曾庆希
- 作品数：15 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学更多>>
- 低杂波电流驱动下硬X射线轫致辐射的测量与研究被引量：3
- 1997年
- 用新研制的碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器，测量来自等离子体芯部，其能量范围在１５—１５０ｋｅＶ之间的Ｘ射线轫致辐射。当用２００—３００ｋＷ、２．４５ＧＨｚ、９０ｏ相位角和Ｎ‖＝２．７的低杂波进行电流驱动时，硬Ｘ射线辐射强度在垂直于磁轴的方向上是减少的；但在磁轴切线方向上，孔栏的轫致辐射［用碘化钠（ＮａＩ）探测器测量］是增加的。Ｘ射线能谱测量表明，在低杂波电流驱动（ＬＨＣＤ）情形下，出现非麦克斯韦分布的高能尾部电子，其垂直能量最高可达１５０ｋｅＶ，尾部电子温度（垂直）在１５—３０ｋｅＶ之间。
- 杨进蔚张光阳曾庆希张炜齐昌伟
- 关键词：X射线轫致辐射电流驱动
- 分时高速S％(L％)软X射线能谱仪测量高温等高子体的电子温度和重金属杂质含量
- 叙述了用三探头S％(L％)漂移探测器测量HL-1M托卡马克等离子体辐射的软X射线能谱，得到等离子体温度以及重金属杂质水平随时间变化，自4096道快速分时多道分析器，其时间分辨可达50ms，每次放电可测16个谱，每个谱25...
- 张光阳张炜曾庆希张进蔚
- 碘化汞探测器及其对HL-1M装置中X射线辐射测量被引量：4
- 1997年
- 本文叙述新研制的以高纯度碘化汞晶体为基片的低噪声、高探测效率、高计数率、较高能量分辨率，常温状态下运行的ＨｇＩ２半导体探测器的特点，以及特制的电荷灵敏前放和主放大器组成的探测系统对ＨＬ－１Ｍ托卡马克在欧姆加热、低杂波电流驱动、外加径向电场以及激光吹气掺杂等实验条件下，来自等离子体心部的硬Ｘ射线辐射进行测量，得到辐射强度和能谱随时间的变化等实验结果，并对实验结果作了初步的解释。
- 杨进蔚张光阳张炜曾庆希李正辉李伟堂
- 关键词：半导体探测器轫致辐射X射线
- 分时高速Si(Li)软X射线能谱仪测量高温等离子体的电子温度和重金属杂质含量
- 本文叙述了用三探头Si(Li)漂移探测器测量HL—1M托卡马克等离子体辐射的软X射线能谱,得到等离子体温度以及重金属杂质水平随时间变化,自制4096道快速分时多道分析器,其时间分辨可达50ms,每次放电可测16个谱,每个...
- 杨进蔚曾庆希张炜张光阳
- 文献传递
- 低杂波电流驱动中的雪崩逃逸增强及鱼骨不稳定性
- 2002年
- 等离子体中存在的一定数量的高能逃逸电子 (E≥ 1MeV)通过大角度库仑散射从等离子体中碰撞出二次电子 ,二次电子被低杂波有效地加速成为逃逸电子 ,这些逃逸电子又被正反馈回等离子体 ,形成雪崩现象。在此过程中 ,一部分获得较大横向动量的二次电子或由低杂波驱动的高能电子可能被香蕉轨道捕获 ,这些被捕获在磁岛中的电子与某种模式的磁场扰动共振时 。
- 杨进蔚曾庆希张炜刘仪唐年益曹建勇
- 关键词：低杂波电流驱动等离子体受控核聚变
- 5×1024×10高速核辐射能谱获取系统研制被引量：2
- 2003年
- 在磁约束聚变实验装置的物理实验中,为了测量高温等离子体辐射的某特定能量区域的X射线或其他核辐射能谱的时、空分布,需要在托卡马克的极向和环向方向布置多台X射线探测器,每次放电可同时获得数十个能谱,为了不牺牲能谱中的重要信息(如线辐射),以及能量分辨的需要,要求每个能谱有1024道,每个谱采集的时间分为:40、80、160、240ms,可自由设定,每道容量16位,每次放电可同时获得50个能谱,可扩展到80个能谱。
- 杨进蔚潘大金张炜曾庆希曾建勇
- 关键词：托卡马克装置X射线
- 10～150keVX射线碘化汞探测器阵列研制被引量：2
- 2001年
- 碘化汞半导体探测器阵列具有低噪声水平、高探测效率、高计数率、较高的能量分辨率、常温下运行的特点 ,用它研制成功的 5通道阵列因去掉体积庞大且费用昂贵的液氮冷却系统很适合观察HL- 1M托卡马克在各种放电条件下 ,超热电子和低能逃逸电子引起的其能量在 10～ 150 ke V范围内 X射线辐射强度的时空变化及超热电子辐射的 X射线能谱 。
- 杨进蔚曾庆希张炜董家富李正辉李伟堂
- 关键词：X射线辐射半导体探测器托卡马克装置
- HL-1M装置器壁硅化对电子速率分布的影响被引量：1
- 1999年
- 在欧姆加热和低混杂波电流驱动（ＬＨＣＤ）条件下，利用碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器和碘化钠（ＮａＩ）探测器测出了ＨＬ－１Ｍ装置的Ｘ射线能谱，研究了器壁硅化前后电子速率分布和电子温度变化的特点。
- 杨进蔚曾庆希张炜
- 关键词：托卡马克
- HL-1M装置电子回旋加热过程中的超热电子测量被引量：1
- 2004年
- 在HL 1M托卡马克上进行的电子回旋共振加热实验表明,在低等离子体密度加热过程中,产生大量的超热电子。由Si(Li)和碘化汞(HgI2)半导体探测器阵列测量到的软X射线和中能(15～150keV)X射线能谱,得到超热电子的温度在30～60keV范围内。中能X射线辐射强度测量结果证实,等离子体对电子回旋波的吸收是定域性的。在超热电子对MHD的相互作用中,主要的m n=2 1模没有增强或抑制现象。
- 杨进蔚张炜曾庆希
- 关键词：HL-1M装置高能物理实验电子回旋共振加热超热电子X射线辐射撕裂模
- HL-1M装置中超热电子的X射线辐射测量被引量：4
- 2000年
- 用新研制的五通道碘化汞 ( Hg I2 )半导体探测器阵列分别观测了在欧姆加热、弹丸注入及离子回旋共振加热 ( ICRH)条件下 ,HL- 1M等离子体中的超热电子引起的能量在 10～ 15 0 ke V范围内的 X射线辐射强度的时空变化 ,及超热电子辐射的 X射线能谱。结果显示 ,在 ICRH期间 ,等离子体边缘的 X辐射增强 ,超热电子的温度大约为 30 ke V,ICRH的能量沉积在等离子体边缘。
- 杨进蔚曾庆希张炜董贾福肖正贵陆志鸿郑银甲
- 关键词：X射线辐射HL-1M装置超热电子
