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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 1篇势垒
  • 1篇退火
  • 1篇量子
  • 1篇晶体
  • 1篇光增益
  • 1篇光子
  • 1篇光子晶体
  • 1篇反射率
  • 1篇XN
  • 1篇CDSE
  • 1篇ES
  • 1篇GA
  • 1篇GAAS量子...
  • 1篇LN
  • 1篇传输矩阵
  • 1篇粗糙度

机构

  • 3篇华南师范大学

作者

  • 3篇唐吉玉
  • 3篇李德钦
  • 3篇王茜
  • 3篇李培
  • 1篇崔婧
  • 1篇文于华
  • 1篇杨帆

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一维异质光子晶体MgF_2/CdSe的可见光波段研究
2014年
将MgF2/CdSe构建一维异质光子晶体,利用传输矩阵法,分析了电磁波在此结构中的带隙结构。计算结果表明:MgF2/CdSe一维异质光子晶体结构在可见光波段具有良好的反射性质。其非异质结构光子晶体带隙的耦合,能够克服多介质层非异质光子晶体带隙窄、受入射角影响大的困难,得到的475~556nm波段内不受入射角度和偏振模式影响的完全光子带隙,可作为可见光波段全反射镜很好的材料选择。
王茜唐吉玉杨帆李德钦李培
关键词:光子晶体反射率传输矩阵
ES势垒随台阶高度变化对薄膜生长的影响被引量:1
2013年
建立一个模拟薄膜三维生长的蒙特卡罗模型,模型中Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒随台阶高度不同而变化。模拟结果表明:考虑ES势垒时,随着基底温度升高和沉积速率的降低,薄膜的粗糙度越来越低,成膜质量越好;一层ES势垒和层间势垒差对薄膜生长机制和成膜质量都有影响。
李德钦唐吉玉崔婧李培王茜
关键词:粗糙度
退火后应变Ga_(1-x)ln_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱特性被引量:2
2014年
引入N原子周围In原子数r自建模型,研究退火对GaInNAs/GaAs量子阱能带结构和应变效应的影响,计算退火前后量子阱的光增益谱,讨论了退火温度和量子阱阱宽对光增益峰值蓝移的影响。结果表明退火使带隙发生蓝移,光增益峰值向短波方向移动,退火温度T越高,相同组分条件下的峰值蓝移越大。减小合金中N含量以及增加量子阱阱宽可减少增益峰值蓝移,从而降低退火带来的不利影响。
李培唐吉玉文于华王茜李德钦
关键词:退火光增益
共1页<1>
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