彭华厦
- 作品数：10 被引量：29H指数：3
- 供职机构：南昌大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺化学工程动力工程及工程热物理电气工程更多>>
- 多晶硅定向凝固过程中晶体内热应力场的数值模拟被引量：1
- 2015年
- 通过基于有限元方法的Comsol Multiphysics 4.3a软件模拟了多晶硅定向凝固过程中的热应力场,分析了炉膛内温度梯度,以及坩埚底部不同倒角半径对晶体内热应力的影响。结果表明:多晶硅晶体中存在两个高热应力区,热应力最大值出现在晶体底部边缘,其次为靠近晶体顶部边缘处。当炉腔内温度梯度从3 K/cm增加到6 K/cm时,晶体内热应力的平均值从34.18 MPa增加到了56.75 MPa,热应力的平均值增加了66.03%。随着温度梯度的增加,晶体内热应力平均值增长幅度逐渐减小。当坩埚底部倒角半径从10 mm增加到20 mm时,晶体内热应力的平均值从78.12 MPa减小到了63.25 MPa,热应力的平均值减小了19.03%。随着坩埚底部倒角半径的增加,晶体内热应力平均值减小幅度逐渐降低。
- 罗玉峰宋华伟张发云胡云彭华厦刘杰
- 关键词：多晶硅热应力温度梯度数值模拟
- 轴向磁场下多晶硅铸造过程的仿真模拟被引量：11
- 2013年
- 利用多物理场耦合分析软件COMSOL Multiphysics4.2对多晶硅铸造过程进行模拟仿真,得到轴向磁场作用下多晶硅定向生长过程中的流场和温度场分布,以及磁场对坩埚内流场和温度场的影响,并分析了磁场作用机理,为磁场在多晶硅生产中的应用提供了参考依据。
- 罗玉峰袁文佳张发云胡云彭华厦
- 关键词：轴向磁场多晶硅数值模拟流场温度场
- 染料敏化太阳电池石墨/聚苯胺复合对电极的低温制备和性能被引量：3
- 2015年
- 通过低温制备(120℃)构建出不同比例石墨/聚苯胺复合对电极,分析了复合对电极组装的染料敏化太阳电池(DSCs)的光电性能,并通过X射线衍射仪、傅里叶红外光谱仪、电化学交流阻抗法和循环伏安法等表征方法探讨了光电性能变化的内在原因,同时探讨了复合对电极中引入镍纳米颗粒对DSCs光电性能的影响。结果表明:在对电极中,聚苯胺质量含量25%的复合对电极对I_3^-/I^-氧化还原反应具有更佳的催化活性,其DSCs短路电流密度、开路电压分别达到7.41mA·cm^(-2),和0.595V,其DSCs光电转换效率最大为2.193%,与纯石墨对电极和纯聚苯胺对电极时相比,光电转换效率分别提高了86.6%和45.3%。添加镍纳米颗粒后,导致复合对电极串联电阻的增加以及催化活性的弱化,最终促使相应器件的四个光电性能参数均有不同程度的下降。
- 罗玉峰刘茜茜徐顺建钟炜肖宗湖罗永平欧慧黄勇彭华厦
- 关键词：染料敏化太阳电池对电极石墨聚苯胺
- 坩埚形状对多晶硅定向凝固热流场的影响被引量：2
- 2014年
- 采用Comsol Multiphysics模拟软件研究了三种不同形状的坩埚(圆形、底部凹形及倒锥形)对多晶硅定向凝固过程中热场及流场的影响。结果显示:圆形和底部凹形坩埚内熔体的热场差异不大,而与这两种坩埚相比,倒锥形的坩埚可以得到更加均匀的热场分布及平直的固液界面;三种坩埚内熔体底部及侧壁区域的热对流变化基本相同,但熔体中心区域不同;圆形及底部凹形坩埚内中心区域的热对流较弱,而倒锥形坩埚内熔体中心区域的热对流较强,这在一定程度上有利于熔体内杂质的排出。
- 罗玉峰饶森林张发云彭华厦王发辉
- 关键词：多晶硅定向凝固速度场数值模拟
- 磁场应用在硅晶体生长过程中的研究进展被引量：4
- 2013年
- 论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状。另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为和数值模拟作了简要介绍,并展望了磁场应用于硅晶体生长的发展前景。
