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王莉娟
作品数:
25
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
喻颖
中国科学院半导体研究所
倪海桥
中国科学院半导体研究所
牛智川
中国科学院半导体研究所
査国伟
中国科学院半导体研究所
徐建星
中国科学院半导体研究所
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光子
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机构
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中国科学院
作者
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牛智川
25篇
倪海桥
25篇
喻颖
25篇
王莉娟
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査国伟
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尚向军
15篇
徐建星
13篇
李密锋
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李密峰
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贺正宏
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王国伟
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邢军亮
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徐建新
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朱岩
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丁颖
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中国真空学会...
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2013
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2012
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2011
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GaAs/InAs纳米线量子点的单光子发射研究
本文描述了基于GaAs纳米线侧壁InAs量子点的可控分子束外延生长,设计了一种新型分义纳米线腔结构并研究了其单光子发射效应。采用VLS生长机制,在Si基上利用Ga液滴白催化形成的GaAs纳米线,白组织生长的InAs量子点...
喻颖
牛智川
李密锋
查国伟
王莉娟
徐建星
尚向军
倪海桥
关键词:
化合物半导体
分子束外延生长
单光子
文献传递
室温930nm GaAs基低功耗量子点微柱激光器的制备
在高速通信和片上集成方面,低功耗(即低阈值)激光器有着快速响应和降低功耗增加集成度方面有着很好的前景.InAs量子点由于具有合适的波长范围,更强的光子限域效应,得到了广泛的关注.微柱结构,受益于在3维上对光场进行了限制,...
徐建星
王莉娟
倪海桥
喻颖
查国伟
牛智川
关键词:
半导体激光器
量子点
文献传递
制备微透镜阵列的方法
本发明提供了一种制备微透镜阵列的方法。该方法包括:在镓系半导体衬底上制备腐蚀掩模图形,该腐蚀掩模图形上分布若干的圆孔阵列,该圆孔阵列与待制备微透镜阵列在位置与形状上相对应;在低温下,将具有腐蚀掩模图形的镓系半导体衬底平放...
査国伟
喻颖
李密峰
王莉娟
倪海桥
贺正宏
牛智川
在衬底上生长异变缓冲层的方法
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上生长异变缓冲层;步骤4:在异变缓冲层生长外延层,形成基片;步骤5:对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓...
贺继方
尚向军
倪海桥
王海莉
李密峰
朱岩
王莉娟
喻颖
贺正宏
徐应强
牛智川
文献传递
GaInAsSb低维材料分子束外延生长及器件研究1
本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技...
牛智川
尚向军
王国伟
徐应强
任正伟
贺振宏
倪海桥
李密锋
喻颖
王娟
王莉娟
查国伟
邢军亮
徐建星
向伟
关键词:
超晶格半导体
低维材料
分子束外延生长
元器件
文献传递
一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法
本发明公开了一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法,该方法包括:在光电子器件表面预涂一层光刻胶;利用光刻技术在光电子器件表面形成对准孔阵列;在光纤的端部剥去涂覆层露出光纤内芯;在显微镜及位移平台的辅助下将光纤端部露出的光纤内...
査国伟
牛智川
倪海桥
李密锋
喻颖
王莉娟
徐建星
尚向军
贺振宏
文献传递
基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法
本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括:GaAs衬底;在该GaAs衬底上制备的外延片,该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有...
王莉娟
喻颖
査国伟
徐建星
倪海桥
牛智川
文献传递
在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法
本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法,包括:取一半导体衬底;在该半导体衬底上生长二氧化硅层;对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗;采用自催化的方法,在二氧化硅层上生长纳米线,该纳米线的...
査国伟
李密锋
喻颖
王莉娟
徐建星
尚向军
倪海桥
贺振宏
牛智川
文献传递
自组织单量子点的定位方法及装置
本发明公开了一种自组织单量子点的定位装置和方法,其装置包括:激光器,其用于产生激发光,激发量子点样品中的量子点产生荧光光束;紫外光源装置,其用于产生紫外光,对单量子点微区光刻胶曝光;显微物镜,其用于汇聚所述激发光和紫外光...
尚向军
倪海桥
査国伟
喻颖
李密峰
王莉娟
徐建星
牛智川
硅基半导体超短脉冲激光器
一种硅基半导体超短脉冲激光器,包括:一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层;其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅...
丁颖
倪海桥
李密锋
喻颖
查国伟
徐建新
王莉娟
牛智川
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