您的位置: 专家智库 > >

李静

作品数:17 被引量:35H指数:5
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金吉林省科委基金吉林省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇液晶
  • 5篇铁电液晶
  • 4篇上转换发光
  • 4篇发光
  • 4篇N
  • 3篇相序
  • 3篇C^*
  • 2篇对比度
  • 2篇亚微米级
  • 2篇上转换发光材...
  • 2篇剩余电荷
  • 2篇相变
  • 2篇面阵
  • 2篇焦平面
  • 2篇焦平面阵列
  • 2篇非均匀
  • 2篇非均匀性
  • 2篇非均匀性校正
  • 2篇非制冷
  • 2篇非制冷焦平面

机构

  • 17篇中国科学院长...
  • 4篇长春理工大学
  • 2篇中华人民共和...
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 17篇李静
  • 8篇邹忠飞
  • 7篇宣丽
  • 4篇乌日娜
  • 3篇宋静
  • 3篇唐先柱
  • 3篇张家骅
  • 3篇张霞
  • 3篇张然
  • 3篇郝振东
  • 2篇郑致刚
  • 2篇季新建
  • 1篇郭伟强
  • 1篇鲁兴海
  • 1篇刘永刚
  • 1篇金龙旭
  • 1篇王笑军
  • 1篇王英

传媒

  • 4篇光子学报
  • 3篇液晶与显示
  • 1篇激光与红外
  • 1篇2006中国...
  • 1篇2008中国...
  • 1篇第四届全国掺...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 5篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
非制冷微热辐射计的驱动及非均匀性校正
非制冷红外成像系统较传统的制冷型红外成像系统具有价格低、重量轻、功耗小等特点,近年来迅速向民用工业领域扩展。非制冷微热辐射计的核心是焦平面阵列,它采用硅集成工艺,制作成本低廉;有好的线性响应和高的动态范围;低的1/f噪声...
李静
关键词:非制冷焦平面阵列驱动电路非均匀性校正
文献传递
浓度依赖的Yb3+/Tm3+共掺杂CaSc2O4荧光粉上转换发光的研究
李静张霞郝振东骆永石张家骅
关键词:上转换发光
连续灰度N*-SmC*相序铁电液晶器件制备
半'V'字形铁电液晶器件中使用N*-SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷.为消除剩余电荷的影响,本文研究了在相变过程...
季新建李静邹忠飞唐先柱宣丽
关键词:铁电液晶液晶显示器件相变剩余电荷
文献传递
半“V”字形铁电液晶器件的制备被引量:1
2008年
实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能良好的器件.采用N*-Sc*相变施加4V/μm直流电压,制备半"V"字形铁电液晶器件,经测试器件饱和电压为5V,对比度为112.8,上升时间和下降时间分别为622.14μs和374.7μs.
李静邹忠飞唐先柱宣丽
非直流电压对N^*-SmC^*相序铁电液晶排列的影响被引量:1
2008年
半"V"字形铁电液晶器件中使用N*-SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷。通过研究在相变过程中施加各种非直流电压对液晶排列织构的影响,发现直流电压不是得到N*-SmC*相序的铁电液晶均一排列的必要条件,通过选择双极性电压为V1=7V/μm,V2=-3V/μm,一个脉冲周期20ms内施加双极性电场时间比为D1/D2=3/7,不仅获得了电光特性曲线不存在迟滞回线的均一层排列器件,同时也解决了剩余电荷对器件的影响。
季新建李静邹忠飞唐先柱宣丽
关键词:铁电液晶剩余电荷
Er3+/Yb3+上转换发光动力学过程
张家骅郝振东张霞李静董晓玲王英相国涛王笑军
一种亚微米级棒状钪酸钙基上转换发光材料及其制备方法
本发明提供了一种亚微米级棒状钪酸钙基上转换发光材料及其制备方法。解决现有技术中钪酸钙基稀土上转换发光材料尺寸大及分散性差的技术问题。一种亚微米级棒状钪酸钙基上转换发光材料,是具有以下化学式的化合物:CaSc<Sub>2(...
张家骅李静张霞郝振东
文献传递
柔性双官能团聚合物制备网络稳定铁电液晶器件被引量:8
2007年
采用柔性的双官能团聚合物单体二丙烯酸酯NPGDA,将掺杂这种单体含量为2%(质量分数)的铁电液晶在SmA*相下用UV光照,制备了聚合物网络稳定铁电液晶样品。原子力显微镜给出NPGDA在样品中形成了具有各向异性、沿着基板摩擦方向延伸的聚合物网络。利用偏光显微镜和液晶参数综合测试仪对该样品进行观察测试,实验检测结果表明,由于聚合物网络体锚定的引入,使得铁电液晶分子在电场下的运动受到限制,得到了均匀取向的条纹织构,避免了zigzag缺陷,且该器件的电光曲线为“V”字形,从而实现了连续灰度,对比度达到199∶1,饱和电压为6V,上升时间和下降时间分别为494μs和404μs,同时铁电液晶器件的抗震动能力得到了显著提高。
李静邹忠飞乌日娜宋静宣丽
关键词:高对比度
连续灰度铁电液晶器件制备被引量:5
2006年
采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过控制在N*-Sc*相变时施加电压的频率和幅值,制备了不同分子层排列结构的器件,获得了“V”字形和半“V”字形的电光特性曲线,从而可以实现连续灰度.根据铁电液晶自发偶极矩与电场力矩的相互作用原理,分析了器件形成不同分子层排列结构及呈现“V”字形和半“V”字形电光特性的原因.
乌日娜李静张然邹忠飞宣丽
关键词:铁电液晶相变电压灰度
含氟单体材料对全息聚合物分散液晶Bragg光栅电光特性的影响被引量:10
2006年
在全息聚合物分散液晶的预聚物体系中添加含氟的单丙烯酸酯单体,制备全息聚合物分散液晶Bragg光栅,通过AFM、He-Ne激光器观察分析,发现甲基丙烯酸十二氟庚酯(Actyflon-G04)的添加不仅改善聚合物基质的形貌,同时也影响光栅的电光特性。实验结果表明,光栅的衍射效率从78%上升到90%,驱动电压V90大幅降低。分析认为,Actyflon-G04的添加降低了聚合物界面的表面张力,影响液晶微滴的分子取向,从而实现了光栅电光特性的改善。
宋静郑致刚刘永刚李静宣丽
关键词:布拉格光栅
共2页<12>
聚类工具0