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欧阳可青

作品数:12 被引量:14H指数:2
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇磁电
  • 5篇磁电阻
  • 4篇退火
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 4篇传感器研究
  • 3篇电滞回线
  • 3篇多层膜
  • 3篇永磁
  • 3篇永磁材料
  • 3篇振膜
  • 3篇声学
  • 3篇声学器件
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 3篇铁电存储器
  • 3篇自发极化
  • 3篇计算机
  • 3篇计算机模拟

机构

  • 12篇清华大学

作者

  • 12篇欧阳可青
  • 8篇任天令
  • 8篇刘理天
  • 4篇刘华瑞
  • 4篇曲炳郡
  • 3篇朱一平
  • 3篇韦丹
  • 3篇李伟
  • 1篇翟华嶂
  • 1篇张淑霞
  • 1篇李建保
  • 1篇曹俊

传媒

  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第七届"测量...
  • 1篇中国微米纳米...
  • 1篇中国微米、纳...

年份

  • 1篇2010
  • 7篇2005
  • 4篇2003
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于磁电阻效应的微声学器件
本发明公开了属于半导体器件领域的一种基于磁电阻效应的微声学器件。该器件由沉积有硬磁薄膜的可动振膜结构和沉积有磁电阻多层膜的固定结构构成。其可动振膜结构,由底层向上依次由硅衬底、二氧化硅、氮化硅层、永磁材料层和二氧化硅层复...
任天令刘理天欧阳可青朱一平
文献传递
基于磁电阻效应的微声学器件
本发明公开了属于半导体器件领域的一种基于磁电阻效应的微声学器件。该器件由沉积有硬磁薄膜的可动振膜结构和沉积有磁电阻多层膜的固定结构构成。其可动振膜结构,由底层向上依次由硅衬底、二氧化硅、氮化硅层、永磁材料层和二氧化硅层复...
任天令刘理天欧阳可青朱一平
文献传递
基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究
本文通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91﹪,矫顽力为0.054π×103A/m(0.05Oe...
刘华瑞欧阳可青任天令曲炳郡李伟刘理天
关键词:磁场传感器退火矫顽力
文献传递
基于磁电阻效应的微声学器件
本实用新型公开了属于半导体器件领域的一种基于磁电阻效应的微声学器件。该器件由沉积有硬磁薄膜的可动振膜结构和沉积有磁电阻多层膜的固定结构构成。其可动振膜结构,由底层向上依次由硅衬底、二氧化硅、氮化硅层、永磁材料层和二氧化硅...
任天令刘理天欧阳可青朱一平
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磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究被引量:3
2005年
采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/bufferlayer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀。研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳。研究了退火制度对底钉扎自旋阀性能的影响,得到了3000Oe强磁场下200℃保温1h为最佳处理条件。通过结构的改善和工艺的优化,得到的底钉扎自旋阀的磁电阻率8.51%,矫顽场为0.5Oe,交换偏置场超过800Oe。最后对自旋阀的底钉扎和顶钉扎结构进行了比较。
欧阳可青任天令刘华瑞曲炳郡刘理天李伟
关键词:自旋阀巨磁电阻退火效应
基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究
通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器。经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力为百0.05/4π×103A/m(0.05Oc...
刘华瑞欧阳可青任天令曲炳郡李伟刘理天
关键词:GMR退火矫顽力
文献传递
t-ZrO_2-TiO_2固溶体纳米粉的制备被引量:9
2003年
为了研究和表征氧化锆固溶粉体的本征特性,利用化学共沉淀方法制备一系列ZrO2-TiO2-Y2O3三元体系的固溶体纳米粉。通过X射线衍射、透射电镜分析和比表面积测量确定固溶粉体为单一四方相结构,晶粒尺寸在10~25nm。固溶纳米粉体随TiO2固溶量增加,晶格常数中a值下降,c值上升,c/a值呈上升趋势。由于纳米粉体表面效应的不饱和性,可使t-ZrO2纳米粉中固溶摩尔分数为40%的TiO2,烧结后,固溶掺杂的摩尔分数为20%TiO2的瓷体中已出现ZrTiO4相。
翟华嶂李建保欧阳可青曹俊张淑霞
关键词:相结构
铁电存储器薄膜的计算机模拟
2003年
随着信息技术的迅速发展,对信息存储器提出了以下要求:高密度、高读写速度、低功耗和尽可能长的存储寿命。铁电薄膜材料在存储技术中的应用出现为这一切提供了可能。本文在分析铁电材料自发极化机制的基础上,建立了铁电薄膜的微观极化模型,通过计算铁电系统中的能量和有效电场,根据铁电极化的运动方程,模拟出铁电薄膜的电滞回线,为铁电薄膜材料的信息存储提供理论指导。
欧阳可青韦丹任天令刘理天
关键词:铁电薄膜自发极化电滞回线计算机模拟
基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究
2005年
通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力为0.054π×103A/m(0.05Oe).用这种GMR薄膜制备的磁场传感器的线性区域为-154π×103~154π×103A/m,输出线性度为0.9993.这种高线性度的磁场传感器在汽车工业和自动化控制系统等领域中起到举足轻重的作用.
刘华瑞欧阳可青任天令曲炳郡李伟刘理天
关键词:GMR退火矫顽力
铁电存储器薄膜的计算机模拟
随着信息技术的迅速发展,对信息存储器提出了以下要求:高密度、高读写速度、低功耗和尽可能长的存储寿命。铁电薄膜材料在存储技术中的应用出现为这一切提供了可能。本文在分析铁电材料自发极化机制的基础上,建立了铁电薄膜的微观极化模...
欧阳可青韦丹任天令刘理天
关键词:铁电薄膜自发极化电滞回线计算机模拟
文献传递
共2页<12>
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