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张松涛: 作品数：11 被引量：24H指数：3; 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市博士后基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信机械工程一般工业技术更多>>

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DCM的生长及界面行为研究: 4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran(DCM)是一种性能优良的激光染料,在有机发光器件中用作高效的发红光材料.DCM掺入(tri...; 钟高余徐正张松涛何钧詹义强王晓军熊祖洪史华忠丁训民侯晓远; 文献传递

有机电致发光器件的封装方法: 一种利用普通玻璃腐蚀后封装有机电致发器件的简便有效的方法。以往的封装都是利用塑料封装,或者把玻璃裁成细条围成一个框形进行封装,工艺麻烦而且密封性不够好导致封装效果不是特别好。本发明将普通玻璃经过处理后和器件粘合在一起,在...; 侯晓远何钧何劲张松涛钟高余熊祖洪邓振波吕明丁训民廖良生; 文献传递

有机电致发光器件的封装方法: 一种利用普通玻璃腐蚀后封装有机电致发光器件的简便有效的方法。以往的封装都是利用塑料封装，或者把玻璃裁成细条围成一个框形进行封装，工艺麻烦而且密封性不够好导致封装效果不是特别好。本发明将普通玻璃经过处理后和器件粘合在一起，...; 侯晓远何钧何劲张松涛钟高余熊祖洪邓振波吕明丁训民廖良生; 文献传递

有机发光二极管中载流子注入和传输机制的研究: 该论文研究的主要对象是有机发光二极管中载流子的注入和传输机制,而重点集中在缓冲层增强载流子注入的机理、NPB对载流子注入与传输过程的影响方面.具体包括以下四个方面的工作:1.OLED中绝缘缓冲层增强载流子注入的理论和实验...; 张松涛; 关键词：有机发光二极管载流子

一种用于真空蒸镀的样品支架: 一种适用于真空蒸镀的样品支架的设计。以往的真空沉积设备的设计中,掩模和样品托之间都有一点距离,使得真正得到的薄膜的形状并不是所设计的形状。本实用新型设计了一套样品支架,包括样品托、样品架和样品叉,其独特简捷的结构配合使用...; 侯晓远何钧吕明邓振波廖良生周翔熊祖洪张松涛何劲钟高余; 文献传递

基于多孔硅分布Bragg反射镜的有机微腔的光学性质被引量：12: 2000年; 报道了采用多孔硅多层膜作为Bragg反射镜的有机半导体光学微腔 .被测样品的光致发光谱半高宽可由无微腔下的 83nm窄化为有微腔时的 4nm ,非共振模得到有效的抑制 .同时共振峰强度的增强和峰位随出射角增大的“蓝移”; 吕明徐少辉张松涛何钧熊祖洪邓振波丁训民; 关键词：微腔多孔硅有机半导体光学性质

多孔硅反射镜基有机微腔器件的微结构和光电特性研究被引量：6: 2005年; 从微结构和光电特性方面研究了一种新型硅基微腔的有机发光器件(SBM-OLEDs): 硅基多孔硅分布 Bragg 反射镜(PS-DBR)/SiO2/ITO/有机多层膜/LiF/Al(1 nm)/Ag. 微腔器件的重要组成部分 PS-DBR 由低成本、高效率的电化学腐蚀方法制备. 场发射扫描电子显微图清晰显示: SBM-OLEDs 具有纳米级层次结构和平整的界面. PS-DBR 反射谱的阻止带宽 160 nm, 且反射率达 99%.SBM-OLEDs 的反射谱中出现了标志此结构为微腔的共振腔膜. 在绿光和红光波段, 从 SBM-OLEDs 中都得到了改进的电致发光(EL)谱: 绿光(红光)EL 谱的半高宽可由无微腔的 83 nm (70 nm)窄化为有微腔时的 8 nm (12 nm), 且为单峰发射,微腔器件 EL 谱的色纯性有较大提高. 与非微腔器件相比, 发绿光和发红光的微腔在谐振波长处 EL的强度分别增强了 6倍和 4倍. 对微腔器件的电流-亮度-电压(I-B-V)特性和影响器件寿命的因素也进行了讨论.; 熊祖洪樊永良詹义强张松涛丁训民侯晓远; 关键词：多孔硅电化学腐蚀电致发光

晶体振荡器探头支撑结构: 本实用新型是一种真空镀膜系统中使用的晶体振荡器探头支撑结构,由探头托和探头架组成。现有技术的探头固定在真空系统中,要更换晶体振荡片时需要打开真空系统,十分不便。本实用新型把晶体振荡器固定在探头托上,从探头托引出引线柱,将...; 侯晓远吕明何钧廖良生邓振波周翔熊祖洪钟高余张松涛何劲; 文献传递

电致发光色纯性增强的硅基有机微腔被引量：11: 2003年; 报道了硅基有机微腔的电致发光 (EL) .该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成 .半透明金属膜由Ag( 2 0nm)构成 ,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜 .有源多层膜由Al ( 1nm) LiF( 0 5nm) Alq3 Alq3:DCJTB NPB CuPc ITO SiO2 组成 ,其中的Al LiF为电子注入层 ,ITO为正电极 ,SiO2 为使正、负电极电隔离的介质层 .该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的 ;该PS DBR的反射谱的高反射区 (阻止带 )宽 160nm且其反射率可达 99% .此硅基有机多层膜的反射谱图中出现了标志此结构为微腔的共振腔膜 .被测样品EL谱的半高宽可由无微腔的 70nm窄化为有微腔时的 12nm ,且为单峰发射 ,非共振模得到有效抑制 ;与非微腔器件相比 ,该微腔在谐振波长处EL的强度增强了 4倍 ;对微腔器件的电流 -亮度 -电压特性以及影响器件寿命的因素也进行了讨论 .; 熊祖洪史华忠樊永良张松涛詹义强何钧钟高余徐少辉柳毅王晓军王子君丁训民黄维侯晓远; 关键词：电致发光电化学腐蚀