公共文化服务平台

梁齐: 作品数：81 被引量：251H指数：8; 供职机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家教育部“211”工程更多>>; 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

十字路口智能交通灯控制系统的FPGA实现被引量：8: 2012年; 针对现实中越来越严重的城市交通拥堵现象,提出了一种城市十字路口交通信号灯控制与FPGA实现的新方法。解决了各车道车流量不均衡所造成的十字路口交通资源浪费问题,设计的智能交通控制系统利用对相向车道采用不同步的红绿灯信号控制方法,能够减少交通资源浪费,大幅提高十字路口的车辆通行效率。; 王维松王金生章伟梁齐; 关键词：FPGA 交通信号灯智能控制

光干涉实验的计算机模拟被引量：20: 2003年; 利用MATLAB的图像功能模拟了四个典型的光干涉实验,模拟干涉图样细致、逼真,并给出光强分布图。; 梁齐许晓琳王明虎; 关键词：计算机模拟 MATLAB 干涉条纹

硅太阳电池用UV/IR截止滤光膜系设计被引量：3: 2007年; 根据光学薄膜原理,编制出计算机程序。在太阳电池封装玻璃的上、下表面分别设计出红外(IR)截止的带通滤光膜系A|[1.05(LMHML)](LMHML)6[1.15(LMHML)]1.15L| G和紫外(UV)截止的带通滤光膜系G|H/2LH/2|7s。透射曲线表明:这两种带通滤光膜系对于不同波长的光有着很好的选择性透射,IR截止滤光膜系能够使波长大于1120nm的大部分光在到达电池表面前就被反射,UV截止滤光膜系能够使得波长小于350nm的光在到达电池表面前几乎全部被反射掉。同时,350nm<λ<1120nm的光的入射几乎不受影响,加权平均透射率为97.49%。; 杨文华李红波解光军梁齐; 关键词：硅太阳电池

Cu_2ZnSnS_4/Si异质结器件的制备及特性研究被引量：1: 2012年; 利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结。利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)和原子力显微镜(AFM)对Cu2ZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征,并对器件进行Ⅰ-Ⅴ测试,讨论不同电阻率的Si对异质结器件光电特性的影响。结果表明,器件有良好的整流特性,Si电阻率大的器件光电响应比较好,而Si电阻率小的器件光伏效应比较明显。; 李琳文亚南董燕汪壮兵梁齐; 关键词：脉冲激光沉积 Ⅰ-Ⅴ特性

脉冲激光沉积制备ZnO电致发光器件的研究进展: 2010年; 电致发光器件具有广阔的应用前景。而ZnO具有优良的发光特性,已成为制备电致发光器件材料的研究热点。近年来人们一直积极探索利用各种工艺方法制备ZnO电致发光器件,希望获得发光效率高的器件,其中利用脉冲激光沉积(PLD)法制备ZnO电致发光器件成为备受关注的课题,本文综述了用脉冲激光沉积制备ZnO电致发光器件的研究进展,包括ZnO同质结器件和ZnO异质结器件。; 史冬霞梁齐周思林王亚飞李坤明牛少华; 关键词：ZNO 脉冲激光沉积电致发光

PCL-b-PDMS-b-PCL复合环氧树脂的表面结构被引量：2: 2009年; 利用原子力显微镜(AFM)中的敲击模式原子力显微镜(TM-AFM)和摩擦力显微镜(FFM)对不同含量聚己内酯-b-聚二甲基硅氧烷-b-聚己内酯三嵌段(PCL-b-PDMS-b-PCL)共聚物复合环氧树脂的表面富集结构进行了分析研究.TM-AFM测试在不同作用力下得到了PCL-b-PDMS-b-PCL含量不同环氧树脂表面及其亚表面的分相结构;同时利用FFM对其表面进行摩擦和磨损试验.结果表明,PCL-b-PDMS-b-PCL含量不同时摩擦性能表现出较大的变化,当其质量分数达到30%时,表面性能达到了稳定.接触角试验也验证了以上的结果.; 李慧琴金承钰范文春梁齐; 关键词：摩擦力显微镜环氧树脂

旋转式多样品自动化给样系统: 本发明涉及一种分析测试技术领域的旋转式多样品自动化给样系统，包括样品台、步进马达、旋转样品盘、光电感应开关、控制盒、样品装载孔、旋转样品盘中心孔、光电感应口、支架，其中：样品台上设有支架，步进马达和光电感应开关固定在支架...; 韩海波郭新秋朱新远梁齐何琳; 文献传递

射频磁控溅射法制备SnS_2薄膜结构和光学特性的研究被引量：4: 2016年; 采用射频磁控溅射法溅射SnS_2靶,在玻璃基片上以不同射频功率和氩气压强制备一系列薄膜样品,研究了不同工艺条件对薄膜特性的影响。利用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)对薄膜样品的晶体结构和物相进行表征分析。利用X射线能量色散谱(EDS)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)对SnS_2薄膜的化学组分、光学特性等进行测试,计算或分析了SnS_2薄膜样品的组分原子比、光学常数和光学带隙。结果表明:制备SnS_2薄膜的最佳工艺条件为射频功率60 W、氩气压强0.5 Pa。在该条件下,所制备的SnS_2薄膜沿(001)晶面择优取向生长,可见光透过率和折射率较高,消光系数较小,直接带隙为2.81 e V。在此基础上,进一步制备了n-SnS_2/p-Si异质结器件。器件具有良好的整流特性及弱光伏特性,反向光电流随光照强度的增加而增大。器件的光电导机制是由SnS_2禁带中陷阱中心的指数分布所控制。; 李学留刘丹丹梁齐史成武于永强; 关键词：射频磁控溅射光学特性异质结器件

脉冲激光沉积结合快速退火制备SnS薄膜及其表征被引量：3: 2016年; 利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上生长、并经Ar保护下快速退火制备SnS薄膜。利用X射线衍射、拉曼光谱、X射线能量色散谱、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计等表征手段,对不同条件(脉冲激光能量:90和140 rnJ;退火温度:100~400℃)下制备SnS薄膜的晶体结构、化学组分、表面形貌、光学特性等进行表征分析。结果表明:脉冲激光能量为140mJ、退火温度为300℃时所制备的SnS薄膜结晶质量良好、择优取向生长良好、成分接近理想配比(Sn:S=1:1.03)、光吸收系数为10~5 cm^(-1)量级。; 马明杰刘磊李学留陈士荣郭慧尔余亮梁齐; 关键词：脉冲激光沉积快速退火光学特性

工业CT的发展综述: 1993年; 工业计算机断层扫描(ICT)及其应用是一项快速发展的高新技术。本文对ICT的技术发展、基本原理、结构特性及发展前景作了综述。; 高启安常勇梁齐; 关键词：工业CT 工业计算机断层扫描