廖晶莹
- 作品数：53 被引量：158H指数：8
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术天文地球更多>>
- 变价元素铋掺杂钨酸铅晶体辐照损伤的研究被引量：1
- 2003年
- 采用剂量为 4Mrad的γ射线辐照Bridgman法生长的未掺杂和掺铋钨酸铅晶体 ,研究了辐照前后晶体的透射光谱、X射线激发发射光谱 (XSL)的变化 .利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对钨酸铅晶体辐照前后的微观缺陷进行了研究 ,并对其抗辐照损伤性能及微观机理进行了初步探讨 .研究表明 ,铋掺杂使得晶体中的正电子捕获中心和低价氧浓度下降 ;辐照后 ,未掺杂晶体中正电子捕获中心浓度下降 ,低价氧浓度上升 ,掺铋晶体则出现了与之完全相反的情况 ,正电子捕获中心浓度上升 ,低价氧浓度下降 .提出掺铋钨酸铅晶体中铋的掺杂辐照前主要以Bi3+占据VPb的形式存在 ,辐照使变价元素铋发生Bi3+→Bi5+的变价行为 ,Bi5+可以替代W6+格位并使得晶体内部分 (WO4 ) 2 -根团形成 (BiO3+Vo) -.
- 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松吴湘惠邱隆清陈铭南廖晶莹沈定中张昕宫波薛炫萍徐炜新王景成
- 关键词：钨酸铅晶体辐照损伤透射光谱正电子湮没寿命谱X光电子能谱强子对撞机
- Pb_2MoO_5单晶的生长被引量：1
- 1997年
- 本文介绍了用电阻加热提拉方法生长出２５×６０ｍｍ透明Ｐｂ２ＭｏＯ５声光单晶；用Ｘ射线粉末衍射测定了Ｐｂ２ＭｏＯ５的结构；测定结果表明，Ｐｂ２ＭｏＯ５的结构与单斜晶系一致；证实其解理面为（２０１－）面。调整原料组分和采用适宜的生长条件。
- 廖晶莹沈炳孚邵培发
- 关键词：引上法晶体生长声光晶体
- 钨酸铅晶体的本征色心和辐照诱导色心被引量：20
- 2002年
- 根据钨酸铅晶体 (PbWO4,简称PWO)的缺陷化学和晶体结构特点 ,用光吸收谱、广延X射线吸收精细结构 (EX AFS)和精密X射线衍射 (XRD)方法对高温退火后PWO晶体进行微结构研究 ,获得了其退火前后缺陷变化的情况 ,据此提出生成态 (as grown)晶体中 35 0nm本征色心吸收带起源于V-F 空穴心 ,并指出PWO中紫外区色心吸收带的强度取决于晶体中铅空位和氧空位浓度之差 :[VPb]- [VO];然后 ,结合晶体在紫外光 (UV)辐照过程中色心的转化规律和偏振吸收谱的实验结果 ,提高 42 0nm辐照诱导色心吸收带起源于V0F 双空穴心 .并对所提出的PWO晶体色心模型的合理性进行了讨论 .
- 冯锡淇林奇生满振勇廖晶莹胡关钦
- 关键词：钨酸铅晶体结构特点
- Bi_(12)SiO_(20)晶体生长及其形态被引量：4
- 1992年
- 采用浮称自动等径技术提拉生长出〈001〉、〈110〉及〈111〉三种取向的Bi_(12)SiO_(20)单晶(简称 BSO)。尺寸达Φ35×65mm。文中揭示了不同取向生长 BSO 单晶的形态显露规律,并从晶体结构和晶体生长形态学的角度分析讨论了生长过程中 BSO 晶体的形态演变,指出极性{112}晶面的存在是〈110〉、〈111〉晶体生长过程中形态演变的内在原因。选择适合的转速、保证晶体在良好的晶形下生长是生长质量高、利用率高的 BSO 大单晶的关键。
- 徐学武沈炳孚廖晶莹陈显求何崇藩
- 关键词：硅酸铋晶体引上法晶体生长
- 高光输出钨酸铅(PbWO_4)晶体的研究与开发
- 廖晶莹邵培发沈炳孚倪海洪谢建军
- 该课题针对钨酸铅晶体的这一缺点，通过选择有效的掺杂体系，将钨酸铅晶体的无辐射损耗转移到掺杂剂发光中心上或形成新的发光中心，使晶体的光输出增加3～5倍，同时通过研究晶体的慢分量产生机制，找出抑制或消除慢分量的有效措施；结合...
