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李昱峰: 作品数：10 被引量：16H指数：2; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

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新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究: 2003年; 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面进行钝化并在低温下生长,从而增加表面吸附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点。从量子点样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿。; 曲宝壮朱勤生陈振陆大成韩培德刘祥林王晓晖孙学浩李昱峰陆沅黎大兵王占国; 关键词：量子点 MOCVD 共振隧穿 INGAN/GAN

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究被引量：2: 2003年; 降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明:InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥,其密度约1011cm-2。室温下,InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明,用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜,有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。; 李昱峰韩培德陈振黎大兵王占国刘祥林陆大成王晓晖汪度; 关键词：INGAN 发光特性微观形貌

钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性被引量：1: 2003年; 采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6 3×1010/cm2。随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性———超长红移现象。它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应。; 陈振韩培德陆大成刘祥林王晓晖李昱峰袁海荣陆沅黎大兵王秀凤朱勤生王占国; 关键词：INGAN 量子点

GaN的声表面波特性研究被引量：2: 2003年; 采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为40对,叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度,并通过计算得到了机电耦合系数(κ2)。所测量的声表面波速度(v)为5667m/s,机电耦合系数(κ2)为1 9%。; 严莉陈晓阳何世堂李红浪韩培德陈振陆大成刘祥林王晓晖李昱峰袁海荣陆沅黎大兵朱勤生王占国; 关键词：GAN 氮化镓机电耦合系数薄膜生长声表面波器件

铟镓氮薄膜的光电特性被引量：5: 2002年; 用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱为单峰 ,且峰值波长在 36 0～ 5 5 5 nm范围内可调 ;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合 ;并具有很高的电子浓度 .但 In Ga N薄膜的结晶质量却随着; 韩培德刘祥林王晓晖袁海荣陈振李昱峰陆沅汪度陆大成王占国; 关键词：MOVPE 光电特性

铟镓氮薄膜的MOCVD生长: 运用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上外延生长铟镓氮薄膜,该薄膜为单晶,其中铟组份可调(从0到26﹪),且对应的峰值波长在360～555nm范围内变化;在光致激发下该薄膜实现了带边发光,但发光强度随着铟含...; 韩培德陈振李昱峰刘祥林王晓晖袁海荣陆沅汪度陆大成; 关键词：铟镓氮 MOCVD 晶体生长金属有机物气相外延; 文献传递

表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质被引量：5: 2003年; 为了得到高性能的 Ga N基发光器件 ,有源层采用 MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了 In-Ga N量子点 ,并通过原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和光致发光 (PL )谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究 .AFM和 TEM观察结果表明 :In Ga N/ Ga N为平均直径约 30 nm,高度约 2 5 nm的圆锥 ;In Ga N量子点主要集中在圆锥形的顶部 ,其密度达到 5 .6× 10 1 0 cm- 2 .室温下 ,In Ga N量子点材料 PL谱强度大大超出相同生长时间的 In Ga N薄膜材料 ,这说明 In Ga N量子点有望作为高性能有源层材料应用于 Ga N基发光器件 .; 李昱峰韩培德陈振黎大兵王占国; 关键词：表面应力 INGAN 量子点 MOCVD

InGaN量子点的MOCVD生长及特性研究: 该文围绕InGaN量子点的MOCVD生长及及性质展开了大量的研究.首先,用SiH<,4>作为抗表面活化剂减小GaN薄膜的表面能,从而使InGaN在其表面浸润度降低,呈三维岛状生长,形成InGaN量子点.其次,我们针对上述...; 李昱峰; 关键词：MOCVD生长 GAN薄膜 INGAN薄膜

R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究被引量：1: 2002年; 采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石 (0 0 0 1)面 (即C面 )和蓝宝石 (110 2 )面 (即R面 )上形成了InGaN量子点 ,并构成了该量子点的多层结构。原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约 40nm ,高约15nm ;而多层量子点上层的量子点则比单层的InGaN量子点大。R面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点和C面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点相比 ,其PL谱不仅强度高 ,而且没有多峰结构。这是由于在C面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN多层量子点沿生长方向 [0 0 0 1]存在较强的内建电场 ,而在R面蓝宝石衬底上得到的多层量子点沿着生长方向 [112 0 ]没有内建电场。InGaN量子点变温光致发光 (PL)谱研究发现量子点相关的峰有快速红移现象 ,这是量子点系统所特有的PL谱特征。用在R面蓝宝石上生长的InGaN量子点作有源层有望避免内建电场的影响 ,得到高量子效率且发光波长稳定的发光器件。; 李昱峰陈振韩培德王占国; 关键词：蓝宝石 INGAN 发光性质 MOCVD

一种单/多层异质量子点结构的制作方法: 一种制作单/多层异质量子点结构的方法，这种结构用于制作发光器件和微电子器件的活性层，选择合适的衬底材料，在该衬底上外延所需的半导体薄膜材料作为衬底，然后对衬底材料表面进行钝化，然后在钝化后的表面上生长一层纳米尺寸的岛状诱...; 陈振陆大成韩培德刘祥林王晓晖李昱峰王占国; 文献传递