- 张发云罗玉峰李云明王发辉胡云彭华厦
- 关键词：多晶硅磁场数值模拟
- 多晶硅定向凝固过程中热电磁流动的数值模拟
- 2014年
- 采用基于有限元分析方法的COMSOL 4.3a多物理场仿真软件,模拟了稳恒磁场作用下,硅熔体在多晶硅定向凝固过程中热电磁流动的变化规律。结果表明,当0≤B<0.4T时,硅熔体流动区域以及平均流速随着磁感应强度的增大而增大,磁场对硅熔体的流动起促进作用;当磁感应强度为0.4T时,平均流速最大值为60.15μm/s,硅熔体流动能力最强;当0.4T
- 罗玉峰宋华伟张发云胡云彭华厦饶森林
- 关键词：多晶硅定向凝固数值模拟
- 稳恒磁场对多晶硅定向凝固晶体生长的影响被引量：1
- 2015年
- 采用基于有限元方法的Comsol 4.3a软件,对有、无稳恒磁场作用时多晶硅定向凝固晶体生长过程进行了模拟分析。根据模拟结果,阐明了稳恒磁场对硅熔体的流场、热场以及固液界面形状的影响。数值计算表明:与未添加磁场相比,施加稳恒磁场后,硅熔体的流动区域变小,最大流速从70.793μm/s下降到了60.623μm/s,减少了14.37%,硅熔体上表面的紊波受到了抑制;硅熔体的轴向温差下降了1/3,径向温差增大了1/3;硅熔体的固液界面趋于平坦,有利于多晶硅晶体生长。
- 罗玉峰宋华伟张发云胡云彭华厦饶森林
- 关键词：多晶硅磁场流场
- 多晶硅铸锭炉热场结构的改进与模拟被引量：7
- 2014年
- 在多晶硅铸锭炉内采用了凹坑坩埚和凹坑坩埚平台组合的改进结构,并结合COMSOL4.3a模拟软件对改进前后的热场做了对比分析。结果表明:与改进前相比,在改进后的热场结构中,硅熔体结晶界面趋于平坦,等温线更加均匀,熔体轴向温度梯度增加了大约2 K/cm,有利于柱状晶的生长;硅熔体对流强度增大,可以使溶质分布更加均匀;GL/VS变大、溶质边界层厚度减小,有利于阻碍结晶界面前沿发生组分过冷,进一步抑制结晶界面细晶的产生。
- 罗玉峰宋华伟张发云饶森林彭华厦王发辉
- 关键词：多晶硅数值模拟
- 稳恒磁场对多晶硅定向凝固结晶阶段流速场的影响
- 2015年
- 采用有限元Comsol 4.3a软件对多晶硅定向凝固结晶阶段3个时期(前期、中期、后期)坩埚内硅熔体的流速场进行数值模拟,并与不同磁场强度下的硅熔体流速场进行了对比分析。结果表明,硅熔体的平均流速随着结晶时间的延长而减小,从初期的38μm/s减小到后期的16μm/s,下降了57.89%。施加磁场后,硅熔体的平均流速随着磁场强度的增大而减小:结晶初期、中期和后期,硅熔体的平均流速分别减小了42.11%、58.59%和45.16%。结晶阶段3个时期分别施加磁场强度为0.6、0.4、0.2 T时,磁场对硅熔体的对流抑制作用最为明显。
- 罗玉峰宋华伟张发云彭华厦胡云饶森林
- 关键词：多晶硅磁场流速场数值模拟
- 轴向磁场对多晶硅定向凝固过程中热流场的影响
- 2015年
- 采用Comsol 4.3a软件建立了轴向磁场作用下多晶硅定向凝固的二维轴对称模型,通过有限元方法将硅熔体中的电磁场、温度场和流速场进行了耦合数值计算。结果表明:当磁场线圈中心面位于熔体中心面下方60 mm处时,其磁场线高密度集中在熔体中心面下方强浮力对流区域,且均匀分布。此时硅熔体的最大流速为41μm/s,相比磁场线圈位于熔体中心面上方60 mm处的流速场减小了41.43%。随着磁场强度的增加,硅熔体中等温线越来越稀疏。与未施加磁场相比,轴向温度梯度减小了15 K/cm,硅熔体中的晶体生长速率增加。硅熔体温度梯度与晶体生长速率之比GL/Vs值变小会使得其结晶前沿界面产生组分过冷,导致细晶的生成,这方面有待于进一步的研究。
- 宋华伟罗玉峰张发云胡云彭华厦刘杰
- 关键词：多晶硅磁场温度场流速场
