熊艳云
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 钒氧化物薄膜的拉曼散射被引量：6
- 2001年
- 用射频磁控溅射以纯金属钒做靶材在氩氧混合气体中制备了钒氧化物 (VO2 (B)、V6O1 3、V2 O5)薄膜。报导了钒氧化物薄膜的拉曼光谱 ,结合这些钒氧化物不同的结构特点 。
- 王学进费允杰熊艳云聂玉昕冯克安
- 关键词：拉曼散射拉曼光谱结构特点
- RAMAN谱研究在退火和镍衬底上金刚石形核中甲烷的影响(英文)
- 2002年
- 藉助SEM和MICRO RAMAN ,我们研究了在退火和在镍衬底上金刚石形核中甲烷CH4 的影响。CH4 的浓度分别为 0 % ,0 5 % ,1 5 %和 2 5 % ,其中当甲烷浓度为 1 5 %时 ,金刚石在镍衬底上金刚石形核密度为 3× 1 0 8/cm2 ,这个结果高于以前的结果。金刚石膜的质量是好的。
- 费允杰王学进熊艳云冯克安
- 关键词：RAMAN谱退火甲烷金刚石薄膜CVD
- Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构被引量：1
- 1999年
- 用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示，在 Ｓｉ（１００） 界面上， Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被 Ｈ 原子打开，它们分别形成 Ｓｉ— Ｈ， Ｃ— Ｈ 键．用 Ａ Ｍ１ 量子化学方法，计算了 Ｃ２ Ｈ２ 和 Ｃ２ Ｈ４ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附结构，指出了 Ｃ２ Ｈ２ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附位置，进一步讨论了金刚石在 Ｓｉ 异质外延初始阶段的形核机制．计算结果显示：在原子 Ｈ 的作用下，可以显著地降低反应的活化能，有利于 Ｃ Ｈ３ 的产生和 Ｃ Ｈ３ 向 Ｓｉ 衬底的键连．计算结果与实验相符合．
- 康健肖长永熊艳云冯克安林彰达
- 关键词：金刚石硅衬底
- 钒氧化物薄膜的拉曼散射
- ＜正＞用射频磁控溅射以纯金属钒做靶材在氩氧混合气体中制备了钒氧化物（VO2（B）、V6O13、V2O5、）薄膜。报导了钒氧化物薄膜的拉曼光谱,结合这些钒氧化物不同的结构特点,对它们的拉曼光谱也进行了分类讨论。
- 王学进费允杰熊艳云冯克安
- 文献传递
- Raman谱研究在退火和镍衬底上金刚石形核中甲烷的影响
- ＜正＞藉助SEM和MICRO-RAMAN,我们研究了在退火和在镍衬底上金刚石形核中甲烷CH4的影响。CH4的浓度分别为0%,0.5%,1.5%和2.5%,其中当甲烷浓度为1.5%时,金刚石在镍衬底上金刚石形核密度为3×1...
- 费允杰王学进熊艳云冯克安
- 文献传递
