张佐兰
- 作品数：22 被引量：10H指数：2
- 供职机构：东南大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 传感器硅膜制备技术的研究
- 1989年
- 一、引言固态传感器的微结构通常用化学腐蚀法获得,如,薄膜、埋层和悬板等。传感器输出电讯号的灵敏度与机械应力或信号源的变化有关,而这种变化又依赖于薄膜厚度。所以厚度的精确控制对器件性能的影响是十分重要的。
- 张佐兰田耘简耀光
- 关键词：硅膜埋层薄膜厚度外延层湿敏场效应晶体管
- 半导体太阳电池
- 1991年
- 本文介绍两种半导体太阳电池的研制工艺、器件特性及太阳电池的某些应用。
- 张佐兰张言一
- 关键词：半导体太阳能电池非晶硅
- LB膜及其应用被引量：2
- 1991年
- 本文介绍一种新型超薄有机膜的制备技术以及该薄膜在光电器件方面的应用。报导了光敏管的制作工艺和其主要特性。
- 张佐兰郑茳魏同立
- 关键词：光电元件光敏管
- Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的特性
- 1993年
- (东南大学,南京 210008) 重点介绍Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜的特性,特别是CdS和CdSe。利用密封空间汽化传输技术制作的CdS薄膜具有低的电阻(300K时,σ为0.88～1.34Ω^(-1)·cm^(-1))、高的载流子迁移率。X射线衍射仪分析表明:在(002)面择优生长,薄膜特性与制膜工艺有明显的关系,淀积后的退火和就地腐蚀能增大晶粒尺寸,减少晶粒边界。同时介绍了CdSe太阳电池的特性。
- 张佐兰
- 关键词：太阳电池化合物半导体晶体
- 薄膜制备新技术
- 1990年
- 本文介绍制备10μm以下硅膜的新技术——电8化学腐蚀自停止技术.并讨论光照、欧姆接触和pn结空间电荷区等因素对腐蚀特性的影响.
- 张佐兰
- 关键词：硅膜电化学腐蚀
- 电化学腐蚀自停止制备Si膜的新技术
- 1990年
- 本文介绍高精度控制 Si 膜厚度的电化学腐蚀自停止新技术。讨论光照和电极欧姆接触等对腐蚀特性的影响,以及所得 Si 膜的质量。
- 张佐兰
- 关键词：电化学
- 几种新型的光电器件被引量：1
- 1994年
- 描述用ＳＯＩ技术制造的光耦合ＭＯＳ继电器和多量子阱长波长红外探测器，以及集成异质结晶体管和激光二极管于一体的高增益、高灵敏的光电子开关器件。文中着重介绍这些器件的结构、制造工艺和器件特性，并对其进行了讨论。
- 张佐兰
- 关键词：红外探测器多量子阱光电器件
- SDB技术及其在传感器中的应用
- 1991年
- 本文简要介绍了硅片直接键合(SDB)技术和pn结自停止电化学腐蚀减薄新技术以及该技术在传感器中的应用。
- 张佐兰
- 关键词：硅片键合SDB传感器
- 采用电化学腐蚀pn结自停止法制备SiO_2上硅膜被引量：1
- 1990年
- 利用硅在40%KOH水溶液中的电化学腐蚀及其在pn结处的腐蚀自停止效应,使硅片进行大面积均匀减薄,获得了厚度为3～5μm 和1μm,均匀性分别为0.3μm 和0.1μm 的SOI/SDB 材料.
- 张佐兰
- 关键词：电化学腐蚀PN结SIO2硅
- 电化学腐蚀自停止制备SiO_2上的Si膜的机理研究被引量：1
- 1990年
- 本文将介绍制备厚度可控的SOI/SDB材料的新方法,重点讨论电化学腐蚀Pn结自停止效应的机理。
- 张佐兰
- 关键词：硅膜电化学腐蚀厚度
- 全文增补中
