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李新华

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇原位生长
  • 1篇缺陷密度
  • 1篇位错
  • 1篇晶体薄膜
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇被覆

机构

  • 1篇中国科学院合...

作者

  • 1篇步绍姜
  • 1篇文龙
  • 1篇赵志飞
  • 1篇李新华
  • 1篇郭浩民

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法
本发明涉及一种Si基生长GaAs薄膜分子束外延的方法，使用分子束外延设备在预处理的Si(111)衬底上先自催化生长1μm的GaAs纳米柱，之后降低温度使Ga液滴固化，气-液-固机制（Vapor-Liquid-Solid,...
赵志飞李新华文龙郭浩民步绍姜
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