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Influence of Al Composition on Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterostructures: 2006年; Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases （2DEG） in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in high magnetic fields. It is found that heterostructures with a lower Al composition in the barrier have lower 2DEG concentration and higher 2DEG mobility.; 唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩

半导体异质结二维电子气的磁输运特性研究: 半导体异质结二维电子气的磁阻振荡是由电子的量子效应引起的,反映朗道能级态密度在费米面处的变化。通过磁输运/(Transport/)测量来研究二维电子气的磁阻振荡,可以获得丰富的材料电学特性以及电子子带性质。本文主要通过深...; 朱博; 关键词：磁输运; 文献传递

Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应被引量：1: 2006年; 通过磁输运测量研究了Al0·22Ga0·78N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0·22Ga0·78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了二维电子气中不同的散射时间对温度的依赖关系,实验得到的非弹性散射时间与温度成反比,表明非弹性散射机理主要来源于小能量转移的电子-电子散射.; 朱博桂永胜周文政商丽燕郭少令褚君浩吕捷唐宁沈波张福甲; 关键词：二维电子气磁阻

单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性被引量：5: 2006年; 研究了双子带占据的In_(0·52)Al_(0·48)As/In_(0·53)Ga_(0·47)As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1·5T)下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d2ρ/dB2-1/B的快速傅里叶变换谱中,观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频(2f1)外,还观察到对温度不敏感的频率f1-f2.这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量,两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射.; 周文政姚炜朱博仇志军郭少令林铁崔利杰桂永胜褚君浩; 关键词：二维电子气

窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究: 2006年; 通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0·82Cd0·16Mn0·02Te/Hg0·3Cd0·7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化.而且改变磁场方向,可以分别调整塞曼分裂和朗道分裂.从对拍频的分析中,可以将依赖于磁场垂直方向的朗道能级分裂和依赖于整个磁场大小的塞曼分裂区分开来.; 朱博桂永胜周文政商丽燕仇志军郭少令张福甲褚君浩; 关键词：拍频

窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡被引量：1: 2006年; 通过对调制掺杂的n型Hg_(0.82)Cd_(0.16)Mn_(0.02)Te/Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究,发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中,可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道分裂和依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来.; 朱博桂永胜仇志军周文政姚炜郭少令褚君浩张福甲; 关键词：拍频

双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究被引量：1: 2007年; 研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrdinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.; 周文政林铁商丽燕黄志明朱博崔利杰高宏玲李东临郭少令桂永胜褚君浩; 关键词：二维电子气

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朱博