- 关键词：
- 关键词：钨酸铅
- 高光产额钨酸铅晶体的研究进展
- 实验高能物理和粒子物理以及核医学成像技术的不断创新与发展,促进了无机闪烁晶体的发展,并激励人们不断探索性能优异的闪烁晶体。20世纪90年代以来,核医学成像技术(如正电子断层扫描仪,简称PET)的飞速发展极大地推动了闪烁晶...
- 杨培志廖晶莹
- 文献传递
- Bi_（12）SiO_（20）晶体核芯的形成和消除被引量：3
- 1994年
- 对于沿〈００１〉、〈１１０〉、〈１１１〉、和〈１１２〉４种取向提拉法生长的直径为３５ｍｍ的ＢＳＯ晶体进行了剖析。用阴影法和光学显微镜观察等方法揭示了ＢＳＯ晶体中深色核芯与生长取向、界面形状及小面生长之间的关系。讨论了核芯形成机制和消除方法。指出通过选择适当的转速，使晶体以平的或凹的界面生长，可消除〈００１〉和〈１１０〉取向生长的ＢＳＯ晶体中的核芯：选择〈１１１〉和〈１１２〉取向生长则能有效地避免深色小面核芯的形成。此外还讨论了生长条纹、组分过冷、应力和位错等缺陷问题。
- 徐学武廖晶莹沈炳孚邵培发陈显求何崇藩
- 关键词：硅酸铋光折变晶体
- 锗酸铋闪烁晶体的研究综述被引量：21
- 2004年
- 锗酸铋(BGO)晶体是一种性能良好的闪烁晶体,在高能物理、空间科学、核医学等方面有着广泛的应用.作者综述了BGO晶体的发展历史、晶体的结构、晶体的生长及性能,从光谱特性、闪烁性能、辐照损伤和晶体缺陷三方面详细讨论了近年来BGO晶体的研究进展,分析了BGO晶体的发展前景.
- 廖晶莹叶崇志杨培志
- 关键词：闪烁晶体锗酸铋晶体缺陷高能物理光谱特性核医学
- 锗酸铋晶体缺陷和小面生长被引量：1
- 1994年
- 对坩埚下降法生长锗酸铋（ＢＧＯ）闪烁晶体的缺陷进行研究。除使用通常研究透明晶体的光学方法外，由于ＢＧＯ晶体在受到光辐照损伤时时短波长光具有高的吸收系数，因此还采用近紫外光吸收形貌法研究晶体缺陷，以及缺陷与晶体小面之间的关系，并根据ＢＧＯ晶体的结晶习性和小面形成机理提出了减少和消除晶体小面生长及缺陷的方法。
- 廖晶莹
- 关键词：晶体缺陷
- 高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长被引量：10
- 2002年
- 用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体，晶体毛坯的尺寸为２８ｍｉｎ×２８ｍｍ×３６０ｍｍ；晶体的生长工艺参数为：籽晶取向［００１］；下降速度 ０．６～１．０ｍｍ／ｈ；生长界面附近的温度梯度为２０～３０℃／ｃｍ，加工后的晶体成品在４２０ｎｍ附近的透过率＞６０％；在３６０ｎｍ附近的透过率＞２５％．晶体的光输出＞９ｐ．ｅ／ＭｅＶ；光伤＜５％．
- 杨培志廖晶莹沈炳孚邵培发倪海红方全兴殷之文
- 关键词：钨酸铅晶体坩埚下降法
