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张椿

作品数：8 被引量：15H指数：3
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇硅片
  • 3篇单晶
  • 2篇电路
  • 2篇抛光片
  • 2篇集成电路
  • 2篇键合
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅片键合
  • 2篇硅
  • 2篇IC
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶拉制
  • 1篇电压
  • 1篇电压测量
  • 1篇英寸
  • 1篇原位
  • 1篇原位观察
  • 1篇直接键合
  • 1篇少子扩散长度
  • 1篇损伤层

机构

  • 8篇北京有色金属...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 8篇张椿
  • 6篇屠海令
  • 6篇周旗钢
  • 5篇朱悟新
  • 4篇尤重远
  • 4篇王敬
  • 3篇刘安生
  • 2篇常青
  • 2篇刘峥
  • 2篇翟富义
  • 2篇冯仪
  • 1篇李建明
  • 1篇张厥宗
  • 1篇高玉芬
  • 1篇孙燕

传媒

  • 4篇稀有金属
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察被引量：3
1998年
采用高压电子显微镜（ＨＶＥＭ）的原位观察技术，在１ＭＶ加速电压和室温至６５０℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在５００℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在６５０℃保温时，缺陷的密度逐渐降低，样品中薄区域部分的缺陷在保温２０ｍｉｎ后消失，而厚区域部分在保温４０ｍｉｎ后仍存有部分缺陷，说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象。
王敬屠海令刘安生张椿周旗钢朱悟新高曰文李建明
关键词：硅离子注入氢
2-3微米IC用φ125毫米(5in)硅单晶(片)
屠海令张椿尤重远周旗钢常青冯仪朱悟新等
1.成果内容简介：集成电路作为战略性的基础工业，其技术水平和产业规模，已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的主要标志。半导硅体材料是集成电路等电子产品的最重要、最基础的功能材料。中国生产的硅单晶及片的直径主要为...
关键词：
关键词：晶体生长集成电路材料单晶硅单晶
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究
1996年
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经过高温（大于１０５０℃）氧化后的ｐ...
刘峥翟富义张椿尤重远
关键词：硅片吸除集成电路
P〈111〉硅磨片表面损伤的研究被引量：5
1997年
Ｐ〈１１１〉硅磨片表面损伤的研究刘峥翟富义张椿尤重远（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅片损伤层位错１引言自５０年代中期以来，一直进行着硅单晶片表面质量方面的研究工作。观测晶片表面机械损伤层的深度，性质及其在高温工艺过程中的变化等工作...
刘峥翟富义张椿尤重远
关键词：硅片损伤层位错单晶硅
2-3μmIC用φ5英寸硅单晶(片)研制
屠海令张椿尤重远周旗钢常青冯仪朱悟新高玉芬张厥宗
为提高集成度和降低制造成本，要求硅单晶直径不断增大，并对其杂质和晶体完整性的要求越来越高。但直径增大，必然增加大投料量，带来的是热容量增大，拉晶时间延长，熔体与石英坩埚反应变大，晶体生产热历史对晶体质量的影响更大，生长出...
关键词：
关键词：硅单晶单晶拉制硅抛光片
SOI键合材料的TEM研究
1998年
用横断面透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了用键合方法获得的ＳＯＩ材料的界面结构。绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀，Ｓｉ膜／ＳｉＯ２以及ＳｉＯ２／Ｓｉ基体的界面平直且结合紧密，在界面上没有观察到缺陷和孔洞。
王敬屠海令刘安生周旗钢朱悟新张椿
关键词：硅片键合SOI微结构TEM
硅片的直接键合被引量：5
1998年
介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理。
王敬屠海令刘安生张椿周旗钢朱悟新
关键词：硅片硅片键合直接键合
表面光电压测量P型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的研究被引量：3
1999年
表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用 .本文简述了该方法的测量原理 ,给出了直径 1 2 5mm硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据 ,讨论了生产工艺对硅抛光片表面质量的影响 .
屠海令朱悟新王敬周旗钢张椿孙燕
关键词：表面光电压法硅抛光片少子扩散长度
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