
常昊
杨莉
王丽君
吴健
段文晖
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金属化
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