滕敏康
- 作品数：19 被引量：11H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 高温超导中多个正电子捕获位及其对正电子湮没参数的影响
- 1994年
- 从正电子陷阱物理图象出发，引入正电子在陷阱中湮没的竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用此模型分析了高温超导材料中正电子在陷阱中湮没的特征。
- 吴奕初滕敏康金新夏元复
- 关键词：正电子湮没高温超导材料
- 铝合金中氢效应的正电子湮没研究
- 1994年
- 铝合金的氢脆和应力腐蚀开裂是受到广泛重视的课题．本文采用正电子湮没（ＰＡ）技术研究了ＬＣ４铝合金在慢拉伸动态充氢时，在３．５％ＮａＣｌ＋２００ｍｇ／１Ａｓ２Ｏ３介质中，多普勒展宽（Ｄｏｐｐｌｅｒｂｒｏａｄｅｎｉｎｇ）Ｓ参数的变化．实验发现在阴极极化下，Ｓ参数下降．这是由于相当部分原来是深阱的正电子陷阱转为为浅阱，或者充氢后产生新的正电子陷阱引起，Ｍｇ与Ｈ互作用形成ＭｇＨ２是形成脆化的可能原因；在阳极极化下也观察到Ｓ参数下降，作者认为这是由于此时ＧＰ区（主要是ＭｇＺｎ２）的优先溶解．
- 吴奕初滕敏康夏元复
- 关键词：铝合金氢正电子湮没
- Fe_（73．5）Cu_1Nb_3Si_（13．5）B_9非晶合金化过程的X射线被引量：2
- 1995年
- 采用Ｘ射线衍射和正电子湮没多普勒展宽测量相结合，研究了纳米晶态材料Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９的结构随退火温度的变化。实验结果表明：急冷非品样品在４８０℃开始明显晶化，基体中析出体心立方结构的α－Ｆｅ（Ｓｉ）固溶体。随着退火温度的升高，非晶漫射峰不断减弱，而晶态相的衍射谱逐渐增强。进一步计算对衍射谱的分离，给出了品化分数和非晶相平均原子间距随退火温度的变化规律。正电子湮没实验证实了约５５０℃退火时样品内出现以Ｎｂ、Ｂ原子为主的晶界非晶相，Ｓ参数随退火温度的变化与非晶相平均原子间距随退火温度的变化规律一致。
- 吴奕初滕敏康夏元复常香荣杨会生田中卓
- 关键词：X射线衍射
- 用正电子湮没技术研究掺杂粉末β-C_2S的缺陷被引量：1
- 1989年
- 对硅酸二钙(Ca_2SiO_4简写为C_2S)掺杂,可以影响它的微观结构、多晶转变、烧成速度等。硅酸二钙是干燥的坚硬粉末,不易压制成型。我们采用垂直放置闪烁探头的测量方法,测量了β-C_2S粉末的正电子湮没寿命谱。结果表明,中间寿命τ_2(约470ps)组分,相应于正电子在钙空位处束缚态湮没。I_2随Na掺量增大而减小,随P掺量增加而增大,表明Na进入Ca位置并产生阴离子空位,P^(5+)进入Si位置并产生Ca^(2+)空位。
- 沈德勋滕敏康尹传元冯修吉龙世宗
- 关键词：正电子湮没粉末
- 硅中子辐照损伤研究
- 沈德勋施毅滕敏康
- 关键词：半导体材料湮灭半导体器件
- 应用正电子湮没技术研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构的影响
- 1991年
- 应用正电子湮没技术,研究在PCVD过程中不同衬底温度对a-Si:H薄膜结构的影响,并应用微晶模型进行解释。
- 滕敏康王志超
- 关键词：正电子湮没PCVDA-SI-H
- 用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜中的界面缺陷被引量：3
- 1991年
- 本文报道应用正电子湮没技术(PAT)对a-Si:H/a-SiNx:H(x≈0.5)多层膜系列样品所进行的研究。发现,由于a-Si:H和a-SiNx:H在结构方面的失配,导致在a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面区,产生大量缺陷。在a-Si:H子层中,紧靠界面的是应变层,厚度约为8;在应变层之后是过渡层,厚度约为50。在过渡层中存在大量缺陷,这就是所谓界面缺陷。
- 王志超滕敏康刘吟春
- 关键词：正电子湮没多层膜
- YBaCuO超导体的临界电荷涨落
- 滕敏康陈岭王广厚
- 关键词：超导体湮灭氧化物
- 高Tc超导体Y-Ba-Cu-O超导临界涨落的正电子湮没研究
- 1989年
- 利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变溫度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。
- 陈岭滕敏康
- 关键词：高TC超导体正电子湮没
- 正电子在高能电子辐照聚乙烯和聚丙烯中的湮没特性被引量：2
- 1990年
- 用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽方法研究高能电子(12MeV)辐照聚丙烯和聚乙烯的不同特性,发现在160kGy剂量内,正电子在聚丙烯内的短寿命成分随着电子辐照剂量的增大而变长,中间成分的强度则减弱,但当剂量为320kGy时,各湮没寿命与没有辐照的样品类似。而长寿命成分的强度不随剂量增加而变化。在电子辐照的聚乙烯薄膜中,当剂量为80kGy时,正电子中间寿命强度Ⅰ_2增加,长寿命成分的强度Ⅰ_3则有所减少。之后,随着电子辐照剂量的增加,则不再变化。正电子湮没γ射线多普勒展宽S参数随电子辐照聚乙烯的剂量变化与Ⅰ_3相同。正电子湮没特性的差别表明高能电子辐照这两种聚合物所引起结构上的变化是不同的,并为其宏观特性(如力学性质变化)的改变提供了微观依据。
- 王广厚滕敏康沈德勋周永义陆用义赖啓基王厚稳蒋永兴
- 关键词：电子辐照聚乙烯聚丙烯辐照效应正电子湮没寿命谱
