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文献类型

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  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇理学

主题

  • 6篇晶体
  • 6篇晶体生长
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶体
  • 2篇原位
  • 2篇原位观察
  • 2篇水溶
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  • 2篇控制仪
  • 1篇样机
  • 1篇样机研制
  • 1篇液晶
  • 1篇原理样机
  • 1篇溶液晶体生长
  • 1篇微重力
  • 1篇氯化钠
  • 1篇固-液界面

机构

  • 6篇中国科学院
  • 3篇北京大学

作者

  • 6篇沈蕴雪
  • 6篇陈万春
  • 5篇刘道丹
  • 3篇马文漪
  • 3篇陈国幼
  • 3篇方竞
  • 2篇方竟
  • 2篇张春林
  • 2篇谢安云
  • 1篇吴立军
  • 1篇熊春阳
  • 1篇方竞

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1996
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
重力对TGS晶体生长固-液界面浓度边界层的影响被引量:1
1999年
采用Mach-Zehnder干涉加载波技术,对于TGS晶体生长固-液界面边界层进行了实时原位观察和分析.在实验条件下,观察到了界面边界层的厚度约为0.15mm.对照1985年美国宇航局在空间实验室3号上完成的TGS晶体生长观察结果,研究了重力对TGS固-液界面边界层的影响.实验结果表明:(010)界面上的溶液浓度比(010)界面上的溶液浓度高2~3倍,(010)面边界层厚度比(010)面边界层高,边界层作为晶体生长的重要特征参量,明显受重力影响.
张春林沈蕴雪刘道丹刘道丹方竞陈万春
关键词:微重力边界层TGS晶体生长固液界面
空间溶液晶体生长关键技术研究和原理样机研制
陈万春方竞张明生沈蕴雪尹真白树林陈国幼马文漪杨子立刘道丹张春林谢安云吴立军
进行了“空间溶液晶体生长关键技术研究和原理样机研制”项目研究。包括:空间晶体生长技术、温控技术、机械传动技术、结晶器设计和加工技术、加热器设计和加工技术、光学干涉和相移技术、图像采集、记录、显示和处理技术、固-液界面边界...
关键词:
关键词:晶体生长原理样机
空间水溶液晶体生长原位实时观察装置
本发明一种空间水溶液晶体生长原位实时观察装置,是第三代空间晶体生长实验装置,该装置既可在空间微重力条件下,从水溶液中生长单晶体,又可实时原位观察固/液生长界面的浓度场和界面形态变化;本发明装置,由结晶器;贮液器;加热器;...
陈万春方竞马文漪陈国幼刘道丹沈蕴雪
文献传递
碘酸锂晶体生长过程的实时原位观察研究被引量:3
1996年
应用MachZehnder干涉法原位实时观察了aLiIO3的晶体生长过程。以HeNe激光为光源,用阿贝折射仪测定了碘酸锂过饱和溶液的折射率。MachZehnder干涉条纹的图像数据处理表明:在静态条件下,aLiIO3晶体生长过程中固液界面边界层厚度约为0.3mm,其边界层厚度随溶液对流强度而减弱。折射率测定揭示出碘酸锂晶体饱和溶液的折射率随浓度和温度的变化呈现线性关系。
陈万春沈蕴雪刘道丹方竟熊春阳
关键词:晶体生长
NaClO_3晶体生长过程研究
1997年
NaClO3晶体生长过程研究沈蕴雪谢安云陈万春(中国科学院物理研究所,北京100080)方竟杨子立(北京大学力学系,北京100087)StudyontheProcesofNaClO3CrystalGrowthShenYunxueXieAnyunChe...
沈蕴雪谢安云陈万春方竟杨子立
关键词:溶液晶体生长晶体生长氯化钠
在空间对水溶液晶体生长进行原位实时观察的装置
本发明涉及一种在空间对水溶液晶体生长进行原位实时观察的装置,是第三代空间晶体生长实验装置,该装置既可在空间微重力条件下,从水溶液中生长单晶体,又可实时原位观察固/液生长界面的浓度场和界面形态变化;本发明结晶器和贮液器在整...
陈万春方竞马文漪陈国幼刘道丹沈蕴雪
文献传递
共1页<1>
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