臧航
- 作品数：33 被引量：45H指数：5
- 供职机构：西安交通大学能源与动力工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学院西部之光基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术一般工业技术电子电信更多>>
- Fe/Cu多层膜的辐照与退火研究
- 一些生成热为正的材料体系,在液相和固相都不互溶,难于用传统的熔炼技术制备合金。载能离子辐照通过混合和驰豫两个过程,可使不同元素交替沉积而成的双层或多层膜界面处发生元素原子混合,甚至可使热力学平衡态不能互溶或混合的元素混合...
- 魏孔芳王志光刘纯宝臧航宋银姚存峰盛彦斌马艺准
- 文献传递
- 80keV N离子注入对ZnO薄膜结构的影响被引量：1
- 2010年
- 室温下用80keVN离子注入ZnO薄膜样品,注量分别为5.01014,5.01015和5.01016ions/cm2,然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明,由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中,注入5.0×1015ions/cm2时,观测到缺陷生成和局域无序化现象,但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向;随着注量的增大,晶格常数c和压应力呈增大趋势。对注入N离子对ZnO薄膜结构特性的影响机理进行了简单的讨论。
- 臧航王志光魏孔芳孙建荣姚存峰申铁龙马艺准杨成绍庞立龙朱亚斌
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射透射电镜
- 94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究
- 2010年
- 室温下,用94MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×1011,1.0×1012和1.0×1013ions/cm2。所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析。通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离子辐照量的变化。结果表明,不同结构的硅材料中Xe离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著:随着Xe离子辐照量的增加,单晶硅的光学带隙基本不变,非晶硅薄膜的光学带隙由初始的约1.78eV逐渐减小到约1.54eV,而纳米晶硅薄膜的光学带隙则由初始的约1.50eV快速增大至约1.81eV,然后再减小至约1.67eV。对硅材料结构影响辐照效应的机理进行了初步探讨。
- 杨成绍王志光孙建荣姚存峰臧航魏孔芳缑洁马艺准申铁龙盛彦斌朱亚斌庞立龙李炳生张洪华付云翀
- 关键词：硅重离子辐照光学带隙
- 4MeV Kr离子辐照对6H-SiC力学性能影响的研究
- <正>碳化硅（SiC）及其复合材料因其良好的力学性能、高温稳定性、低感生放射性及高热导率使其成为核能系统中重要的结构材料,因此利用重离子模拟中子在SiC材料中的辐照损伤,研究不同辐照温度下,高损伤辐照实验后SiC力学性能...
- 臧航贺朝会杨涛郭达禧王志光申铁龙
- 文献传递
- ZnO薄膜的Bi离子注入/辐照改性研究
- 利用射频反应溅射技术在石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,其中溅射气体为氧气和氩气的混合气(Ar:O2=8:3),溅射气压、溅射功率和生长温度分别为3.4Pa、100W和400℃。室
- 臧航王志光贺朝会
- 关键词：ZNO离子注入离子辐照
- 高能重离子辐照引起注碳SiO2发光的电子能损效应研究
- 氧化硅是制备硅基高速微电子器件、低压/低功耗器件、抗辐照电路、高温电子学器件、微机械和光通信器件等的重要原材料,在微电子工业和光纤通讯等领域具有十分广泛的用途。因此,氧化硅的改性研究一直是受关注的热点。本工作采用“低能离...
- 刘纯宝王志光臧航宋银金运范魏孔芳姚存峰孙友梅刘杰
- 文献传递
- 高能重离子辐照制备SiOC复合材料的研究
- 2007年
- 用120keV碳离子注入非晶SiO2薄膜,再用高能Xe、Pb和U离子辐照。注碳剂量范围为2.0×1017—8.6×1017 cm-2,高能离子辐照剂量1.0×1010—3.8×1012 cm-2。辐照后的样品用傅里叶变换红外光谱仪进行系统分析。实验结果显示,高能离子辐照在注碳非晶SiO2薄膜中形成了大量的Si-O-C键和Si-C键。这些Si-O-C结构具有环链、开链和笼链等多种结构形式。随电子能损、辐照剂量或者沉积能量密度的增加,SiOC结构由类笼向环/开链结构演化。对高能重离子驱动产生SiOC结构的机理进行了简单的讨论。
- 刘纯宝赵志明王志光宋银金运范孙友梅刘杰姚存峰臧航
- 关键词：重离子辐照SIOC
- 射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性被引量：12
- 2007年
- 用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.
- 朋兴平王志光宋银季涛臧航杨映虎金运范
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射谱光致发光谱衬底温度
- Fe/Nb多层膜中离子辐照效应研究(英文)
- 2009年
- 采用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Si/[Fe(10 nm)/Nb(4 nm)/Fe(4 nm)/Nb(4 nm)]2/ [Fe(4nm)/Nb(4 nm)]4多层膜。用2 MeV的Xe离子在室温下辐照多层膜。采用俄歇深度剖析、X射线衍射和振动样品磁强计分析辐照引起的多层膜元素分布、结构及磁性变化。AES深度剖析谱显示当辐照注量达到1 .0×1014ions/cm2时,多层膜界面两侧元素开始混合;当辐照注量达到2 .0×1016ions/cm2时,多层膜层状结构消失,Fe层与Nb层几乎完全混合。XRD谱显示,当辐照注量达到1 .0×1014ions/cm2时, Nb的衍射峰和Fe的各衍射峰的峰位相对于标准卡片向小角方向偏移,这说明辐照引起Nb基和Fe基FeNb固溶体相的形成;当辐照注量大于1 .0×1015ions/cm2时,辐照引起非晶相的出现。VSM测试显示,多层膜的磁性随着结构的变化而变化。在此实验基础上,对离子辐照引起界面混合现象的机理进行了探讨。
- 魏孔芳王志光孙建荣臧航姚存峰盛彦斌马艺准缑洁卢子伟申铁龙杨成绍
- 关键词：离子辐照XRDVSM
- 高能Xe粒子辐照对ZnO薄膜的结构及发光特性的影响
- 利用射频反应溅射技术在单晶硅(100)衬底上制备了高质量的 ZnO 薄膜。该薄膜是在氧氩混合气 (Ar:O=3:2)中制备,溅射气压为3.4 Pa,溅射功率、溅射时间和基底温度分别为100W、3小时和400℃。利用兰州重...
- 臧航王志光朋兴平宋银刘纯宝魏孔芳张崇宏姚存峰马艺准周利宏盛彦斌缑洁
- 文献传递
