武利翻
- 作品数：11 被引量：30H指数：3
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- 红外焦平面阵列的CMO S读出电路结构评述被引量：10
- 2006年
- 红外焦平面阵列是获取景物红外光辐射信息的重要光电器件。读出电路是其关键部件,良好的读出电路性能在红外焦平面阵列中发挥着重要的作用。列举了一些最新的CMOS读出电路单元结构,并对它们各自的特点作了简要的比较,给出了一些结构对应芯片上的主要参数,最后,简单介绍了读出电路的未来发展方向。
- 汪建平武利翻熊平
- 关键词：红外焦平面阵列读出电路探测器
- CCD图像传感器抗晕技术研究被引量：1
- 2010年
- 为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:CCD电极下的电荷容量随n沟道磷掺杂浓度的增加而迅速提高,但掺杂浓度的增加受期间体内击穿场强的限制,通过分析比较,取n沟道磷掺杂浓度为3×10^(16)cm^(-3)时抗晕效果较好,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
- 武利翻
- 关键词：CCD光晕
- CCD图像传感器抗晕结构研究与仿真
- 2010年
- 分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型。运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压。1PW层硼掺杂浓度、N型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
- 武利翻
- 关键词：CCD光晕
- CCD制造的关键工艺被引量：2
- 2005年
- CCD(电荷藕合器件)是一种在硅集成电路工艺线上制作的图像传感器.介绍了CCD的基本工作原理和制造的单项工艺,并详细介绍了其关键工艺氧化、光刻、离子注入,还对各工艺所遇到的问题、相应的解决方法及发展状况进行了阐述.
- 武利翻
- 关键词：CCD光刻离子注入
- CCD制造的关键工艺被引量：7
- 2005年
- CCD(电荷藕合器件)是一种在硅集成电路工艺线上制作的图像传感器。本文介绍了 CCD 的基本工作原理和制造的单项工艺,并详细介绍了其关键工艺:氧化、光刻、离子注入,还对各工艺所遇到的问题、相应的解决方法及发展状况进行了阐述。
- 武利翻
- 关键词：COD光刻离子注入
- 政府行为推动企业技术创新的探讨被引量：4
- 2005年
- 技术创新是一项系统工程,也是企业持续发展的动力。在企业的技术创新活动中,政府行为起着重要的推动作用,因此政府应当制定完善的相关政策、法规和制度,为促进企业技术创新提供良好的外部发展环境。
- 敖永春武利翻
- 关键词：政府行为技术创新
- CCD纵向抗晕结构研究
- 电荷耦合器件CCD(ChargeCoupledDevice)是一种在硅集成电路工艺线上制作的固体图像传感器，它工作方式是将光信号在光敏区转换为电荷信号，再以电荷耦合的方式将电荷传送并输出。由于它具有高灵敏度、低噪声的特点...
- 武利翻
- 关键词：电荷耦合器件光晕
- 文献传递
- CCD纵向抗晕结构研究被引量：3
- 2007年
- 建立了电荷耦合器件(CCD)纵向抗晕结构模型,运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂浓度、n型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度等参数对CCD纵向抗晕能力的影响,得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
- 武利翻刘昌林陈红兵汪建平熊平
- 关键词：CCD光晕
- 电子快门与CCD图像传感器抗晕的研究被引量：2
- 2010年
- 为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并分析1 PW层硼掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并对CCD纵向抗晕结构进行优化结构。而电子快门就是利用纵向抗晕的工作原理而发展的。
- 武利翻
- 关键词：CCD光晕
- CCD纵向抗晕结构设计与优化被引量：2
- 2010年
- 为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明:1PW层杂质浓度越低,电势越高,则电子势垒越低,则导入衬底的过量载流子越多,对应的抗晕能力越强。得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
- 武利翻
- 关键词：CCD光晕
