惠恒荣
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 高性能α-Si:H FET的电荷控制分析与研制
- 1990年
- 为制备高输出性能的 α-Si∶H FET,本文运用电荷控制理论分析了器件的输出电流、开关比及场效应迁移率对材料和结构参数的依赖关系。根据分析结果设计并制备了沟道宽长比高达10~3的α-Si∶H MNS FET 样品,其输出电流达 mA 数量级。
- 惠恒荣广国庆艾亚男
- 关键词：电荷控制沟道输出电流
- Al/a-Si:H肖特基势垒效应
- 1989年
- 利用辉光放电分解SiH_4的方法制备了三种不同的Al/a-Si:H肖特基势垒结构样品,并测试了它们的I-V和C-V特性.从I-V曲线得到开启电压为0.32V,双肖特基结构的高频C-V特性显示出在高偏压下异常.
- 惠恒荣胡思福高正新马元良何兴福
- 关键词：AIA-SI:H肖特基势垒二极管
- 全文增补中
- 用于汽车控制系统的a-Si:H薄膜温度传感器
- 1989年
- 本文介绍了一种成本低廉、灵敏度高的新型氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜温度传感器的工作原理、样品结构和制备方法。同时还报导了作者对这种传感器研制的初步结果。
- 惠恒荣秦学超李建强恽正中
- 关键词：A-SI:H汽车控制系统氢化非晶硅衬底材料气敏传感器
- α-Si:H多层膜切面电镜观察分析
- 1990年
- 本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积和刻蚀一对对抗性矛盾,在常规工艺下各层界面不明显存在,在特殊条件下,可能生长出尺度不同的微晶镶嵌在非晶网络中。
- 惠恒荣徐玉辉唐方奎
- 关键词：多层膜扫描电镜
- 离子注入α-Si∶H肖特基势垒的研究
- 1989年
- 本文采用辉光法和离子注入技术制备了五种不同结构的a-Si∶H肖特基势垒,测试了这些结构的电流—电压特性,计算了各种样品的势垒高度。结果表明:当a-Si∶H掺杂浓度足够大时,电流—电压关系将出现“反转”,提高a-Si∶H中的杂质浓度或在本征a-SI∶H中注入Zn+离子均可降低势垒高度;作者予言,掺入金属元素使a-Si∶H半金属化,可望进一步降低肖特基势垒高度。
- 惠恒荣马秉仁秦学超
- 关键词：氢化非晶硅肖特基势垒离子注入
- 引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容
- 1990年
- 本文研制了两种引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容,其一是作为辅助介质引入的,其二是为了改善Si/Si_3N_4界面而引入的,文章报导了这两种电容的研制工艺及样品的各种性能,其结果表明,这类电容有希望应用于厚薄膜集成电路。
- 惠恒荣吴爱兰张东升五室
- 关键词：集成电路氮化硅芯片电容
- a—Si：HFET特性理论新分析及验证
- 1989年
- 本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φGS与表面电势φS 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合.
- 惠恒荣卢波
- 关键词：A-SI:HFET
