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张芹

作品数：17 被引量：23H指数：3
供职机构：交通大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划河南省教育厅自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 5篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 7篇超导
  • 3篇双钙钛矿
  • 3篇陶瓷
  • 3篇陶瓷管
  • 3篇硼化镁
  • 3篇屏蔽室
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体结构
  • 3篇二硼化镁
  • 3篇钙钛矿
  • 3篇超导屏蔽
  • 3篇磁场屏蔽
  • 3篇磁屏蔽
  • 3篇磁阻
  • 2篇导电
  • 2篇导体
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁性质
  • 2篇电泳
  • 2篇氧化物

机构

  • 12篇中国科学院
  • 3篇河南师范大学
  • 3篇交通大学
  • 1篇信阳师范学院
  • 1篇黔西南民族师...

作者

  • 15篇张芹
  • 7篇王淑芳
  • 7篇周岳亮
  • 6篇吕惠宾
  • 6篇杨国桢
  • 6篇陈正豪
  • 5篇朱亚彬
  • 4篇饶光辉
  • 4篇肖荫果
  • 4篇刘广耀
  • 4篇陈景然
  • 3篇张毅
  • 3篇梁敬魁
  • 3篇路庆凤
  • 3篇许加迪
  • 2篇胡艳春
  • 2篇张星
  • 2篇李静波
  • 2篇徐勇光
  • 2篇朱亚斌

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇低温与超导
  • 1篇信阳师范学院...
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇第七届全国超...
  • 1篇2006年中...

