胡晓东
- 作品数：88 被引量：108H指数：6
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 基于渐变铝镓氮电子阻挡异质结的高功率激光二极管
- 本发明公开了一种基于渐变铝镓氮电子阻挡异质结的高功率激光二极管，该激光二极管是在衬底上从下到上依次层叠设置的n型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、p型渐变Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N...
- 李曙琨胡晓东 郎睿 雷孟铼 陈焕卿
- 自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法
- 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目...
- 康香宁胡晓东王琦章蓓杨志坚徐科陈志忠于彤军秦志新张国义
- 文献传递
- 氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化
- 本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量,以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对于...
- 魏启元胡晓东李倜王彦杰陈伟华李睿潘尧波徐科章蓓杨志坚
- 关键词：氮化镓基激光器激光二极管量子阱结构多元合金性能表征
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- GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
- 2005年
- 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.
- 陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义
- 关键词：透射电镜激光剥离
- GaN基脊型激光二极管的制备方法
- 本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可以采用湿法腐蚀绝缘层...
- 鲁辞莽康香宁胡晓东陈伟华张国义秦志新吴洁君于彤军陈志忠
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- 一种微曲面DBR及其制备方法和应用
- 本发明公开一种微曲面DBR及其制备方法和应用，属于纳米尺度的微结构制造工艺。本发明微曲面DBR的结构是在铺置纳米小球的衬底上交替生长高折射率材料和低折射率材料形成，所述高折射率材料和低折射率材料交替叠加构成堆垛结构，通过...
- 陈焕卿于果李俊超胡晓东
- 氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法
- 本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物...
- 杨志坚张国义李忠辉余彤军胡晓东陈志忠秦志新章蓓
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- 自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法
- 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目...
- 康香宁胡晓东王琦章蓓杨志坚徐科陈志忠于彤军秦志新张国义
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- GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化被引量：9
- 2007年
- 针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极结构进行了定量的比较,给出了优化的电极结构。计算结果显示,在相同工艺参数下,采用插指型电极结构的LED与采用传统型电极结构和扩展正极型电极结构的LED相比,电流扩展更均匀,串联电阻更小。在此基础上,对插指型电极结构作了进一步的参数优化,得出了使LED的串联电阻取最小值时的插指型电极的结构参数。根据优化得到的参数制作了相应的LED样品,并与采用扩展正极型电极结构的LED做了对比实验。实验结果表明,计算得出的结果与实验结果符合得很好。采用了优化后的插指型电极结构的LED与采用扩展正极型电极结构的LED相比,前者的串联电阻仅为后者的44.4%。
- 潘华璞黄利伟李睿林亮陈志忠张国义胡晓东
- 关键词：GAN基LED电流扩展串联电阻有限元方法电极结构
- 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
- 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化...
- 李睿胡晓东徐科代涛陈伟华胡成余包魁王彦杰张国义
- 文献传递
