段晓峰
- 作品数：87 被引量：37H指数：3
- 供职机构：北京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法
- 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外...
- 段晓峰黄永清任晓敏尚玉峰杨一粟张霞王琦
- 文献传递
- 一种非平行反射镜构成的光学谐振腔和产生光谐振的方法
- 本发明提供了一种非平行反射镜构成的光学谐振腔和产生光谐振的方法，所述光学谐振腔包括：顶部反射镜和底部反射镜，所述顶部反射镜和所述底部反射镜之间形成腔体，所述腔体内填充介质；所述顶部反射镜包括相对设置的两块平面反射镜，所述...
- 黄永清段晓峰武刚李宫清张帅任晓敏刘凯毛少娟蔡世伟王欢欢
- 文献传递
- 基于二维亚波长光栅的偏振不敏感宽光谱高反镜的设计被引量：3
- 2017年
- 提出了一种基于块状亚波长光栅的偏振不敏感宽光谱高反镜的设计方法。亚波长光栅的反射性能由光栅的结构参数即周期和占空比决定,优化周期和占空比值将使亚波长光栅在更宽的光谱范围内具有更高的反射率。采用严格耦合波分析法计算不同周期下光栅的反射率,再构造一个集合包含所有反射率超过99%的光栅周期值,运用迭代优化算法,减小集合的数据规模,从而快速确定最优的光栅周期值和它对应的占空比值。仿真结果显示,使用标准的绝缘体上硅(SOI)晶片制作的二维块状亚波长光栅反射镜将在182nm的光谱范围内保持超过99%的反射率,同时光栅的反射特性与垂直入射光的偏振态无关,但是当入射角大于7°时在1439~1621nm的波长范围内光栅的反射率将无法始终保持在99%以上。因此,可以将二维块状亚波长光栅应用在垂直腔面激光器上,用于激光多普勒测速或者构建光缓存的二维网络。最后,通过数值仿真证实,在二维块状亚波长光栅反射镜的制作过程中,允许周期值和占空比值存在一定的误差。
- 周顾人段晓峰黄永清刘凯任晓敏
- 关键词：光学器件亚波长光栅反射镜
- 一种混合集成光探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种混合集成光探测器及其制备方法，涉及光通信领域。所述混合集成光探测器包括：键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管；所述介质膜型滤波器包括衬底，以及设置在衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减...
- 任晓敏范鑫烨段晓峰黄永清王琦张霞蔡世伟
- 文献传递
- 高速光探测器的集成微透镜结构设计与制备
- 2023年
- 高速光探测器以获得更高的3 dB带宽为目标,减小器件台面面积能够使结电容降低从而提高带宽,但同时也增大了系统中的光耦合损耗。针对该问题,在高速光探测器衬底背面单片集成微透镜结构是一种有效的解决方案,该结构可通过补偿对准偏差来提高器件的光耦合效率。设计了一种面向数据中心应用的,与1.31μm光探测器芯片单片集成的InP基微透镜结构;通过热熔法制作微透镜胶型,并利用电感耦合等离子体刻蚀实现微透镜胶型转移,电感耦合等离子体刻蚀过程选择SiCl4和Ar作为刻蚀气体以保证实验的安全性;制备了一种直径90.3μm、冠高18.5μm、表面形貌光滑的InP基微透镜结构。单片集成微透镜的PIN光探测器在1.31μm波长处,入射光偏离主光轴3°的情况下,光探测器的响应度仅下降4%。
- 杨晓伟袁纬方李同辉李玉董晓雯刘凯黄永清段晓峰
- 关键词：光探测器
- 基于非周期亚波长光栅的光分束器及其设计方法
- 本发明公开了一种基于非周期亚波长光栅的光分束器及其设计方法，属于光电子技术领域。所述方法包括建立三维坐标系，通过一维、二维和三维光栅构成非周期的光栅基本单元，周期性的延拓所述的光栅基本单元形成具有两个偏转角度的光分束器。...
- 段晓峰李宫清张帅陶晋明黄永清刘凯
- 文献传递
- 用于WDM光网络的集成解复用接收器件的研究
- 本论文工作是围绕以下项目展开的：以任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计划（973计划）项目“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构工艺创新与基础研究”（No.2003CB314900）;国家高科技研究发展计划...
- 段晓峰
- 关键词：波分复用系统WDM光网络
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- 采用电控方法实现平顶陡边的解复用接收器
- 本发明属于光电技术领域，具体涉及一种具有平顶陡边光谱响应性能的用于波分复用中的解复用接收器。本发明所提供的解复用接收器，包括：至少两个光探测器，所述光探测器信道相邻且具有滤波性能；信号处理单元，所述信号处理单元对探测器的...
- 黄永清张阳安任晓敏段晓峰杨一粟黄辉王琦
- 一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法
- 本发明公开了一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法，属于LED芯片制造及LED照明领域。所述的带有表面糙化透光结构的LED芯片，包括芯片的衬底、n型半导体结构、i型有源区和p型半导体结构，以及形成在芯片表面的糙...
- 刘凯任晓敏黄永清王琦段晓峰
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- 一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法
- 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温...
- 王俊胡海洋贺云瑞邓灿王琦段晓峰黄永清任晓敏
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