年份

  • 2篇2008
  • 3篇2006
  • 5篇2004
  • 4篇2003
  • 1篇2002
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
(NdxR1-x)3Fe24Cr5（R=Gd,Tb）金属间化合物的结构与磁性
本文对（NdxR1-x）3Fe24Cr5（R=Gd,Tb）金属间化合物的晶体结构和磁性用X射线衍射和磁测量的方法进行了研究。X射线粉末衍射表明它们均为单斜Nd3（Fe,Ti）29结构,属于A2／m空间群。两种化合物中,晶...
肖荫果饶光辉张芹刘广耀张毅陈景然梁敬魁
关键词：晶体结构居里温度饱和磁化强度
文献传递
Mg掺杂p-型GaN半导体的热力学模型化
采用四亚点阵模型对Mg掺杂p-型GaN中掺杂Mg、H、点缺陷和载流子进行了热力学描述。以第一性原理计算结果为基础,通过实验数据的热力学优化得到物种的特征热力学函数,计算与实验符合较好。利用优化得到的热力学数据对Mg掺杂p...
李静波饶光辉张毅刘广耀张芹肖荫果陈景然梁敬魁
关键词：热力学分析
文献传递
超导磁场屏蔽室
本实用新型涉及超导磁场屏蔽窒，该屏蔽室包括：一空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管和顶盖；其特征在于：在所述的空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管内壁有一均匀致密的MgB<Sub>2</Sub>膜，在该管端口盖有用MgB<S...
张芹许加迪周岳亮朱亚彬王淑芳陈正豪吕惠宾杨国桢
文献传递
制备温度对MgB_2薄膜超导电性的影响被引量：4
2002年
报道了用两步法制备MgB2 超导薄膜 .首先利用脉冲激光沉积技术制备B膜 ,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理 ,通过扩散反应生成MgB2 超导薄膜 .采用扫描电子显微镜、x射线衍射、电阻测量和磁测量技术分析了前驱物B膜的制备温度对扩散产物MgB2 薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度和临界电流密度的影响 .结果表明 ,随着B膜制备温度的降低 ,MgB2 薄膜中晶粒粒度减小、c取向的衍射线宽化、超导转变温度升高、临界电流密度增大 .30 0℃时制备的MgB2 超导薄膜的超导起始转变温度为 39 5K ,临界电流密度为 1 3× 10 7A·cm- 2 (0T ,15K) .
王淑芳朱亚彬张芹周岳亮陈正豪吕惠宾杨国桢
关键词：超导电性MGB2超导薄膜脉冲激光沉积基片温度
巨磁阻材料Sr1.9Gd0.1FeMoO6光掺杂的正电子湮没研究
2008年
采用固相反应法制备Sr1.9Gd0.1FeMoO6样品,通过X射线衍射检验其为单相.在光照10、20、30、40 min后分别做了正电子湮没实验.研究了正电子寿命与光掺杂量之间的变化关系,分析了光掺杂对样品电子结构的影响.结果表明:正电子寿命参数对光掺杂量十分敏感,1τ、2τ随光照时间具有相同的变化趋势;在光照时间t>20 m in时,平均电子浓度随光照时间有明显的变化;持续的光掺杂使样品缺陷的平均尺寸相对减小,可能由微空洞、多空穴向双空穴或单空穴转变,使电子结构趋于有序化.
胡艳春路庆凤陈敬东张星徐勇光张芹
关键词：正电子湮没
TCF7L2基因多态性与中国人群2型糖尿病发病风险的关联性
目的探讨微卫星(DG10S478)的多态性是否与中国2型糖尿病人群相关。方法利用ABI3700测序仪对 466例2型糖尿病患者和450例正常人的微卫星(DG10S478)进行测序分型,并进行与2型糖尿病的关联分析。结果在...
李文毅骆天红张宏利徐佳张芹张贤玲许丽红赵萸李果罗敏
文献传递
MgB2带材的超导电性与制备温度的关系
2003年
报导了利用电泳技术在不锈钢基底上制备 Mg B2 超导带材。采用扫描电子显微镜、X射线衍射、电测量和磁测量技术 ,分别研究了后退火温度对带材表面形貌、晶体结构、超导转变温度和临界电流密度的影响。结果表明 ,随着后退火温度的升高 ,Mg B2 带材的结晶情况逐渐变好 ,超导转变温度升高、转变宽度变窄。 90 0℃下制备的带材的临界电流密度为 6× 10 5A/ cm2 (5 K,0 T)。
张芹朱亚彬王淑芳路庆凤周岳亮
关键词：超导电性温度电泳技术
利用电泳法在金属基底上制备MgB_2超导厚膜被引量：10
2003年
利用电泳技术在高熔点金属基底Ta,Mo和W上制备MgB2 超导厚膜 .厚膜中的MgB2 晶粒结合紧密 ,粒度小于1μm ,呈随机取向生长 .电阻测量表明沉积在Ta ,Mo,W上的MgB2 厚膜的超导起始转变温度分别为 3 6.5K ,3 4.8K ,3 3 .4K ,对应的转变宽度为 0 .3K ,1.5K和 2 .0K .三种基底上制备的MgB2 厚膜的临界电流密度在不同温度下随外磁场的变化情况基本相同 ,MgB2 Mo厚膜的临界电流密度在 5K ,1T时可达 1.2× 10 5A cm2 .本工艺可以随意控制膜的厚度、形状、大小 ,也可进行双面沉积 ,且制备出的MgB2 厚膜的超导性能优良 ,为MgB2
王淑芳朱亚斌张芹刘震周岳亮陈正豪吕惠宾杨国桢
关键词：电泳法超导体
V替代对Sr2FeMoO6电磁性质的影响
本文系统研究了V替代Fe对Sr2FeMoO6的晶体结构和电磁特性的影响。结构精修表明V的掺入降低了B位有序度;电测量结果显示,Sr2FeMoO6及低掺杂量的样品呈半导体性,V含量较高的样品在低温呈半导体特性,而在高温呈金...
张芹饶光辉肖荫果董汇泽刘广耀张毅陈景然
关键词：双钙钛矿RIETVELD结构精修磁阻
文献传递
超导磁场屏蔽室及制备方法
本发明涉及超导磁场屏蔽室及制备方法，该屏蔽室包括：一空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管和顶盖；其特征在于：在所述的空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管内壁有一均匀致密的MgB<Sub>2</Sub>膜，在该管端口盖有用Mg...
张芹许加迪周岳亮朱亚彬王淑芳陈正豪吕惠宾杨国桢
文献传递
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