王照奎
- 作品数：10 被引量：28H指数：3
- 供职机构：河南师范大学物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划教育部留学回国人员科研启动基金河南省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术自然科学总论更多>>
- 等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响被引量：2
- 2004年
- 采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响。
- 魏俊红林璇英赵韦人池凌飞余云鹏林揆训黄锐王照奎余楚迎
- 关键词：等离子体化学气相沉积
- SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响被引量：2
- 2004年
- 以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 。
- 王照奎林璇英林揆训邱桂明祝祖送黄锐魏俊红
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜电功率大尺寸晶粒尺寸
- 用质谱法测量SiH4辉光放电中性基团的空间分布
- 本文设计了一个取样位置能在电极间自由调节的取样装置,用质谱法首次测量了SiH(n=0-3)基团的空间相对丰度分布。SiH的消耗率是计算中性基团的关键参量,一种线性拟合的方法被提出来计算SiH的消耗率。SiH(n=0-3)...
- 王照奎林揆训林璇英邱桂明祝祖送
- 关键词：质谱法
- 射频辉光放电等离子体空间特性的质谱诊断
- 射频辉光放电等离子体在微电子及半导体薄膜材料生长等方面有着广泛的应用。对于
等离子体中的沉积因子与刻蚀基团的诊断与测量,可以更好地监控等离子体成膜以及刻蚀
过程,有助于理解薄膜沉积...
- 王照奎
- 关键词：等离子体
- 文献传递
- 多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制被引量：10
- 2004年
- 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压的增加 ,晶粒增大 .而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数 ,通过工艺参数的改变 ,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化 ,指出“气相结晶”
- 黄锐林璇英余云鹏林揆训姚若河黄文勇魏俊红王照奎余楚迎
- 关键词：活性基团晶粒大小等离子体增强化学气相沉积工艺参数PECVD多晶硅薄膜
- 用SiCl4/H2沉积纳米晶硅薄膜过程中氢稀释量对SiCln(n=0～2)密度的影响
- 2008年
- 用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长。进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln（n=0-2）基团浓度的影响。等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着氢稀释比率的增加而达到9.25eV和3.7×10^9cm^-3。结果发现,在0.4-0.67范围的氢稀释比率对于形成SiCln（n=0-2）基团很有利。在这个范围,平均电子能量和电子密度都有较大的值。生成较多的SiCln（n=0-2）基团将有利于提高薄膜沉积速率和薄膜质量。
- 娄艳辉王照奎林揆训林璇英
- 关键词：纳米硅薄膜
- 以SiCl_4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜被引量：3
- 2004年
- 报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜。实验发现,生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度,而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大。通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜。薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1。
- 黄锐林璇英余云鹏林揆训姚若河黄文勇魏俊红王照奎余楚迎
- 关键词：多晶硅薄膜生长速率
- SiCl_4等离子体中的中性基团质谱测量被引量：2
- 2006年
- 设计了一个取样位置能在射频辉光放电等离子体电极间自由移动的取样装置，用质谱计测量了SiCl4等离子体的离子信号.提出了一种线性拟合的方法用于计算SiCl4等离子体的消耗率,利用测量的离子信号，计算出了SiCl4等离子体中SiCln（n=0～2）中性基团的空间分布。实验结果表明，可移动质谱取样装置的设计是合理的；用线性拟合方法得到的等离子体消耗率和中性基团的相对密度，比以前的方法得到的更精确。
- 王照奎林揆训娄艳辉林璇英祝祖送
- 关键词：射频辉光放电质谱测量
- 机器结构噪声转动功率流的测量
- 2003年
- 利用互功率谱的方法对安装在混凝土地板上的小型排气扇工作时产生的转动结构声功率流进行了测量 。
- 陈胜鹏王照奎邱桂明
- 关键词：劲度系数
- 氧含量对BiFeO_δ多晶陶瓷介电特性的影响被引量：10
- 2007年
- 采用固相反应法制备了不同含氧量的BiFeOδ多晶陶瓷样品,利用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的介电特性随频率和氧含量的变化,用正电子湮没寿命谱学的方法研究了样品中因氧含量的变化所引起的结构缺陷.实验结果表明:引入氧空位和氧填隙离子缺陷都会使介电常数减小,而介电损耗则随氧含量的增加而增加,二者的变化范围均在10%—35%之间;对不同氧含量的BiFeOδ样品,介电常数和介电损耗随测量频率的增加而减小.氧空位的引入使得局域电子密度变小,正电子平均寿命τm增加.在氧含量δ=2.99时电子密度最大(ne=3.90×1023/cm3),继续增加氧含量对正电子寿命与局域电子密度的影响不大.BiFeOδ样品的介电常数和介电损耗随氧含量的变化可以在空间电荷限制电导的框架下来理解.
- 常方高宋桂林房坤王照奎
- 关键词：氧含量正电子寿命介电损耗
