熊雅娟
- 作品数：8 被引量：16H指数：2
- 供职机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究被引量：8
- 2011年
- 为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(≈43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.3—0.5μm,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.1—1.4μm.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4μm厚的Ga1-xAlxAs(x=0.7)窗口层和1.1—1.5μm厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350μA/lm以上.
- 赵静张益军常本康熊雅娟张俊举石峰程宏昌崔东旭
- 关键词：透射式GAAS光电阴极量子效率积分灵敏度光学性能
- 发射层对指数掺杂Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs光阴极性能的影响被引量：2
- 2011年
- 为了探索发射层厚度对指数掺杂Ga1-xAlxAs/GaAs光电阴极光学性能与光电发射性能的影响,实验制备了两种发射层厚度不同的阴极样品,并测试得到400μm～1 000 nm内反射率、透射率与光谱响应曲线。实验结果说明发射层2.0μm厚的样品比1.6μm厚的样品性能更好。利用薄膜光学矩阵理论公式计算阴极膜系反射率、透射率、吸收率与发射层厚度的关系公式,并对原有的量子效率公式进行光谱反射率和短波截止限的修正。用修正后的公式仿真不同发射层厚度下光阴极吸收率与光谱响应曲线,指出发射层厚度对阴极光学性能与光电发射性能的不同影响。进一步计算得到指数掺杂的Ga1-xAlxAs/GaAs光电阴极最佳发射层厚度范围是1.8μm～2.4μm。
- 赵静常本康熊雅娟张益军张俊举
- 关键词：光学薄膜光电阴极光学性能
- MBE与MOCVD生长的宽光谱GaAs光电阴极组件结构对比
- 通过MBE和MOCVD生长了宽光谱响应指数掺杂GaAs光电阴极材料,并制备成具有玻璃/Si3N4/Ga1-xAlxAs/GaAs结构的透射式组件。采用分光光度计测量了组件的反射率和透射率光谱,根据薄膜光学矩阵理论拟合了每...
- 赵静常本康张益军熊雅娟郭晖
- 关键词：GAAS光电阴极
- 透射式蓝延伸GaAs光电阴极的光电发射特性研究被引量：2
- 2012年
- 利用计算光学性能、量子效率和积分灵敏度的理论模型,分别研究比较了我国和ITT典型透射式蓝延伸GaAs光阴极的光电发射特性,包括阴极的光学性质和性能参数。结果表明我国的透射式蓝延伸光阴极积分灵敏度已经达到2 100μA.lm-1,但与ITT的2 750μA.lm-1相比还存在一定的差距。分析的主要原因是一方面是GaAlAs窗口层的厚度和Al组分大小对于短波响应,特别是对蓝延伸起着决定的作用;另一方面阴极性能参数电子扩散长度和后界面复合速率的大小对长波响应和短波响应也有着重要的影响,这些因素都受制于基础工业制造水平的落后。
- 石峰赵静程宏昌张益军熊雅娟常本康
- 关键词：GAAS光电阴极透射式量子效率积分灵敏度
- GaAs光电阴极智能激活研究被引量：3
- 2009年
- 研制了一套基于计算机控制的GaAs光电阴极智能激活系统,该系统可在计算机控制下严格按照标准工艺对GaAs光电阴极进行智能激活,并可在线测量阴极的光谱响应曲线。利用该系统分别进行了智能激活和人工激活实验,采集了激活过程中的光电流变化曲线,分析发现,和智能激活过程相比,由于人工激活过程出现了误操作,相邻光电流峰值间的差值下降很快,Cs、O交替的次数也较少。人工激活过程中Cs、O交替6次,光电流最大值为43μA,激活后GaAs光电阴极的积分灵敏度为796μA/lm。智能激活过程中Cs、O交替9次,光电流最大值为65μA,激活后GaAs光电阴极的积分灵敏度为1100μA/lm。
- 杨智牛军钱芸生常本康石峰张益军乔建良熊雅娟高频
- 关键词：GAAS光电阴极光电流光谱响应
- GaN光电阴极激活后的光谱响应分析被引量：1
- 2011年
- 由于GaN光电阴极的突出性能，其在紫外探测方面有着广泛的应用。文章在超高真空激活系统中，对GaN样品进行了Cs／O激活实验，并分析了激活后反射式的量子效率：在240－350nm的紫外波段内，量子效率约在30％～10％之间，曲线较为平坦，在240rim处达到30％的最大值，与国外结果对比后发现，本文获得的GaN光电阴极量子效率在短波段尚有不足。研究了GaN（0001）表面的原子排列，利用3D模拟了表面原子排列模型，并推测了Cs在其表面的吸附情况。
- 王晓晖常本康张益军侯瑞丽熊雅娟
- 关键词：GAN光电阴极量子效率
- GaAs光电阴极激活时Cs的吸附效率研究被引量：1
- 2011年
- 从NEAGaAs光电阴极的激活光电流曲线发现,当系统真空度不很高时,在首次Cs激活阶段,表面掺杂浓度较低的阴极材料,其光电流产生需要的时间也较长.同时,随着系统真空度的提高,这种时间上的差异又变得不再明显.该现象表明,Cs原子在阴极表面的吸附效率同表面层掺杂浓度以及系统真空度之间有直接的联系.为定量分析这种关系,本文根据实验数据建立了Cs在阴极表面吸附效率的数学模型,利用该模型仿真的结果同实验现象非常符合.该研究对进一步开展变掺杂阴极结构设计和制备工艺研究具有重要的价值和意义.
- 牛军张益军常本康熊雅娟
- 关键词：GAAS光电阴极真空度
- GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究
- 2011年
- 根据阴极制备过程中单独Cs激活和Cs-O交替激活两个阶段产生的光电流的峰值比,结合对电子穿过表面单势垒和双势垒后能量分布的理论曲线,提出了一种评估NEAGaAs光阴极表面势垒参数的新方法.利用该方法研究的结果完全符合双偶极层模型理论,并且和对实测阴极电子能量分布曲线拟合的结果非常一致.该方法简单、有效,在不增加测试手段的前提下,丰富了对NEAGaAs光电阴极激活效果及表面特征评价的方法和途径.
- 牛军张益军常本康熊雅娟
- 关键词：GAAS光电阴极表面势垒
