石广源
- 作品数：44 被引量：59H指数：4
- 供职机构：辽宁大学物理学院更多>>
- 发文基金：沈阳市科技局资助项目沈阳市科技攻关计划项目辽宁省科技厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种输入轨至轨运算放大器的设计与仿真
- 2009年
- 介绍了一种输入轨至轨CMOS运算放大器,该放大器采用了共源共栅结构做增益级,在输入级跨导使用了电流补偿,以使其几乎恒定.在3 V电源电压下的静态功耗只有180μW,带5 p的负载电容时,直流开环增益,单位增益带宽分别达到75 dB,1.5 MHz.
- 石广源梅当民
- 关键词：轨对轨放大器跨导
- VDMOSFET参数优化设计软件编制
- 2004年
- 简要介绍了VDMOSFET的基本结构,并给出了器件的物理模型.从探索优化VDMOSFET电学参数的角度出发,利用Visual C++语言,编制了VDMOSFET参数优化设计软件,最后,给出了该软件的运行结果及实例讨论.此软件界面友好,操作简便,结果直观、准确,可大大缩短产品的设计周期.
- 刘岐宋丽丽高红石广源刘长新
- 关键词：VDMOSFET计算机模拟电力半导体器件导通电阻
- Aptix硬件仿真器
- 2005年
- 随着设计复杂程度的增加,RTL级仿真验证时间大幅度增加,已经成为设计的瓶颈.使用硬件仿真器可以加快仿真速度,提高仿真效率,是设计百万门以上电路的不可或缺的工具.
- 石广源胡子阳宁润涛王福君
- 关键词：硬件仿真器
- 新型结终端技术被引量：2
- 2006年
- 提出了一种新型的场板和保护环相结合的结终端技术,并讨论了此终端结构的工作原理和优越性.
- 石广源李永亮李严高嵩
- 关键词：场板保护环结终端技术
- 一种电流补偿的带隙基准电路
- 2008年
- 传统的带隙基准电路能够产生约15 ppm/℃温度系数的基准电压.电路中正温度系数的大小与支路电流的大小密切相关,通过调节支路电流的大小在-30℃到110℃的温度范围内产生约3 ppm/℃温度系数的基准电压.
- 卢雪梅刘贺李文昌石广源
- 关键词：带隙电压基准温度系数
- 低阻VDMOSFET的优化设计与制造被引量：3
- 2003年
- 文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。
- 石广源罗华高嵩王中文阎冬梅
- 关键词：优化设计导通电阻CAD电阻率
- MOSFET的热载流子效应及其寿命的评估方法被引量：1
- 2009年
- 首先简单地讨论热载流子效应的背景及其物理机制.然后,提出了一种常用的用来推算金属氧化物场效应晶体管的热载流子效应的寿命的模型,Hu模型.在这些研究的基础上,才能更好地研究来削弱MOSFET的热载流子效应及提高MOSFET的热载流子效应的寿命的方法.
- 卢雪梅蒋轲石广源
- 关键词：热载流子效应
- 一种可调占空比的RC振荡电路被引量：1
- 2009年
- 分析了一种RC振荡电路来产生一定频率的振荡波形,并加入了占空比调制电路来增加高电平持续时间,最终产生750 Hz的固定振荡频率.克服了只用RC振荡电路产生的频率随电压改变,占空比不可改变的弊端.
- 李佳杨涛石广源李文昌
- 关键词：RC振荡器占空比恒定频率
- 一种新的双栅MOSFET物理模型
- 1989年
- 本文以单栅MOSFET的物理模型为基础,导出了双栅MOSFET的物理模型,该模型中,不仅考虑了漏压对沟道长度的调制效应,而且也考虑了栅压对沟道中载流子迁移率的影响,由该模型导出的双栅MOSFET的V—I特性与实验结果做了比较,二者符合得很好,并对器件的V—I特性从物理机制上进行了详细讨论。
- 孙彦卿唐仁兴石广源
- 关键词：双栅MOSFET物理模型
- VDMOSFET特征导通电阻的数学模型被引量：3
- 2004年
- 对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型—等效截面模型。给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系,并将计算结果与常规模型和实际测量值进行了比较,与实验结果符合得很好。
- 高嵩石广源王中文
- 关键词：VDMOSFET特征导通电阻数学模型
