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洪涛
作品数:
1
被引量:5
H指数:1
供职机构:
南昌大学材料科学与工程学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
周耐根
南昌大学材料科学与工程学院
周浪
南昌大学材料科学与工程学院
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周浪
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周耐根
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洪涛
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2012
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MEAM势与Tersoff势比较研究——碳化硅熔化与凝固行为
被引量:5
2012年
运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化、表面熔化和晶体生长过程.分别采用MEAM势和Tersoff势两种势函数描述碳化硅.结果表明:体熔化时,两种势函数描述的SiC的原子平均能量、Lindemann指数和结构有序参数与温度的变化关系相似,但MEAM势对应的体熔点(4250 K)比Tersoff势(4750 K)的要高.表面熔化时,两种势函数描述的SiC在相同的过热度下熔化速度相近;而在相同的温度条件下,MEAM作用的SiC表面熔化速度更快.这是由于MEAM势SiC的热力学熔点(3338 K)低于Tersoff势SiC的热力学熔点(3430 K)的缘故.两种势函数作用的SiC在晶体生长方面差异很大.MEAM势SiC的晶体生长速度与过冷度有关,过冷度约为400 K时晶体生长速度最快.但Tersoff势SiC晶体却在过冷度为0—1000 K的范围内均不能生长.综合考虑,MEAM势比Tersoff势能更好地描述碳化硅的熔化和凝固行为.
周耐根
洪涛
周浪
关键词:
碳化硅
势函数
熔化
晶体生长
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