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林汝湛

作品数:9 被引量:35H指数:4
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇陶瓷
  • 3篇铁电
  • 3篇无机非金属
  • 3篇无机非金属材...
  • 3篇非金属材料
  • 2篇电性能
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇铁电薄膜材料
  • 2篇钛酸
  • 2篇无机
  • 2篇无机膜
  • 2篇锰掺杂
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇PMN-PZ...
  • 2篇PZT
  • 2篇冰醋酸
  • 2篇掺杂
  • 2篇醋酸

机构

  • 9篇华中科技大学

作者

  • 9篇林汝湛
  • 7篇姜胜林
  • 5篇张海波
  • 4篇曾亦可
  • 2篇郭婷
  • 2篇晏伯武
  • 2篇邓传益
  • 2篇周东祥
  • 1篇肖腊连
  • 1篇刘梅冬
  • 1篇胡勇
  • 1篇李秀峰

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 5篇2005
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
制备钛酸锶钡铁电薄膜的方法
本发明属于铁电薄膜材料制备方法,在传统Sol-Gel法的基础上,先在基片上提供一层种子层,在其上反复旋涂BST溶胶,以制成均匀的BST薄膜。本发明步骤:以醋酸铅Pb(C<Sub>2</Sub>H<Sub>3</Sub>O...
姜胜林曾亦可林汝湛邓传益
文献传递
硝酸锰对PMN-PZT热释电陶瓷性能的影响被引量:4
2008年
研究了硝酸锰溶液掺杂对富锆铌镁酸铅-锆钛酸铅(PMN-PZT)热释电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、热释电性能等方面的影响,并对实验结果作出物理机理的解释。实验结果表明,以液态硝酸锰的形式进行锰掺杂使锰的加入更容易,有效改善了固态锰掺杂时析出损失和混合不均等问题;适量的硝酸锰溶液掺杂有助于陶瓷晶粒的生长,能有效地降低PMN-PZT陶瓷材料的相对介电常数(rε)和介电损耗(tanδ),并增加其热释电系数(p);在x(Mn)=3.0%时,制备出综合热释电性能良好的PMN-PZT热释电陶瓷,即室温时rε=197,tanδ=0.15%,p=3.5×10-8C/cm2℃,探测优值FD=8.7×10-5Pa-1/2,低温铁电相-高温铁电相(FRL-FRH)相变温度时rε=300,tanδ=0.45%,pmax=35×10-8C/cm2℃,FD=40.5×10-5Pa-1/2,符合制作热释电红外探测器的要求。
郭婷姜胜林张海波林汝湛
关键词:无机非金属材料介电性能
铁电材料测试系统用电压自动衰减电路
2005年
针对铁电材料测试系统中不同测试信号电压的差别,设计了电压自动衰减电路。重点介绍了自动量程转换电路、峰值AC/DC转换电路、继电器驱动电路和衰减电路的设计。利用配有电压自动衰减电路的铁电材料测试系统测量了PZT铁电体材料样品的电滞回线。测量结果表明,该设计解决了测试电压与采集卡量程的匹配问题,实现了铁电材料测试的自动化。
曾亦可李秀峰胡勇肖腊连林汝湛张海波
关键词:铁电材料数据采集电滞回线
制备钛酸锶钡铁电薄膜的方法
本发明属于铁电薄膜材料制备方法,在传统Sol-Gel法的基础上,先在基片上提供一层种子层,在其上反复旋涂BST溶胶,以制成均匀的BST薄膜。本发明步骤:以醋酸铅Pb(C<Sub>2</Sub>H<Sub>3</Sub>O...
姜胜林曾亦可林汝湛邓传益
文献传递
锰掺杂对PMN-PZT陶瓷介电性能的影响
2007年
研究了锰掺杂对富锆PMN-PZT(铌镁酸铅一锆钛酸铅)陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能等方面的影响,并对实验结果作出物理机理的解释。实验结果表明:适量的锰掺杂有助于陶瓷晶粒的生长,并能有效地降低PMN-PZT陶瓷材料的介电常数和介电损耗,在锰掺杂量为3.0%(原子分数)时,εr:197、tanδ=0.15%,作为用于红外热释电探测器的陶瓷材料具有良好的介电性能。
郭婷姜胜林张海波林汝湛
关键词:无机非金属材料PMN-PZT锰掺杂介电性能
退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响被引量:14
2005年
应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550-950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA /mm2.
姜胜林林汝湛曾亦可刘梅冬
关键词:无机非金属材料退火温度
高温高频用改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究被引量:11
2005年
基于改性PbTiO3陶瓷制备高温高频压电陶瓷材料,对ABO3型钙钛矿结构B位复合取代的(1-x)PbT iO3+x Pb(Cd4/9N b2/9W3/9)O3系压电陶瓷材料进行了研究。实验结果指出,当x=0.2时,掺入适量的改性添加物M nO2,经适当的工艺过程,可得压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料。其中,材料的居里温度TC≥480°C,机械品质因数Qm>2 000,机电耦合系数kt可达0.45,介电常数ε约为200,是一种很有前途的高温高频压电陶瓷材料。
晏伯武林汝湛张海波姜胜林周东祥
关键词:压电陶瓷材料
电极对PTC热敏电阻老化性能的影响被引量:5
2005年
为探究电极因素对PTC热敏电阻老化性能的影响,分别对烧渗Al电极,烧渗Ag-Zn电极和烧渗Ni电极等三种类型的PTC热敏电阻元件进行了老化试验。结果显示:烧渗Ag-Zn电极的元件有较好的老化性能,阻值变化率?R/R≈–4%,电流冲击失效率≈0。从材料热力学和电极的电化学两方面,对该老化特性进行了分析,表明材料热膨胀失配和电极电化学不稳定性,是电极影响元件老化性能的两大因素。
晏伯武张海波林汝湛姜胜林周东祥
关键词:电子技术电极PTC热敏电阻陶瓷
高性能PZT系热释电陶瓷材料研究
本文对高性能PZT系热释电陶瓷材料进行了研究。文章研究了富锆PMN-PZT热释电陶瓷材料的制备工艺,并较为系统地研究了锰掺杂对富锆PMN-PZT热释电陶瓷材料的相组成、微观结构,以及介电性能、铁电性能、热释电性能等方面的...
林汝湛
关键词:陶瓷半导体锰掺杂
文献传递
共1页<1>
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