您的位置： 专家智库 > >

曹磊

作品数：52 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 24篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 31篇半导体
  • 22篇半导体器件
  • 16篇叠层
  • 15篇堆栈
  • 14篇纳米
  • 13篇晶体管
  • 11篇纳米片
  • 8篇电流
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇工作电流
  • 6篇沟道
  • 5篇堆叠
  • 5篇栅极
  • 5篇刻蚀
  • 5篇寄生电容
  • 5篇侧墙
  • 4篇电子设备
  • 4篇铁电
  • 4篇鳍片

机构

  • 44篇中国科学院微...
  • 1篇嘉兴联星微电...
  • 1篇江苏物联网研...
  • 1篇嘉兴禾润电子...

作者

  • 44篇曹磊
  • 42篇殷华湘
  • 40篇张青竹
  • 5篇李永亮
  • 5篇李俊杰
  • 4篇王文武
  • 4篇罗军
  • 3篇叶甜春
  • 3篇张永奎
  • 2篇许高博
  • 1篇李俊峰
  • 1篇马成炎
  • 1篇熊文娟
  • 1篇张静
  • 1篇卢一泓

传媒

  • 1篇信息技术

年份

  • 7篇2025
  • 17篇2024
  • 11篇2023
  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2013
共 52 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
半导体器件及其制备方法、电子设备
本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，该半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、环绕式栅极、源漏功能部和第一侧墙，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括多个沟道层，沟道层的长度方向垂直于衬底的厚度方向，沟道层包括沿长度方...
张青竹蒋任婕桑冠荞李庆坤曹磊王鹏殷华湘
一种半导体器件的制备方法及半导体器件
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是由第一半导体形成的，纳米片是由第二半导体形成的，支撑结构的宽度小于纳米片的宽度；环绕式栅极，其...
张青竹殷华湘曹磊张兆浩顾杰田佳佳李俊杰姚佳欣李永亮张永奎吴振华赵鸿滨罗军王文武屠海令叶甜春
一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法
本发明涉及一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法。一种晶体管中鳍的制作方法，其包括：在衬底上外延半导体层；利用侧墙转移技术将所述半导体层刻蚀成鳍状部；用臭氧氧化所述鳍状部的侧壁，在侧壁形成氧化膜；利用原子层刻蚀法刻蚀...
李俊峰王鹏桑冠荞曹磊蒋任婕李庆坤张青竹殷华湘罗军卢一泓熊文娟
一种空气内侧墙纳米片环栅晶体管及其制造方法
本发明涉及一种具有空气内侧墙的GAAFET器件及其制备方法，本发明在环栅晶体管的制造中采用非晶硅(或多晶硅)临时侧墙与非晶硅(或多晶硅)临时侧墙去除工艺，并利用纳米片沟道释放和原子层淀积(ALD)/CVD/PVD工艺形成...
曹磊殷华湘张青竹姚佳欣
垂直叠置半导体器件的制备方法和垂直叠置半导体器件
本公开提供了一种垂直叠置半导体器件的制备方法和垂直叠置半导体器件。该制备方法包括：在衬底上依次设置下部叠层结构、中间层和上部叠层结构；对下部叠层结构、中间层和上部叠层结构连同衬底的上部进行构图；在衬底上形成沿与第一方向相...
殷华湘张青竹曹磊李庆坤
一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件
本发明涉及一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件，具体为提供基底，在基底上形成基础鳍片结构，在所示基础鳍片上形成第一堆栈部和第二堆栈部，第二堆栈部竖直地堆栈在所述第一堆栈部上；所述第一堆栈部具有至少一个I型沟...
罗彦娜殷华湘吴振华张青竹曹磊
堆叠纳米片围栅场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管
本申请公开了一种堆叠纳米片围栅场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管。该制备方法包括：在衬底上沉积形成叠层，叠层包括交替层叠设置的多个硅材料纳米片层与多个硅合金层；刻蚀硅合金层形成第一回缩腔，第一回缩腔位于相邻两个硅材料纳...
张青竹 张渼菏 李恋恋 李庆坤 王兴华曹磊 桑冠荞 蒋任婕 王鹏殷华湘
蚀刻液和半导体器件的制备方法
本申请公开了一种蚀刻液和半导体器件的制备方法，该蚀刻液用于刻蚀氮化硅，该蚀刻液包括磷酸溶液和有机溶剂，有机溶剂包括烯丙基三甲氧基硅烷有机溶剂和乙烯基三甲氧基硅烷有机溶剂中的一者。应用本申请提供的蚀刻液制备的半导体器件的良...
张青竹李恋恋殷华湘王鹏蒋任婕张渼荷曹磊李庆坤
一种半导体器件及其制备方法
本申请提供一种半导体器件及其制备方法，在衬底表面的一侧外延生长超晶格叠层；刻蚀形成多个鳍片；在鳍片上沉积假栅；淀积并刻蚀形成栅极第三侧墙，刻蚀鳍片两端至衬底表面，在刻蚀后鳍片的两端形成内侧墙；对第二半导体层进行导电元素掺...
姚佳欣曹磊李庆坤张青竹殷华湘
一种错层单元及其制备方法
本公开提供了一种错层单元及其制备方法，可以应用于半导体技术领域。该错层单元包括：在衬底上表面沿第一水平方向各自排布的第一组场效应晶体管和第二组场效应晶体管；包围衬底、第一组场效应晶体管和第二组场效应晶体管的居间介质层；与...
殷华湘曹磊张青竹姚佳欣
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0