段建华
- 作品数：7 被引量：29H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术机械工程电子电信更多>>
- 锰铜精密电阻薄膜的制备工艺研究被引量：2
- 2002年
- 采用溅射技术 ,对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化 ,获得了电阻温度系数 TCR≤± 10× 10 - 6 /℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础 。
- 杜晓松杨邦朝周鸿仁段建华
- 关键词：电阻温度系数溅射
- 一氧化碳传感器的应用与进展被引量：26
- 2001年
- 简要介绍了一氧化碳传感器的特点、组成、工作原理及分类 ,总结了一氧化碳传感器在各个领域的应用概况。
- 杨邦朝段建华
- 关键词：一氧化碳传感器
- 锰铜精密电阻薄膜的制备工艺研究
- 采用溅射技术,对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤±10×10<'-6>/℃的锰铜薄膜.该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础,同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器.
- 杜晓松杨邦朝周鸿仁段建华
- 关键词：电阻温度系数溅射法
- 文献传递
- 一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器及制备方法
- 本发明是提供了一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器及其制备方法，其特征是它包括形状为阵列式结构的N个压力敏感元件锰铜薄膜2和无机材料封装薄膜4；该传感器采用全薄膜工艺制作。本发明的传感器，消除了封装材料的高压旁路效应，可使传...
- 杨邦朝段建华杜晓松周鸿仁崔红玲徐蓓娜
- 文献传递
- 阵列化锰铜高压传感器的研制被引量：1
- 2003年
- 通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜式锰铜传感器。采用熔融石英材料作为绝缘基板。在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜。并在敏感薄膜的上面沉积SiO2封装层薄膜。根据"后置"式传感器由阻抗匹配原则,计算出铝靶板中的最高压力为51.68GPa,SiO2封装材料中的压力为35.396GPa。
- 段建华杨邦朝杜晓松周鸿仁
- 关键词：熔融石英后置式
- 阵列化锰铜薄膜超高压力传感器的研究
- 锰铜计是一种特种传感器,主要用于测量冲击波产生的超高压力.其量程上限可达50GPa,是现有传感器中测压量程最高的.为满足国防工程的特殊需要,须进一步提高传感器的量程上限及缩短传感器的响应时间.该文通过敏感材料和封装材料的...
- 段建华
- 关键词：熔融石英后置式
- 文献传递
- 一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器及制备方法
- 本发明是提供了一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器及其制备方法，其特征是它包括形状为阵列式结构的N个压力敏感元件锰铜薄膜2和无机材料封装薄膜4；该传感器采用全薄膜工艺制作。本发明的传感器，消除了封装材料的高压旁路效应，可使传...
- 杨邦朝段建华杜晓松周鸿仁崔红玲徐蓓娜
- 文献传递
