王玉芬
- 作品数：10 被引量：5H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- 有机高聚物辐射效应的研究
- 王玉芬
- 有机介质中陷阱产生的等温电流研究被引量：1
- 1993年
- 考虑现有测量方法难以区分电子陷阱和空穴陷阶的困难,该文提出表面电位模型,实现了对电子陷阱能级密度和空穴陷阱能级密度分布的测量,发展了J.G.Simmons的等温电流理论.在此基础上提出一种比较实验法,研究强电场作用下介质中产生新陷阱的动力学过程.结果表明在一定时间下,介质中新陷阱密度的产生与强电场的指数关系成正比,而在一定强电场下与作用时间成正比.
- 刘付德王玉芬杨百屯刘耀南
- 关键词：有机介质
- 偏压热刺激表面电位衰减——测量陷阱参数的新方法
- 1993年
- 针对现有的绝大部分陷阱能态分布测试方法都不能区分电子陷阱和空穴陷阱的贡献,而等温表面电位衰减虽能区分双载流子的贡献却耗时太长的缺点,本文提出一种能克服上述缺点的新方法——偏压热刺激表面电位衰减测试技术。这一方法所考虑的模型比较接近实际情况,并能快速而方便地分别测得电子陷阱和空穴陷阱的能级密度。
- 王玉芬刘付德刘耀南
- 关键词：热刺激
- 聚丙烯薄膜辐射后生成电子陷阱的实验研究被引量：3
- 1992年
- 本文详细地研究了聚丙烯薄膜受到高能电子束辐照以后介质电性能的变化,利用不同吸收剂量下相应的热刺激电流直接地表征了介质中的陷阱密度随吸收剂量的变化.实验结果表明,在本文所研究的吸收剂量范围(1×10~3Gy～1×10~5Gy)内,辐照在薄膜中引起的电子陷阱密度随吸收剂量的增加迅速增大,介电常数与吸收剂量无关,介质损耗角正切随吸收剂量增加而升高.进一步分析表明,薄膜性能的这些变化主要是由氧化作用、辐射交联、辐射裂解所引起的.根据实验结果,本文提出了聚丙烯薄膜应用的吸收剂量宜限制在<1×10~4Gy的范围内.
- 王玉芬曹晓珑刘耀南
- 关键词：聚丙烯电子束辐照电子陷阱
- 热刺激电流法在受辐照聚合物特性研究中的应用
- 王玉芬
- 辐射对聚丙烯薄膜电性能的影响
- 采用热剌激电流法和介电频谱测试技术研究了聚丙烯薄膜受高能电子束辐照不同吸收剂量后介质微观参数和宏观电性能的变化。实验表明，在该文所研究的吸收剂量范围（１０＃+[3]Ｇｙ～１０＃+[5]Ｇｙ），介质中因辐照而生产的陷阱密度...
- 王玉芬曹晓珑刘耀南
- 关键词：聚丙烯塑料薄膜电性辐照电子束
- 电子束辐照聚酰亚胺薄膜的热刺激电流研究
- 1992年
- 报道用热刺激电流研究聚酰亚胺薄膜受电子束辐照前后试样中陷阱密度的变化,并对这些试样进行了介电性能的研究。通过不同辐照剂量下相应的热刺激电流表示了陷阱密度的变化与辐照剂量的关系。在75℃时热刺激电流(TSC)曲线出现一显著的电流峰,峰值位置与辐照剂量无明显关系。实验表明辐照使各个能级下的陷阱密度均匀变化,并与辐照剂量成指数关系。介质损耗因数随辐照剂量增加而升高。当辐照剂量为5×10~6Gy时,陷阱密度和介质损耗因数均出现反常变化。
- 王玉芬曹晓珑刘耀南
- 关键词：辐照热刺激电流聚酰亚胺
- 全文增补中
- 聚酰亚胺薄膜受γ射线作用后的电性能变化
- 1993年
- 研究了聚酰亚胺薄膜受Υ射线作用前后的电性能变化。实验发现,在10～10~5Gy的吸收剂量范围内,薄膜受辐照后体积电阻率下降,介电常数基本不变,高频介质损耗角正切上升,交流击穿场强上升。通过分析和讨论,笔者认为薄膜电性能的这些变化是由辐照过程中薄膜同时发生交联和裂解所引起的。
- 王玉芬邱梅曹晓珑张承伟刘耀南钱德丰
- 关键词：Γ射线辐照聚酰亚胺
- 聚酯薄膜电子陷阱捕获截面的研究
- 1993年
- 本文利用电荷注入技术和表面电位测试技术研究了高电场作用下聚酯薄膜中电子陷阱的捕获截面与电场强度之间的关系。理论分析和实验结果拟合得到,在本文所研究的电场范围(1×107～1×108V/m)内,陷阱捕获截面随外施电场强度的上升而以指数规律下降。利用电场作用时的Poole-Frenkel效应和电子加热效应解释了本文的实验现象。
- 王玉芬杨百屯曹晓珑刘耀南刘付德
- 关键词：电介质聚酯薄膜电场
- 电子束辐照聚合物薄膜的电性能变化研究
- 1991年
- 前言随着空间技术和核技术的发展,聚合物作为绝缘材料越来越多地应用于不同辐照程度的场合。为使材料能可靠地应用于辐射环境中,对有机高聚物材料耐辐射性能的研究现在已越来越令人感兴趣。聚合物材料受到高能电离辐射作用时,材料的分子结构要发生变化,同时在材料中出现新的陷阱。众所周知,载流子陷阱的存在会影响介质的电绝缘性能。然而,对于绝缘材料受到电离辐射以后的变化效应。
- 王玉芬曹晓珑刘耀南
- 关键词：电子束辐照电性能
