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段志强

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇半导体
  • 1篇导体
  • 1篇输运
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋输运
  • 1篇量子
  • 1篇量子结构
  • 1篇膜厚
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇场发射
  • 1篇磁结构
  • 1篇磁量子
  • 1篇磁量子结构

机构

  • 3篇北京工业大学

作者

  • 3篇段志强
  • 2篇严辉
  • 2篇王如志
  • 1篇王波
  • 1篇袁瑞玚
  • 1篇魏金生
  • 1篇王波

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇中国科协第四...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
纳米体系中场发射的结构效应
本论文针对既具有重要应用价值，又具有基础理论研究意义的纳米体系下半导体薄膜的场发射性能，以及相应体系中的结构效应做了较为系统和深入的理论研究。其目的一方面在于揭示已知量子结构中的新效应，研究场发射的物理机制和规律，另一方...
段志强
关键词：场发射半导体薄膜纳米材料
文献传递
半导体薄膜场发射中的膜厚影响
2007年
考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响。结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的,随着薄膜厚度的增加,将相继出现极差膜厚值与最佳膜厚值,理论计算很好地验证了已有的实验结果;并进一步理论分析了半导体薄膜场发射性能随膜厚变化行为的物理实质,其可能来源于有效隧穿势垒面积的改变及电流密度在薄膜中的散射衰减。
段志强王如志袁瑞玚王波严辉
电子自旋隧穿反平行磁结构的尺度效应
本文采用转移矩阵法，系统地研究了磁势垒尺度d对磁量子结构中电子自旋输运的影响。结果表明：在理想δ函数型磁势垒结构中，若保持隧穿能量不变，随d的变化，透射系数的现出明显的正弦或余弦型的周期性振荡，且振荡周期与是否考虑自旋无...
袁瑞玚王如志魏金生段志强王波严辉
关键词：自旋输运磁量子结构
文献传递
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