王钦
- 作品数：9 被引量：22H指数：3
- 供职机构：东南大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术交通运输工程电气工程更多>>
- 功率LDMOSFET温度效应研究
- 横向高压功率器件LDMOSFET有耐压高、增益大、动态范围宽、失真低和易于与低压电路工艺兼容等特点。随着半导体工艺技术的不断成熟，LDMOS越来越广泛地应用于功率集成电路及智能功率集成电路中。功率电路由于自身大电流、高电...
- 王钦
- 关键词：高压功率器件温度效应电热耦合负阻现象功率集成电路
- 文献传递
- 30V沟槽MOSFET优化设计被引量：3
- 2008年
- 借助半导体专业模拟软件Tsuprem-4和Medici,模拟得到一组最佳的30V沟槽MOS-FET结构和工艺参数;给出了特性模拟曲线。在此基础上,详细讨论了沟槽的宽度和深度变化对沟槽MOSFET的阈值电压、击穿电压、漏电流及导通电阻等特性的影响。最后,根据模拟得到的最佳参数进行了流片实验。结果表明,所设计器件的击穿电压大于35V,Vgs为10V下的导通电阻为21mΩ·mm2。
- 孙伟锋张萌王钦
- 关键词：沟槽MOSFET击穿电压导通电阻阈值电压
- 体硅高压LDMOS器件二维温度分布模型被引量：1
- 2007年
- 体硅高压LDMOS器件,在不同工作方式下,自身的发热情况也不同.本文通过解热传导方程,研究了体硅N-LD-MOS器件准二维温度分布模型.通过该模型,分析了体硅高压N-LDMOS器件工作在线性区与饱和区时温度的分布,器件各个部分自热引起的温度升高以及其在不同宽度的高压脉冲作用下,N-LDMOS器件的温度分布变化情况.
- 王钦孙伟锋刘侠杨东林
- 关键词：自热温度分布
- 高压VDMOS电容的研究被引量：7
- 2007年
- 本文主要研究了VDMOS电容的组成,详细分析了Ciss、Coss和Crss这3个VDMOS电容参数的定义和各自对应的特性,并从模拟上着重分析了沟道长度和栅氧厚度对电容的影响.文中提出一种反馈电容较低的VDMOS新单元结构,在相同的尺寸条件下,新结构单元Qg*Rdson的优值较之传统型设计显著下降.
- 刘侠孙伟锋王钦杨东林
- 关键词：VDMOS电容导通电阻
- 动物细胞悬浮培养生物反应器及控制系统设计
- 反应器细胞培养技术是一种以反应器悬浮培养动物细胞生产或研制生物制品为平台的通用技术，广泛地用于生产单抗、人用疫苗或者兽药疫苗等生物制品。反应器悬浮培养细胞技术在大规模疫苗生产中能提高单位制品产量、细胞高密度培养及表达、简...
- 王钦
- 关键词：动物细胞生物反应器控制系统程序设计
- 文献传递
- 公路绿化带降噪特性和防护方法研究
- 国内外针对公路建设前噪声预测、控制措施进行了广泛的研究，形成了比较完善的公路噪声污染预测、评价方法，防范、防治方法和控制措施。随着路边噪声污染的日益严重，噪声防护的地位越发重要。本文比较了噪声防护中的声障堤、声障墙、声屏...
- 王钦
- 关键词：声环境噪声防护声屏障公路绿化带降噪特性
- 文献传递
- 高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析被引量：1
- 2006年
- 分析了高压LDMOS在-27℃至300℃温度范围内的温度特性,并给出了阈值电压温度系数的计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:高压LDMOS的阈值电压温度系数在相当宽的温区内是一常数;可用温度的线性表达式来计算阈值电压温度系数;薄栅氧化层和高沟道掺杂浓度可减小高压功率LDMOS的阈值电压温度系数.
- 孟坚陈军宁柯导明孙伟锋时龙兴王钦
- 关键词：高温
- 体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究
- 2006年
- 从等温和非等温两个角度,在250 K^573 K(-23℃~300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理。
- 刘侠王钦
- 关键词：等温非等温负阻效应
- 体内注入TrenchMOS模型研究被引量：1
- 2007年
- 围绕TrenchMOS的击穿电压BVds、特征导通电阻Ron和栅漏电荷Qgd这三个最重要的特性指标,对TrenchMOS进行分析和改进,提出了体内注入TrenchMOS的概念。体内注入结构巧妙利用体内耗尽层分压的方法优化器件特性。专业软件Medici的仿真结果表明:改进结构在同样的耐压水平下,能减小器件导通电阻44.73%、栅漏电荷19.51%,并且工艺兼容、附加工艺少。
- 戈喆李海松王钦孙伟锋
- 关键词：击穿电压特征导通电阻
