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王珍

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇电器件
  • 6篇淀积
  • 6篇热电器件
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米线
  • 6篇纳米线结构
  • 3篇蛇形
  • 3篇光刻
  • 2篇电阻
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇片上集成
  • 2篇壳结构
  • 2篇核壳
  • 2篇核壳结构
  • 1篇电极

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇张明亮
  • 6篇杨富华
  • 6篇王珍
  • 6篇王晓东
  • 2篇季安

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
基于核壳结构的热电器件制备方法
一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝...
王珍祁洋洋张明亮王晓东季安杨富华
文献传递
基于纳米线的平面热电器件的制备方法
本发明公开了一种基于纳米线的平面热电器件的制备方法，包括：在衬底上制备一层P<Sup>++</Sup>层；在P<Sup>++</Sup>层上淀积第一绝缘材料层；淀积第一金属材料层，并在第一金属材料层上形成对称且具有一定间...
祁洋洋张明亮王珍王晓东杨富华
文献传递
面向片上集成的热电器件制备方法
一种面向片上集成的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积第一绝缘材料层；光刻形成纳米线结构；去除纳米线结构上的第一绝缘材料层并填充第二绝缘材料层；回刻；去除纳米线结构一侧周围的第二绝缘材料层；在基片上淀积第三绝缘材料层，并...
王珍祁洋洋张明亮杨富华王晓东
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基于核壳结构的热电器件制备方法
一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝...
王珍祁洋洋张明亮王晓东季安杨富华
基于纳米线的平面热电器件的制备方法
本发明公开了一种基于纳米线的平面热电器件的制备方法，包括：在衬底上制备一层P<Sup>++</Sup>层；在P<Sup>++</Sup>层上淀积第一绝缘材料层；淀积第一金属材料层，并在第一金属材料层上形成对称且具有一定间...
祁洋洋张明亮王珍王晓东杨富华
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面向片上集成的热电器件制备方法
一种面向片上集成的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积第一绝缘材料层；光刻形成纳米线结构；去除纳米线结构上的第一绝缘材料层并填充第二绝缘材料层；回刻；去除纳米线结构一侧周围的第二绝缘材料层；在基片上淀积第三绝缘材料层，并...
王珍祁洋洋张明亮杨富华王晓东
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