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谈国太

作品数:38 被引量:55H指数:5
供职机构:北京师范大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 20篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 13篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 11篇磁电
  • 11篇磁电阻
  • 7篇庞磁电阻
  • 7篇光学
  • 7篇半导体
  • 7篇X射线
  • 7篇磁电阻效应
  • 6篇电子学
  • 6篇射线
  • 6篇全反射
  • 6篇金属膜
  • 6篇光学器件
  • 6篇感器
  • 6篇P-N结
  • 6篇玻璃材料
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 6篇传感器材料
  • 6篇磁学
  • 5篇电子器件

机构

  • 20篇中国科学院
  • 16篇北京师范大学
  • 8篇清华大学
  • 1篇北京市辐射中...
  • 1篇莱斯大学

作者

  • 38篇谈国太
  • 17篇陈正豪
  • 12篇吕惠宾
  • 12篇周岳亮
  • 9篇戴守愚
  • 9篇李玉德
  • 8篇章晓中
  • 8篇杨国桢
  • 8篇潘秋丽
  • 8篇林晓燕
  • 7篇罗萍
  • 7篇刘志国
  • 7篇颜雷
  • 6篇孙天希
  • 6篇程琳
  • 6篇陈凡
  • 5篇薛庆忠
  • 4篇田鹏
  • 3篇段苹
  • 2篇张歆

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理
  • 1篇理化检验(物...
  • 1篇光学学报
  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇第九届全国X...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇2004年中...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 7篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 4篇2005
  • 6篇2004
  • 4篇2003
  • 4篇2002
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半导体和钛酸锶p-n结
本发明涉及电子学领域,特别是涉及一系列新型p-n结。本发明提供的半导体和钛酸锶p-n结,其特征在于:n型和p型的半导体为掺杂的硅或锗或砷化镓;n型钛酸锶SrA<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1-x</Sub>O<S...
吕惠宾颜雷戴守愚陈正豪周岳亮陈凡谈国太杨国桢
文献传递
去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法和专用抛光棒
本发明涉及一种去除或减少氧化物薄膜中表面颗粒的方法和专用抛光棒。该方法包括:分别将薄膜样品与抛光棒用丙酮、酒精进行超声清洗,然后将抛光棒垂直压在薄膜表面上,确保抛光面紧密、均匀的与薄膜表面接触,迅速移动抛光棒,将颗粒消除...
何萌周岳亮谈国太陈正豪吕惠宾杨国桢
文献传递
Te掺杂LaMn03晶格结构的XRD分析
本文通过X射线衍射数据,用Rietveld精修方法分析了Te部分替换LaMnO3中La后,其晶格参数及其结构对称性所发生的变化.结果表明:Te掺杂LaMnO3系列样品具有R3C的晶格结构对称性,其MnO6八面体晶格还产生...
谈国太陈正豪
关键词:晶格结构X射线衍射自旋玻璃态
文献传递
半导体和钛酸钡p-n结
本发明涉及电子学领域,特别是涉及一系列新型p-n结。本发明将n型BaA<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1-x</Sub>O<Sub>3</Sub>或Ba<Sub>1-x</Sub>La<Sub>x</Sub>TiO...
吕惠宾颜雷戴守愚陈正豪周岳亮陈凡谈国太杨国桢
文献传递
钙钛矿结构La_(0.9)Sb_(0.1)MnO_3的庞磁电阻性质被引量:20
2003年
一种新的钙钛矿结构的庞磁电阻氧化物La0 .9Sb0 .1 MnO3已用固态反应方法制成 ,通过超导量子干涉器件(SQUID)装置测量研究了它的电输运性质和磁性质 .x射线光电子能谱分析证明 ,该氧化物中Sb的价态是 +5价 ,因此该氧化物是一种新的电子掺杂型庞磁电阻材料 .
段苹谈国太戴守愚陈正豪周岳亮吕惠宾
关键词:钙钛矿结构电输运性质磁性质锰氧化物
钙钛矿锰氧化物La_(1-x)Te_xMnO_3(x=0.04,0.1)的两类磁电阻现象被引量:18
2005年
La1 -xTexMnO3(x=0 0 4 ,0 1)是一种具有钙钛矿结构的电子掺杂型锰氧化物 .实验结果表明 :在这种锰氧化物中同时存在庞磁阻 (CMR)效应和低场磁电阻 (LFMR)效应 .在整个实验温度范围 ( 5— 30 0K) ,LFMR随温度升高而发生了如下变化 :出现—消失—出现 ,在LFMR消失的温区又恰好能观察到明显的CMR .对其原因给予了解释 .
谈国太陈正豪章晓中
关键词:磁电阻CMR锰氧化物钙钛矿结构温度升高
钙钛矿结构La<,0.9>Sb<,0.1>MnO<,3>的巨磁电阻性质
一种新的钙钛矿结构的巨磁阻氧化物La<,0.9>Sb<,0.1>MnO<,3>已用固态反应方法制成,通过SQUID装置测量研究了它的电输运性质和磁性质.XPS分析证明该氧化物中Sb的价态是+5价,因此该氧化物是一种新的电...
段苹谈国太戴守愚陈正豪周岳亮吕惠宾
关键词:钙钛矿结构巨磁电阻电输运性质
文献传递
半导体和锰酸镧p-n结
本发明涉及电子学领域,特别是涉及一系列新型p-n结。本发明将p型锰酸镧La<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>MnO<Sub>3</Sub>薄膜材料(其中A是Ca或Sr或Ba或Pb或Sn)或n型锰酸镧L...
吕惠宾颜雷戴守愚陈正豪周岳亮陈凡谈国太杨国桢
文献传递
圆锥形X光导管的传输特性研究被引量:5
2010年
利用光线追迹原理建立的圆锥形X光导管的计算模型,对圆锥形X光导管传输特性进行了系统的理论研究。通过对X射线经过锥管的光强分布计算,得到光源尺寸和锥管入口直径共同影响光强分布形式的结论。计算了锥管功率密度增益K随距离锥管出口不同位置f2的变化规律。研究了功率密度增益随光源尺寸的变化规律。最后以等效距离为标准讨论了锥管的优化设计。
李玉德林晓燕潘秋丽谈国太
关键词:X射线光学光强分布
用于会聚平行X射线的光学器件
本发明公开了用于会聚平行X射线的光学器件,用于实现滤除低能X射线,并且会聚平行高能X射线。所述光学器件包括:由玻璃材料制成的实心构件,该实心构件为轴对称结构,纵向截面的两组对边中一组对边为平行线,另一组对边为开口相对的抛...
李玉德孙天希林晓燕刘志国潘秋丽罗萍谈国太程琳
文献传递
共4页<1234>
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