您的位置: 专家智库 > >

胡勇

作品数:2 被引量:7H指数:1
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低电压
  • 1篇电流镜
  • 1篇电流模
  • 1篇电流模式
  • 1篇电压
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇运算放大器
  • 1篇折叠式共源共...
  • 1篇曲率补偿
  • 1篇温度系数
  • 1篇基准源
  • 1篇共源共栅
  • 1篇放大器

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇彭晓宏
  • 2篇吕本强
  • 2篇胡勇
  • 2篇刘云康
  • 1篇朱志鼎
  • 1篇朱治鼎
  • 1篇侯立刚

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
采用增益提高技术的两级放大器的设计
2013年
基于chartered 0.35μm工艺,采用PMOS管作为输入管的折叠式共源共栅结构,设计了一种采用增益提高技术的两级运算放大器。利用Cadence公司的spectre对电路进行仿真,该电路在3.3 V电源电压下具有125.8 dB的直流开环增益,2.43 MHz的单位增益带宽,61.2°的相位裕度,96.3 dB的共模抑制比。
刘云康彭晓宏胡勇侯立刚朱志鼎吕本强
关键词:折叠式共源共栅运算放大器
一种新型电流模式带隙基准源的设计被引量:7
2013年
提出了一种新型电流模式的带隙基准电压源结构,与传统带隙基准源不同,通过电流模式高阶曲率补偿技术,消除了高阶温度系数对基准电压的影响,得到一个与温度相关性较小的基准电压。电路采用Chartered 0.35μm工艺进行设计,仿真验证结果表明,在-40℃~125℃温度范围内,温度系数为7.25×10-6/℃,基准电压平均值为1.114V,电源抑制比为-89.28dB。
胡勇彭晓宏刘云康吕本强朱治鼎
关键词:带隙基准源曲率补偿温度系数电源抑制比
共1页<1>
聚类工具0