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磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用被引量：1: 1997年; 在0～4．5KGs的横向磁场中用布里兹曼法生长了碲镉汞晶体，轴向组分分布略见平缓，而径向组分显示出明显的偏心分布。在2～3KGs下，径向组分均匀性有明显改善，并获得了组分分布更为均匀的“斜”平面。; 蓝慕杰叶水驰于杰鲍海飞周士仁; 关键词：磁场碲镉汞晶体红外光学材料

碲镉汞合金组分分布的描述方法被引量：3: 1996年; 介绍了一种利用ＥＤＸ和自动数据处理程序相结合，用于ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的描述方法。实际使用结果表明，该方法满足ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的要求，具有快速直观的特点，对指导工艺调整有重要意义。该法可用于其它半导体材料的成分分析。; 蓝慕杰赵显峰周士仁; 关键词：HGCDTE 合金红外探测

非晶态Se及掺杂Sb的Se薄膜晶化特性研究被引量：1: 1998年; 利用光学显微镜和Ｘ射线衍射技术，分析了非晶态Ｓｅ和掺杂Ｓｂ的Ｓｅ薄膜的晶化特性。Ｓｅ薄膜由于保存周期不同以及Ｓｂ掺杂到Ｓｅ中的Ｓｂ含量的多少都会影响Ｓｅ的晶化特性；在热处理下薄膜的晶化呈现各向异性的择优生长。分析了晶化过程中微裂纹的产生，晶界的产生和体积收缩。薄膜与衬底之间的热应力是产生微裂纹的主要因素。; 叶水驰鲍海飞蓝慕杰; 关键词：晶化微裂纹硒锑非晶态

梁式硅微机械陀螺结构的研究被引量：1: 2001年; 通过分析梁式硅微机械陀螺的原理 ,确定了其结构参数。介绍制造工艺流程 ,完成了器件的制作 ,并测试出其工作谐振频率。; 韩竞科王东红陈伟平蓝慕杰王喜莲王蔚于杰; 关键词：陀螺微机械微机电系统

在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体被引量：3: 2000年; 在横向磁场中用Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变．当安瓿绕生长轴匀速旋转时、晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征，也没有常规Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长晶体的径向对称性尾部呈现圆锥状的凸起。; 蓝慕杰叶水驰鲍海飞周士仁姚枚; 关键词：HGCDTE BRIDGMAN法磁场晶体生长

多功能电化学腐蚀机的研制: 对电化学腐蚀系统进行了系统的分析,并完成了用单片机系统进行数字化控制的多功能、自动化电化学腐蚀机的设计.; 周坤蓝慕杰陈伟平王东红; 关键词：MEMS 电化学腐蚀微电子机械系统; 文献传递

位移损伤剂量法评估空间GaAs/Ge太阳电池辐照损伤过程被引量：12: 2011年; 本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同能量的电子和质子辐照下的电池性能随辐照注量的退化行为.基于上述实验结果以及计算获得的带电粒子在电池中的非电离能量损失(NIEL)获得了不同能量电子辐照位移损伤的等效指数n为1.7,电子损伤剂量转化为质子损伤剂量等效系数为5.2,并进一步建立了电池性能随位移损伤剂量的退化方程.利用该方法对国产GaAs/Ge太阳电池在500,22000和36000km轨道带电粒子辐照条件下电性能退化行为以及不同厚度玻璃盖片对电池损伤的防护效果进行了评价.; 吴宜勇岳龙胡建民蓝慕杰肖景东杨德庄何世禹张忠卫王训春钱勇陈鸣波; 关键词：GAAS/GE太阳电池辐照损伤带电粒子

外加横向磁场生长优质HgCdTe晶体: 1997年; 随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适用谱区范围宽而受到重视，并已经发展了多种晶体和薄膜的制备工艺技术。近年来，在从熔体中生长半导体材料时，为了抑制熔体中对流所引起的溶质或掺杂剂浓度的波动而采用了磁场中生长晶体技术。这种抑制作用起因于磁场所引起的洛仑兹力，它减小了那些与温度梯度或组分梯度有关的浮力所驱动的胞状对流的强度。在用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｒｉ法生长Ｓｉ及ＧａＡｓ晶体时，采用横向的或垂直的磁场成功地抑制了不稳定的热对流，从而获得了高质量的晶体。本文介绍了我们自行研制的磁场中Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长碲镉汞晶体。ＨｇＣｄＴｅ晶体的生长：用所研制的装置进行了碲镉汞晶体生长实验，实验条件与布里奇曼法相同，即用内径１２～１４ｍｍ的石英安瓶，按ｘ＝０．２装料１０～１２ｃｍ，以０．２５ｍｍ／ｈ的速度通过生长区。开管后，沿垂直于生长轴方向切片，分别用Ｘ荧光法和Ｘ能谱法测量其轴向和径向的组分分布，在不加磁场和分别施加２ｋＧｓ，３ｋＧｓ，及４ｋＧｓ，５ｋＧｓ的磁场条件下，先后生长了１０余只样品。利用自制的磁场Ｂｒｉｄｇｍａｎ法晶体生长装置?; 叶水驰蓝慕杰鲍海飞于杰周士仁; 关键词：碲镉汞晶体磁场晶体生长半导体

外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究被引量：1: 1999年; 介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化与磁场的关系．实验结果表明，由于磁场对熔体中热对流的作用，尤其是横向磁场与流胞的相互作用，在一定程度上改变生长界面的形状。; 蓝慕杰叶水驰鲍海飞于杰周士仁王培林; 关键词：磁场晶体生长 BRIDGMAN法碲镉汞晶体

电化学法玻璃片硅片穿孔设备: 本发明提供的是一种电化学法玻璃片硅片穿孔设备。它包括电解槽，在电解槽中装有碱性溶液。电源负极接石墨电极或者镍电极，穿孔探针接电源正极。玻璃片或硅片水平置于石墨电极或镍电极上。穿孔探针材料为金属钨，穿孔探针上串联有限流电阻...; 刘晓为霍明学王喜莲蓝慕杰陈伟平; 文献传递

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蓝慕杰

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