李永康
- 作品数：12 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- f_T为135GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制被引量：2
- 2001年
- 利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合 ,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为 3μm× 8μm的SiGe异质结双极晶体管 (HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益 β为 30到 50 ,基极开路下 ,收集极 发射极反向击穿电压BVCEO 为 5V ,晶体管的截止频率fT 为13 5GHz。
- 贾霖倪学文莫邦燹关旭东张录宁宝俊韩汝琦李永康周均铭
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管
- 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
- 本实用新型涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
- 本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- Si(001)衬底上GeSi外延膜的Crosshatch起源研究
- 本文研究了Si(001)衬底上GeSi外延膜的粗糙表面形貌,提出了一种新的粗糙表面形貌的形成机制,弥补了目前存在模型的不足.
- 陈弘李永康彭长四刘洪飞黄绮周均铭
- 关键词：SI衬底分子束外延生长
- 文献传递
- 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
- 本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- 掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响被引量：1
- 1992年
- 用光致荧光的方法对分子束外延生长的(110)方向的掺Be的GaAs带隙变窄随掺杂浓度的变化进行研究。结果表明:对于P-GaAs,带隙变窄主要是价带上移造成的,杂质能级(带)相对导带的位置不变。因此,电离能随着掺杂浓度的增加而减小。
- 程文芹梅笑冰刘双刘玉龙李永康周均铭
- 关键词：掺杂带隙砷化镓
- 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- Si上Ge薄膜特性研究
- 2002年
- 为了克服Ge雪崩光电二极管 (APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点 ,拟研制一种新的器件———Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM APD) .先在n Si衬底上用B+ 注入和分子束外延 (MBE) 2种方法分别形成p Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜 .利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的 p n结特性做了分析比较 ,得到的结论是 :Ge膜的单晶质量、电特性都比较好 ,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜 ;但 p n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的 .
- 李科杨茹李国辉彭长四李永康
- 关键词：雪崩光电二极管分子束外延透射电镜硅
- HIP红外探测器与MOS读出开关的单片集成
- 1999年
- 为了验证Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－ＳｉＨＩＰ红外探测器同ＭＯＳ信号读出电路单片集成的可行性，对Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射（ＨＩＰ）红外深测器与ＣＭＯＳ读出电路的工艺兼容性做了分析，提出了一个可行的工艺方案。还采用３μｍＮＭＯＳ工艺，制备了将Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－ＳｉＨＩＰ红外探测器与ＮＭＯＳ信号读出开关集成在一起的实验性芯片。在７７Ｋ温度下，分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－ＳｉＨＩＰ红外探测器（无介质腔和抗反射层）的黑体探测度Ｄ＊（５００，１０００，１）为１１Ｍｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ。实现了７７Ｋ下用ＮＭＯＳ开关对探测器输出信号的选择读出。
- 王瑞忠陈培毅钱佩信李永康周均铭
- 关键词：锗硅合金红外探测器单片集成
- 一种氮化镓基大管芯发光二极管
- 本实用新型涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的氮化镓基大管芯发光二极管，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离等步骤制...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
