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杨殿雄

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：上海大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇ESD
  • 2篇NMOS
  • 2篇ESD保护
  • 1篇电路
  • 1篇亚微米
  • 1篇深亚微米
  • 1篇微米
  • 1篇芯片
  • 1篇寄生效应
  • 1篇仿真
  • 1篇仿真工具
  • 1篇保护器件
  • 1篇SOC设计
  • 1篇ESD保护电...
  • 1篇ESD保护器...
  • 1篇GGNMOS

机构

  • 3篇上海大学

作者

  • 3篇姜玉稀
  • 3篇杨殿雄
  • 3篇冉峰
  • 2篇陆嘉
  • 1篇李娇
  • 1篇陈章进
  • 1篇程东方
  • 1篇徐美华

传媒

  • 2篇微计算机信息

年份

  • 3篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
深亚微米SOC设计中全芯片ESD仿真工具的研究
杨殿雄冉峰程东方徐美华陈章进李娇姜玉稀
“深亚微米SOC设计中全芯片ESD仿真工具研究”项目研究包括（1）、设计深亚微米工艺下的全芯片ESD保护电路；（2）一种适用于电路仿真的ESD保护器件的模型。该项目成果在研制过程中，主要分为两个阶段。第一阶段设计0.6u...
关键词：
关键词：芯片深亚微米仿真SOC设计
NMOS ESD保护器件直流仿真模型设计被引量：1
2008年
本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究,并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻。提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法。仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性。
姜玉稀陆嘉冉峰杨殿雄
关键词：ESD寄生效应
0.6um工艺NMOS ESD保护电路版图优化被引量：4
2008年
本文研究了在0.6um工艺下,数个版图参数对NMOS ESD保护器件性能的影响,并给出了这些版图参数适宜值的范围;提出了用于I/OPAD的ESD保护电路的版图优化方法,并证明了版图优化在提高ESD保护电路性能上的作用。
姜玉稀陆嘉冉峰杨殿雄
关键词：ESDGGNMOS
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